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[发明专利]显示装置-CN202280019679.1在审
发明人：江口晋吾;冈崎健一 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种能够进行透视显示的显示装置。该显示装置包括在包括第一发光元件的第一区域、包括第二发光元件的第二区域以及外光透过的第三区域连续设置的绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极、第一有机层及公共电极。第二发光元件包括第二像素电极、第二有机层及公共电极。从截面看时，第一有机层的底面与侧面所成的角及第二有机层的底面与侧面所成的角都为60度以上120度以下。绝缘层包括隔着公共电极与第一有机层重叠的部分、隔着公共电极与第二有机层重叠的部分以及位于第三区域的部分，该绝缘层具有透光性。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN202280015599.9在审
发明人：濑尾哲史;和田理人 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：提供一种电压降低得到抑制的显示装置。显示装置包括第一下部电极、第二下部电极、第三下部电极、辅助电极、具有与第一下部电极的端部、第二下部电极的端部、第三下部电极的端部及辅助电极重叠的区域的分隔壁、具有与第一下部电极重叠的区域并位于分隔壁的开口部中的第一发光层、位于第一下部电极和第一发光层之间的第一层、具有与第二下部电极重叠的区域并位于分隔壁的开口部中的第二发光层、位于第二下部电极和第二发光层之间的第二层、具有与第三下部电极重叠的区域并位于分隔壁的开口部中的第三发光层、位于第三下部电极和第三发光层之间的第三层、以及跨着第一发光层至第三发光层而设置的上部电极，上部电极与辅助电极电连接。
显示装置

[发明专利]蓄电池管理系统、车辆及服务器装置-CN202280020098.X在审
发明人：长多刚;井上昇;片桐治树;塚本洋介;三上真弓;种村和幸;佐佐木宏辅 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02J7/02 文献下载
摘要：提供一种系统，其中即使长期反复进行充电及放电，也高精度获得SOC‑OCV特性及FCC等的关于蓄电池的内部状态的数据，能够进行高精度推测。提供一种包括具备能够收发数据的单元的车辆的蓄电池管理系统，其中车辆包括蓄电池、与蓄电池电连接的平衡电路以及具有控制平衡电路的功能的车辆控制单元，蓄电池包括具有多个电池单元的组电池，车辆控制单元具有选择最接近组电池所包括的电池单元的状态的推测值的功能，平衡电路具有基于选择的推测值被控制的功能。
蓄电池管理系统车辆服务器装置

[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备-CN202280019633.X在审
发明人：久保田大介;镰田太介;山下晃央;冈崎健一;楠纮慈;热海知昭 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种具有光检测功能且包括高清晰显示部的半导体装置。显示装置包括发光器件、受光器件及衬底。发光器件依次层叠有衬底上的第一电极、发光层、第一电子传输层、电子注入层及第二电极。受光器件依次层叠有衬底上的第三电极、活性层、第一空穴传输层、电子注入层及第二电极。第一电极被供应第一电位。第二电极优选被供应低于第一电位的第二电位。第三电极优选被供应高于第二电位的第三电位。
显示装置显示模块电子设备

[发明专利]显示装置的制造方法-CN202280017702.3在审
发明人：江口晋吾;鱼地秀贵 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：提供一种新颖的显示装置的制造方法。该显示装置的制造方法包括：依次形成阳极、第一EL层、第一阴极及第一层的工序；在第一层上形成第一抗蚀剂掩模的工序；选择性地去除阳极、第一EL层、第一阴极及第一层各自的一部分的工序；去除第一抗蚀剂掩模的一部分的工序；选择性地去除第一EL层、第一阴极及第一层各自的其他一部分的工序；以及去除第一抗蚀剂掩模的工序。第一抗蚀剂掩模使用多级灰度掩模形成。
显示装置制造方法

[发明专利]玻璃衬底的清洗方法、半导体装置的制造方法及玻璃衬底-CN201780056499.X有效
发明人：山崎舜平;佐藤将孝;井户尻悟;高濑奈津子 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：再利用玻璃衬底。提高半导体装置的量产性。本发明的一个方式是其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底。第一材料具有金属和金属氧化物中的一个或两个。第二材料具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。此外，本发明的一个方式是玻璃衬底的清洗方法，该清洗方法包括准备其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底的步骤及去除第二材料的至少一部分以暴露第一材料的步骤。
玻璃衬底清洗方法半导体装置制造

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201880037249.6有效
发明人：山崎舜平 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：提供一种每单位面积的存储容量大的半导体装置。本发明是一种包括存储晶体管的半导体装置，存储晶体管包括具有开口的导电体、以与开口的内侧面接触的方式设置的第一绝缘体、以与第一绝缘体的内侧接触的方式设置的第二绝缘体、以与第二绝缘体的内侧接触的方式设置的第三绝缘体、以与第三绝缘体的内侧接触的方式设置的第一氧化物、以及以与第一氧化物的内侧接触的方式设置的第二氧化物，第二氧化物的能隙比第一氧化物的能隙窄。
半导体装置制造方法

[发明专利]显示装置、显示装置的制造方法、显示模块及电子设备-CN202280014941.3在审
发明人：山崎舜平;冈崎健一;山根靖正;方堂凉太 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：提供一种高清晰度或高分辨率的显示装置。一种包括多个发光元件、受光元件、着色层及第一侧壁的显示装置。发光元件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层、第一发光层上的中间层及第一中间层上的第二发光层上的公共电极。第一像素电极、第一发光层、中间层及第二发光层在各发光元件中分开地设置。着色层以具有与发光元件重叠的区域的方式设置。受光元件包括第二像素电极、第二像素电极上的受光层及受光层上的公共电极。第一侧壁以覆盖第一像素电极的侧面的至少一部分、第一发光层的侧面的至少一部分、第一中间层的侧面的至少一部分及第二发光层的侧面的至少一部分的方式设置。此外，第二侧壁以覆盖第二像素电极的侧面的至少一部分及受光层的侧面的至少一部分的方式设置。
显示装置制造方法显示模块电子设备

[发明专利]显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法-CN202280017839.9在审
发明人：冈崎健一;中泽安孝;佐藤来 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层及第一层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一发光层覆盖第一像素电极的侧面，第二发光层覆盖第二像素电极的侧面，第一层位于第一发光层上，从截面看时，第一层的一个端部与第一发光层的端部对齐或大致对齐，第一层的另一个端部位于第一发光层上，第一绝缘层覆盖第一层的顶面以及第一发光层及第二发光层的各侧面，公共电极位于第一绝缘层上。
显示装置显示模块电子设备制造方法

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN202310376795.5在审
发明人：渡部刚吉;大泽信晴 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：提供一种设计自由度高且可靠性良好的电子器件或发光器件。该发光器件的制造方法包括：在包括第一电极的衬底上形成包含有机化合物的发光层；在光源的光谱的峰中位于最短波长的峰的波长比所述有机化合物的吸收光谱的吸收端中位于最长波长的吸收端长的照明下保持所述衬底；在所述发光层上形成牺牲层；通过光刻法至少将所述发光层加工为岛状形状；以及在所述发光层上形成第二电极。
发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202310368606.X在审
发明人：楠纮慈;川岛进;宍户英明;热海知昭;斋藤元晴 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种新颖的半导体装置。提供一种包括纵向沟道型晶体管的单极性半导体装置。通过将在纵向沟道型晶体管的栅极源极间寄生电容和栅极漏极间寄生电容中电容值大的寄生电容用于自举电容，实现占有面积小的半导体装置。通过作为纵向沟道型晶体管的半导体层使用氧化物半导体，源极与漏极间的绝缘耐压变高，可以使沟道长度变短。此外，在高温环境下也可以实现稳定工作。
半导体装置

[发明专利]二次电池充电方法-CN202280019042.2在审
发明人：种村和幸;三上真弓;长多刚;门马洋平;石谷哲二;片桐治树 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M10/44 文献下载
摘要：提供一种能量密度高的蓄电系统。提供一种安全性高的蓄电系统。提供一种能量密度高的二次电池。提供一种安全性高的二次电池。本发明的充电器具有控制二次电池充电的开始及停止的功能以及控制二次电池的充电电流的功能。二次电池包括正极，正极包含正极活性物质粒子，正极活性物质粒子是添加有镁的钴酸锂。充电器具有如下功能：通过在时间t1开始以恒流对二次电池充电的第一步骤以及在时间t2停止充电的第二步骤，控制二次电池充电。在时间t2，通过X射线粉末衍射确定的钴酸锂的晶体结构由空间群R‑3m表示。
二次电池充电方法

[发明专利]半导体装置以及电子装置-CN202280017789.4在审
发明人：黑川义元;乡户宏充;津田一树;大下智;力丸英史 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06G7/60 文献下载
摘要：提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：执行人工神经网络中的第一层次的积和运算及第二层次的积和运算的单元阵列；对单元阵列输入第一数据的第一电路；以及从单元阵列输出第二数据的第二电路。单元阵列包括多个单元。单元阵列包括第一区域以及第二区域。在第一期间，第一区域被第一电路输入第t(t为2以上的自然数)第一数据而将对应于第一层次的积和运算的第t第二数据输出到第二电路。第二区域被第一电路输入第(t‑1)第一数据而将对应于第二层次的积和运算的第(t‑1)第二数据输出到第二电路。
半导体装置以及电子

[发明专利]半导体装置-CN202310279282.2在审
发明人：黑川义元;大下智;力丸英史 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括存储层及驱动电路层。存储层层叠地设置在驱动电路层上，各存储层分别包括具有多个存储单元的存储单元阵列。存储单元利用写入字线、读出字线、写入位线及读出位线控制数据的写入或读出。驱动电路层包括驱动写入字线、读出字线、写入位线及读出位线的驱动电路部及运算电路部。驱动电路部包括用来控制每个设置在各层中的存储单元阵列的数据写入或读出的多个驱动电路。运算电路部使用通过驱动电路部读出的设置在各层中的存储单元阵列所保持的数据进行运算处理。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202310324678.4在审
发明人：保坂泰靖;神长正美;井口贵弘;三泽千惠子;佐藤亚美;土桥正佳 -专利权人： 株式会社半导体能源研究所
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种集成度高的半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括第一及第二晶体管以及第一绝缘层，第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层具有接触于第一半导体层及第一导电层的区域以及到达第一导电层的开口，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第二导电层位于第一绝缘层上，第三导电层设在第一半导体层上且具有隔着第二绝缘层重叠于开口的内壁的区域，第二半导体层接触于第四及第五导电层的彼此相对的侧端部的侧面及顶面，第六导电层隔着第三绝缘层设在第二半导体层上，第一及第二晶体管彼此电连接。
半导体装置以及制造方法

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