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[发明专利]钝化接触结构、太阳能电池制造方法及太阳能电池-CN202310764096.8在审
发明人：叶继春;刘尊珂;曾俞衡;廖明墩;周鸿凯;杜浩江;张贤;刘伟;杨阵海 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种钝化接触结构、太阳能电池制造方法及太阳能电池，其中，所述钝化接触结构的制造方法包括：在衬底上形成隧穿层；在所述隧穿层上形成掺杂多晶硅层；在预定区域的所述掺杂多晶硅层表面形成掩模层，所述掩模层包括氧化硅层；去除所述预定区域之外的所述掺杂多晶硅层。
钝化接触结构太阳能电池制造方法

[发明专利]超薄含氧氮硅薄膜的制备方法及其在钝化接触电池中的应用-CN202010200415.9有效
发明人：叶继春;曾俞衡;闫宝杰;郑晶茗;廖明墩;黄丹丹 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了超薄含氧氮硅薄膜的制备方法，方法是1)将硅片表面清洗干净；2)在PECVD中，通入NH3或N2或其他含氮源但是不含氧源的气氛，并打开等离子体，解离通入的气氛，并使硅片表面氮化；通过调节温度、等离子体功率、压力、气体流量等参数调节表面氮的浓度和含氮层的深度；3)将表面已氮化的硅片进行氧化处理，从而形成氧氮硅层材料；4)接着，对表面氧氮硅层再进行一次PECVD表面氮化处理，形成氮氧氮硅层，氮氧氮硅层的厚度在5nm以下；5)在表面制备p型硅薄膜层。采用本发明的方法可使氮元素尽量富集于表面位置和近硅片界面位置，从而使氮氧氮硅界面材料层用于p型隧穿氧化硅钝化接触结构，可以减少硼对界面的破坏，提升钝化效果；该材料用于n型同样有效，可以减少磷对界面层的破坏。
超薄含氧氮硅薄膜制备方法及其钝化接触电池中的应用

[发明专利]p型多晶硅薄膜制备方法及其在钝化接触太阳电池中的应用-CN202010200814.5有效
发明人： 廖明墩;叶继春;曾俞衡;闫宝杰;智雨燕;黄丹丹;卢琳娜;郑晶茗 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了p型多晶硅薄膜制备方法，主要是在硅片上依次制备氧化硅层‑非晶硅或多晶硅层‑金属铝层，形成多叠层结构薄膜，然后对根据工艺需要进行400‑1100℃高温退火，使铝在硅薄膜层中形成激活的杂质。本发明首先利用金属铝作为插入层，将其沉积于硼掺杂非晶硅或本征多晶硅表面，然后利用退火处理使铝在沉积层中扩散，特别是当形成多层叠层结构时，铝处于非晶硅或多晶硅夹层中，能够使扩散更加均匀，形成较好的掺杂，提供空穴，可以显著增加薄膜的载流子浓度，减低薄膜方阻，降低钝化介质/多晶硅与硅片之间的接触电阻率；此外，部分铝还可以扩散进入硅片，从而增强硅衬底的电阻率。由于铝的激活温度低、扩散速率高，可以减低处理温度和处理时间，显著降低工艺时间，节省成本。
多晶薄膜制备方法及其钝化接触太阳电池中的应用

[发明专利]防导通结构、晶片舟和半导体工艺设备-CN202310404375.3在审
发明人：黄如伟;曾俞衡;廖明墩;张新鹏;叶继春;夏庆锋;林娜 -专利权人：中科研和（宁波）科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种防导通结构、晶片舟和半导体工艺设备，所述防导通结构包括：绝缘块，具有供连接杆穿过的通孔，所述绝缘块的侧面具有至少一个第一定位部；至少两个隔离件，各个所述隔离件均具有与所述第一定位部相适配的第二定位部，以使得所述隔离件能够可拆卸地固定到所述绝缘块上，当所述隔离件固定到所述绝缘块上时，各个所述隔离件之间相互拼合形成与所述绝缘块相适应的容置空间以围绕所述绝缘块设置，各个所述隔离件上形成有多个翅片，相邻两个所述翅片之间形成有凹槽。
防导通结构晶片半导体工艺设备

[发明专利]一种TOPCon电池金属浆料的烧结方法及烧结装置-CN202310514127.4在审
发明人：叶继春;曾俞衡;廖明墩;黄如伟;夏庆锋;林娜 -专利权人：中科研和（宁波）科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种TOPCon电池金属浆料的烧结方法及烧结装置，烧结方法为将印刷了银浆料的TOPCon电池片放入烧结装置，由输送装置传输移动，依次通过第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，TOPCon电池片从第一温区进入第二温区时下表面的温度为100～250℃，从第二温区进入第三温区时下表面的温度为200～450℃，从第三温区进入第四温区时下表面的温度为400～650℃，从第四温区进入第五温区时下表面的温度为600～850℃，在第五温区内下降至降温温度，降温温度为260～340℃，降温过程中降温速率大于50℃/s。本发明对TOPCon电池生产过程中的烧结工艺进行优化，对烧结过程中的温度进行分段控制，从而避免了银颗粒的过度生长，提高电池性能，实现多晶硅薄膜厚度更小的TOPCon电池的制备。
一种 topcon 电池金属浆料烧结方法装置

[发明专利]防导通结构及制造方法、晶片舟和半导体工艺设备-CN202310405557.2在审
发明人：曾俞衡;廖明墩;黄如伟;张新鹏;叶继春;夏庆锋;林娜 -专利权人：中科研和（宁波）科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种防导通结构及制造方法、晶片舟和半导体工艺设备，所述防导通结构包括：隔离件主体，具有供连接杆穿过的通孔，所述隔离件主体上形成有至少一个凹槽，所述隔离件主体由易加工材料制成；第一绝缘层，设置在所述隔离件主体的外表面上，所述第一绝缘层具有第一厚度和第一致密度；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层的外表面上，所述第一绝缘层具有第二厚度和第二致密度；其中所述第一厚度小于所述第二厚度，所述第一致密度大于所述第二致密度。
防导通结构制造方法晶片半导体工艺设备

[发明专利]一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法-CN202310279151.4在审
发明人：杜浩江;叶继春;曾俞衡;杨阵海;廖明墩;刘伟;行孟超;王太强 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法，TOPCon电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上依次设第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的材质为n型或p型多晶硅薄膜，所述第二多晶硅层的材质为掺杂的改性n型或p型多晶硅薄膜。本发明将第一多晶硅层和第二多晶硅层的双层多晶硅结构作为TOPCon电池的载流子传输层，可以提升多晶硅结构的表面润湿性，且电学与钝化性能良好，从而能提高电镀或化学镀种子层的质量，获得更高的电池效率。
一种 topcon 电池及其背面金属化处理方法

[发明专利]界面复合结构及其制备方法和应用的两端叠层太阳电池-CN202111576837.7在审
发明人：叶继春;曾俞衡;丁泽韬;刘伟;杨熹;闫宝杰;廖明墩;孙靖淞 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种界面复合结构及其制备方法和应用的两端叠层太阳电池，其中的界面复合结构包括有富硼硅层，所述富硼硅层通过在硅片或硅片多层结构上进行硼掺杂形成，所述富硼硅层的硼掺杂浓度为1×1020–5×1021cm‑3，硼的原子比例为0.2–10at.％。本发明中提供的一种界面复合结构，其采用富硼硅层替代现有技术中的TCO界面复合层，富硼硅层具有与TCO层媲美的高亲水性、高电导率和高缺陷密度，保证了顶电池与底电池的紧密结合、载流子的快速复合。
界面复合结构及其制备方法应用两端太阳电池

[发明专利]一种叠层固态掺杂源结构及p型TOPCon太阳能电池的制备方法-CN202310059062.9在审
发明人：曾俞衡;叶继春;杜浩江;刘伟;廖明墩;杨阵海 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层固态掺杂源结构及p型TOPCon太阳能电池的制备方法，叠层固态掺杂源结构包括层叠设在的磷掺杂源非晶硅层、正面介质层、晶硅衬底、背面介质层和硼掺杂源非晶硅层。本发明利用介质层和磷掺杂源非晶硅层的叠层结构作为磷扩散源，其电学与钝化性能良好，同时可以调控扩散温度使之与背面p‑TOPCon结构退火温度相匹配，从而实现一步退火的制备工艺。
一种固态掺杂结构 topcon 太阳能电池制备方法

[发明专利]一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜及其制备方法和应用-CN202110428229.5有效
发明人：曾俞衡;刘尊珂;叶继春;廖明墩;闫宝杰;刘伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，包括位于衬底背面的隧穿层、位于隧穿层背面的掺杂多晶硅层、位于掺杂多晶硅层背面的烧结电极，还包括位于掺杂多晶硅层和烧结电极之间的第一硅氧纳米晶层。本发明提供一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，增加掺杂的硅氧纳米晶层作为电极金属扩散的势垒层，防止金属浆料烧结时烧穿多晶硅层与晶体硅直接接触，阻挡电极金属向衬底扩散；本发明还提供了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜的制备方法和应用，其将制备隧穿层与掺杂多晶硅层中的退火晶化过程与制备烧结电极中的高温烧结过程合二为一，降低成本；将含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜应用于太阳能电池，提高电池效率。
一种含硅氧纳米多晶薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种叠层固态掺杂源结构及太阳能电池制备方法-CN202310013883.9在审
发明人：杜浩江;叶继春;曾俞衡;刘伟;廖明墩;杨阵海 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层固态掺杂源结构及太阳能电池制备方法，叠层固态掺杂源结构包括层叠设在的正面掺杂源非晶硅层、正面介质层、晶硅衬底、背面介质层和背面掺杂源非晶硅层。本发明以一种创新的材料体系作为正面源，即利用介质层和掺杂源非晶硅层的叠层结构作为扩散源，可以调节发射极扩散所需的退火温度，尤其是降低硼扩散温度，还可以避免层错缺陷的产生，提升钝化效果；背面采用介质层和微量氮(或碳、氧)掺杂的非晶硅层作为TOPCon结构，可以调节制备温度，相应提高n型TOPCon退火温度，与正面扩散温度相匹配；由此实现通过一步高温退火同时制备发射极和TOPCon结构，减少了太阳能电池的生产步骤。
一种固态掺杂结构太阳能电池制备方法

[发明专利]隧穿氧化层钝化结构及其制作方法与应用-CN202110740139.X有效
发明人：叶继春;刘伟;闫宝杰;卢琳娜;曾俞衡;廖明墩;郑晶茗;刘尊珂 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿氧化层钝化结构及其制作方法与应用。所述隧穿氧化层钝化结构包括：设置在第一导电类型的硅基底上的氧化物层，所述氧化物层包括超薄氧化铝层；以及，设置在所述氧化物层上的掺杂层，所述掺杂层是第一导电类型或第二导电类型的。本发明提供的TOPCon结构可以应用于制备TOPCon电池正面的发射极，并提高发射极的制备速度，以及还可以应用为TOPCon电池背面的钝化结构，且有效提升电池的耐高温性能，扩大烧结工艺窗口，易于生产线工艺调试，具有广阔应用前景。
氧化钝化结构及其制作方法应用

[发明专利]一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法-CN202211481267.8在审
发明人：叶继春;杜浩江;盛江;王太强;廖明墩;曾俞衡;刘伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法，硅异质结光伏电池包括准异质结电池片、第一镍种子层、第二镍种子层、第一铜栅线层和第二铜栅线层，准异质结电池片的透明导电氧化物层经过化学溶液处理。本发明利用化学试剂对硅异质结电池表面TCO进行预处理以调节其润湿性及功函数，随后连续电镀Ni种子层及Cu层，并化学镀Sn层，最后退火处理完成电池制备，该金属化方法具有成本低，粘附力好，栅线均匀性好，接触电阻率低等优点，并且工艺简单，适用于大规模工业生产。
一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法

[发明专利]钝化接触结构及其制备方法、太阳电池-CN202111081371.3在审
发明人：闫宝杰;王玉明;陈晖;程海良;曾俞衡;孙烨;李旺鹏;廖明墩;叶继春;张文博 -专利权人：苏州拓升智能装备有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池，其中所述钝化接触结构包括：第一多晶层，所述第一多晶层包括多晶硅或多晶硅化物；第二多晶层，形成在所述第一多晶层上，所述第二多晶层为掺杂多晶硅层；其中，所述第一多晶层的成膜质量优于所述第二多晶层并且所述第一多晶层的厚度小于所述第二多晶层。
钝化接触结构及其制备方法太阳电池

[发明专利]一种隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法和太阳电池-CN202210951267.3在审
发明人：曾俞衡;叶继春;丁泽韬;闫宝杰;刘伟;廖明墩 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法和太阳电池，隧穿氧化物钝化接触结构包括硅片基底，所述硅片基底上设有隧穿层，所述隧穿层为氧化镓薄膜，所述氧化镓薄膜上设有多晶硅薄膜。本发明以氧化镓薄膜作为钝化结构的隧穿层，氧化镓对硅片表面具有很强钝化能力，有助于提高开路电压，且禁带宽度较小，有利于空穴隧穿、电流传导，从而降低接触电阻率。
一种氧化物钝化接触结构及其制备方法太阳电池

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