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[发明专利]三维存储器件-CN202110441250.9有效
发明人：陈俊;朱继锋;吕震宇;胡禺石;董金文;姚兰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：公开了三维(3D)存储器件的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底上的外围设备、设置在外围设备之上并包括多个导体/电介质层对的存储堆叠层、以及多个存储器串。每个存储器串垂直延伸穿过存储堆叠层，并且包括漏极选择栅和漏极选择栅之上的源极选择栅。在存储堆叠层的阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的导体/电介质层对的边缘朝向存储器串横向交错排列。
三维存储器件

[发明专利]用于三维存储器件的贯穿阵列触点（TAC）-CN202210166774.6在审
发明人：陶谦;胡禺石;吕震宇;肖莉红;戴晓望;周玉婷;汤召辉;郭美澜;唐志武;魏勤香;徐前兵;刘沙沙;孙坚华;王恩博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：公开了三维(3D)存储器件的互连结构和形成互连结构的方法的实施例。在示例中，3D NAND存储器件包括半导体衬底、设置于半导体衬底上的交替堆叠层、以及在衬底的隔离区域上的垂直延伸通过交替堆叠层的电介质结构。此外，交替堆叠层邻接电介质结构的侧壁表面，并且电介质结构由电介质材料形成。3D存储器件额外包括垂直延伸通过电介质结构和隔离区域的一个或多个贯穿阵列触点，以及垂直延伸通过交替堆叠层的一个或多个沟道结构。
用于三维存储器件贯穿阵列触点 tac

[发明专利]垂直存储器件-CN202110824497.9在审
发明人：沈淼;肖莉红;胡禺石;陶谦;郭美澜;张勇;孙坚华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本公开内容的各方面提供了一种半导体器件并涉及垂直存储器件。半导体器件包括栅极层和绝缘层，栅极层和绝缘层沿垂直于半导体器件的衬底的第一方向交替地堆叠在衬底上的第一区域中。栅极层和绝缘层在第二区域中以台阶形式堆叠。半导体器件包括设置在第一区域中的沟道结构。沟道结构和栅极层以串联配置形成晶体管叠层，其中栅极层是晶体管的栅极。该半导体器件包括：触点结构，设置在第二区域中，以及第一虚设沟道结构，设置在第二区域中并围绕触点结构。第一虚设沟道结构被图案化为具有与沟道结构的第二形状不同的第一形状。
垂直存储器件

[发明专利]一种导电薄膜连续性的测试结构及方法-CN202110900691.0在审
发明人： 胡禺石;孙坚华 -专利权人：无锡拍字节科技有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种导电薄膜连续性的测试结构，其包括两个测试焊盘，以及设置于两个测试焊盘之间的至少一道沟槽，沟槽表面设置有导电薄膜，导电薄膜与待测试区域中的导电薄膜采用相同的工艺及材料、同步沉积形成。
一种导电薄膜连续性测试结构方法

[发明专利]具有减少的边缘泄露的铁电存储器及其制造方法-CN202110727251.X在审
发明人： 胡禺石 -专利权人：无锡拍字节科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明揭示了铁电存储器及其制造方法的具体实施例。在一个实施例中，铁电存储单元包括第一电极、第二电极和位于第一电极和第二电极之间的铁电层。所述第一电极或第二电极中的至少一个的侧表面包括一个自所述铁电层侧表面形成的凹陷。
具有减少边缘泄露存储器及其制造方法

[发明专利]一种铁电存储器的结构及其制造方法-CN202110381617.2在审
发明人：吕震宇;胡禺石 -专利权人：无锡拍字节科技有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电存储器，包括第一电极层；设置在第一电极层上方的第一界面层，其中，第一界面层的晶粒尺寸小于第一电极层的晶粒尺寸；设置在第一界面层上方的铁电材料层；设置在铁电材料层上方的第二界面层；以及设置在第二界面层上方的第二电极层，其中，第二界面层的晶粒尺寸小于第二电极层的晶粒尺寸。
一种存储器结构及其制造方法

[发明专利]用于半导体器件的信号线结构以及布线方法-CN202110386255.6在审
发明人：郭美澜;胡禺石;马科;孙佳;龙裕 -专利权人：无锡拍字节科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体器件的信号线结构，包括一个或多个信号线组，每个信号线组包括n个信号线，其中n为大于1的整数，其中每个信号线组包括一个或多个扭转结构，所述扭转结构被构造为使得在所述扭转结构处，所述信号线组的n个信号线中的每个转移到其余n‑1个信号线之一的位置。本发明还涉及一种用于半导体器件的信号线的布线方法。通过本发明，可以最小化因相邻信号线的过大电压差造成的电路适配，进而降低错误信号或错误操作的风险。
用于半导体器件信号线结构以及布线方法

[发明专利]三维存储器件的源极结构及其制作方法-CN202010394864.1有效
发明人： 胡禺石;吕震宇;陶谦;陈俊;S·S-N·杨;S·W·杨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本文公开了三维(3D)存储器件的源极结构和用于制作3D存储器件的源极结构的方法。在一个示例中，NAND存储器件包括衬底(102)、交替导体/介电质堆叠(142)、NAND串(130)、源极导体层(144)以及源极接触件(132)。交替导体/介电质堆叠(142)包括位于衬底(102)上的多个导体/介电质对。NAND串(130)垂直延伸穿过交替导体/介电质堆叠(142)。源极导体层(144)位于交替导体/介电质堆叠(142)上并接触NAND串(130)的一端。源极接触件(132)包括与源极导体层(144)接触的一端。NAND串(130)经由源极导体层(144)而电连接于源极接触件(132)。源极导体层(144)包括一个或多个导通区，每个导通区包括金属、金属合金及金属硅化物中的一种或多种。
三维存储器件结构及其制作方法

[发明专利]三维存储器件及在其沟道孔中形成外延结构的方法-CN202010090642.0有效
发明人：杨号号;吕震宇;陈俊;胡禺石;陶谦;董金文 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和辅助区；使用针对所述核心区的第一光刻步骤在所述核心区形成沟道孔；在所述沟道孔的底部形成外延结构；以及使用针对所述辅助区的第二光刻步骤在所述辅助区中形成虚拟孔。本发明仅在核心区的沟道孔内形成外延结构，而在辅助区的虚拟孔和/或沟槽中不形成外延结构，能够解决形成外延结构带来的漏电以及可靠性风险，同时简化了工艺难度。
三维存储器件沟道形成外延结构方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202110214761.7在审
发明人：张若芳;王恩博;杨号号;徐前兵;胡禺石;张富山 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器及其制造方法。其中，三维存储器包括：栅极叠层结构，包括若干层间隔排列的栅极；穿过所述栅极叠层结构的沟道结构，所述沟道结构包括沿所述栅极的堆叠方向依次设置的下沟道柱、导电连接层、上沟道柱；所述上沟道柱包括：上沟道层，下端延伸至所述导电连接层内并与所述导电连接层接触；上存储器层，环绕部分所述上沟道层，且位于所述导电连接层的顶面之上；所述下沟道柱包括：下沟道层，上端延伸至所述导电连接层并与所述导电连接层接触；下存储器层，环绕部分所述下沟道层，且位于所述导电连接层的底面之下；其中，所述导电连接层、所述上沟道层以及所述下沟道层的材料相同。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]垂直存储器件-CN201880001986.0有效
发明人：沈淼;肖莉红;胡禺石;陶谦;郭美澜;张勇;孙坚华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本公开内容的各方面提供了一种半导体器件。半导体器件包括栅极层和绝缘层，栅极层和绝缘层沿垂直于半导体器件的衬底的第一方向交替地堆叠在衬底上的第一区域中。栅极层和绝缘层在第二区域中以台阶形式堆叠。半导体器件包括设置在第一区域中的沟道结构。沟道结构和栅极层以串联配置形成晶体管叠层，其中栅极层是晶体管的栅极。该半导体器件包括：触点结构，设置在第二区域中，以及第一虚设沟道结构，设置在第二区域中并围绕触点结构。第一虚设沟道结构被图案化为具有与沟道结构的第二形状不同的第一形状。
垂直存储器件

[发明专利]多堆叠层三维存储器件及其制造方法-CN202010428927.0有效
发明人：刘峻;霍宗亮;肖莉红;吕震宇;陶谦;胡禺石;李思晢;汤召辉;周玉婷;李兆松 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：公开了三维存储器件的方法和结构。在示例中，存储器件包括衬底和多堆叠层阶梯结构。多堆叠层阶梯结构可包括堆叠在衬底之上的多个阶梯结构。多个阶梯结构中的每一个可包括多个导体层，每个导体层位于两个绝缘层之间。存储器件还可以包括在多堆叠层阶梯结构之上的填充结构、延伸穿过多堆叠层阶梯结构的半导体沟道、以及延伸穿过多堆叠层阶梯结构和填充结构的支撑柱。半导体沟道可包括未对准的侧壁表面，并且支撑柱可包括对准的侧壁表面。
堆叠三维存储器件及其制造方法

[发明专利]存储器设备及其形成方法-CN202110103308.9在审
发明人：蒲月强;董金文;陈俊;吕震宇;陶谦;胡禺石;汤召辉;肖莉红;周玉婷;李思晢;李兆松 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：公开了三维存储器设备的方法和结构。在一个示例中，存储器设备包括具有在第一区域中的一个或多个第一凹槽以及在第二区域中的一个或多个第二凹槽的衬底。衬层设置在第一区域中的所述一个或多个第一凹槽的侧壁和底部上方，并且外延生长材料形成在第二区域中的所述一个或多个第二凹槽中。一个或多个NAND串形成在设置在所述一个或多个第二凹槽中的外延生长材料上方，以及，一个或多个垂直结构形成在第一区域中的所述一个或多个第一凹槽上方。
存储器设备及其形成方法

[发明专利]三维存储器件及其制作方法-CN201880005445.5有效
发明人：吕震宇;黄郁茹;陶谦;胡禺石;陈俊;戴晓望;朱继锋;李勇娜;宋立东 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：公开一种形成三维存储器件的方法。该方法包括：在基底上形成交替绝缘体堆叠层；形成穿过交替绝缘体堆叠层的多个沟道孔；在每个沟道孔中形成沟道结构；在每个沟道孔中的沟道结构上形成沟道柱结构；修整每个沟道柱结构的上部部分，以形成沟道插塞；以及在相邻的沟道插塞之间形成顶部选择栅极隔离。
三维存储器件及其制作方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN201810765577.X有效
发明人：张若芳;王恩博;杨号号;徐前兵;胡禺石;张富山 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器及其制造方法。其中，三维存储器包括：栅极叠层结构，包括若干层间隔排列的栅极；穿过所述栅极叠层结构的沟道结构，所述沟道结构包括沿所述栅极的堆叠方向依次设置的下沟道柱、导电连接层、上沟道柱；所述上沟道柱包括：沟道层，下端延伸至所述导电连接层内并与所述导电连接层接触；存储器层，环绕部分所述沟道层，且位于所述导电连接层的顶面之上。
三维存储器及其制造方法

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