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[发明专利]基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法-CN202310951204.2在审
发明人：苏杰;肖正懋;陈子龙;常晶晶;林珍华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法，主要解决现有探测器材料带隙不够宽、暗电流较大导致器件性能不佳的问题。结构从下至上包括Al2O3衬底以及依次生长沉积的W底电极、AlBN光吸收层、SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层，在光吸收层上的Ni顶电极，且Ni顶电极与SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层之间被Ti/Au接触垫隔开；AlBN光吸收层和顶电极与底电极形成欧姆接触。本发明利用AlBN材料的宽带隙、强极化特性以及铁电特性的优势，通过调控铁电极化方向和外加偏压实现对探测器性能的调节；在深紫外光照下能够有效地分离和传输光生电子和空穴，且制备方法简单可行，具备广阔的应用前景。
基于 albn 材料深紫探测器制备方法

[发明专利]基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法-CN202311201390.4在审
发明人：张泽雨林;张春福;刘丁赫;陈大正;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法，包括：衬底；p型氧化物异质外延层，位于衬底上；氧化镓外延层，位于p型氧化物异质外延层上；p型氧化物异质外延层与氧化镓外延层共同组成复合栅结构；阴极金属，位于氧化镓外延层上；阳极金属，位于p型氧化物异质外延层上，且至少部分环绕氧化镓外延层；通过阴极金属和阳极金属向复合栅结构施加偏置电压；其中，p型氧化物异质外延层、阳极金属、氧化镓外延层和阴极金属共同组成异质pn结准垂直器件。本发明能够扩大氧化镓外延薄膜器件的应用范围。
基于蓝宝石衬底外延垂直器件及其制备方法

[发明专利]一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法-CN202310843058.1在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;于恒懿;游淑珍;于龙洋;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P‑GaN晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，以及源极、漏极、氮化物层和钝化层、至少一个位于势垒层上方的肖特基岛以及位于氮化物层上的栅极；其中，源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；氮化物层位于源极和漏极之间，钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层和漏极之间；肖特基岛位于氮化物层的一侧或两侧，且肖特基岛与所述势垒层形成肖特基接触；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决常规HEMT器件在较低工作电压下容易发生烧毁的问题，提高了P型氮化物栅HEMT器件的单粒子烧毁电压。
一种具有肖特基岛结构粒子 gan 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种半透明反式全无机钙钛矿太阳电池制备方法-CN202311161864.7在审
发明人：张春福;柴文明;朱卫东;习鹤;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半透明反式全无机钙钛矿太阳电池制备方法，涉及钙钛矿光伏技术领域，包括：提供一基底；以不同的旋涂速度，将CsPbI3钙钛矿前躯体溶液旋涂在基底上，形成CsPbI3钙钛矿中间相薄膜；将异丙醇钛和异丙醇的混合溶液涂敷在CsPbI3钙钛矿中间相薄膜上，形成层叠的CsPbI3钙钛矿中间相和异丙醇钛复合前驱体薄膜；对CsPbI3钙钛矿中间相和异丙醇钛复合前驱体薄膜进行退火处理，形成黑相CsPbI3钙钛矿薄膜和无定形的电子传输层；在电子传输层上沉积电极，得到半透明反式全无机钙钛矿太阳电池。本发明制备的钙钛矿太阳电池能够在高湿的空气环境中稳定工作。
一种半透明反式无机钙钛矿太阳电池制备方法

[发明专利]基于倒置两步法的CsPbBr3-CN202310881589.X在审
发明人：陈大正;王子昊;张春福;朱卫东;周龙;习鹤;何逸冰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于倒置两步法的CsPbBr3太阳电池制备方法，实现步骤为：在透明导电衬底上沉积电子传输层和CsBr；生成CsPbBr3吸光层；生成空穴传输层；生成氧化钼缓冲层；获取制备结果。本发明首先在透明导电衬底上沉积n型半导体氧化物作为电子传输层，并在形成的电子传输层上沉积CsBr薄膜，然后在CsBr薄膜上沉积PbBr2薄膜，经过退火结晶，形成CsPbBr3钙钛矿层，这种倒置两步法由于CsBr层的密度与CsPbBr3层的密度相近，在沉积的过程中所形成的两个薄膜体积变化较小，能够降低晶格畸变并使CsBr和PbBr2反应更充分，能够降低载流子的复合，进而有效提高了CsPbBr3太阳电池的光电转换效率。
基于倒置步法 cspbbr base sub

[发明专利]一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法-CN202310843353.7在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;张怡忱;游淑珍;于龙洋;张苇杭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有埋层结构的抗单粒子P‑GaN晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、氮化物层、钝化层，至少一个位于缓冲层内的掺杂埋层和位于氮化物层上的栅极；源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；氮化物层位于源极和漏极之间，钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层和漏极之间；掺杂埋层的顶面不高于缓冲层的顶面，掺杂埋层的底面不低于缓冲层的底面；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决传统的P型氮化物栅HEMT器件电场集中的问题，并可以更快地吸收单粒子入射后产生的电子和空穴，从而提高器件的击穿电压和烧毁电压。
一种具有结构粒子 gan 晶体管及其制备方法

[发明专利]基于超疏水薄膜的柔性摩擦纳米发电机及其制备方法-CN202310648898.2在审
发明人：常晶晶;马馨童;林珍华;焦勇;郭兴;胡赵胜;苏杰;魏葳;赵雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明公开了基于超疏水薄膜的柔性摩擦纳米发电机，包括正摩擦层和负摩擦层，正负摩擦层选用柔性薄膜作为电极基础材料，正负摩擦极均以柔性材料为基底，正摩擦层和负摩擦层之间存在间隔距离，两摩擦层边缘电性连接，相对连接处两摩擦层能够接触产生正负静电荷，电子在两电极层间流动形成交流电。本发明正负摩擦层选用柔性薄膜作为电极基础材料，获得高介电常数的同时保证聚合物基质的柔韧及拉伸性，有效提高TENG的输出电功率，输出更好的电性能。
基于疏水薄膜柔性摩擦纳米发电机及其制备方法

[发明专利]应用于太赫兹频段的GaN肖特基二极管及其制备方法-CN202310712538.4在审
发明人： 张进成;宋秀峰;赵胜雷;党魁;张雅超;姚一昕;霍树栋;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于太赫兹频段的GaN肖特基二极管，包括：衬底；缓冲层，叠加在衬底之上；n+GaN层，叠加在缓冲层之上；空气槽，通过刻蚀缓冲层和n+GaN层形成；渐变n‑GaN漂移层，叠加在空气槽的第一侧的n+GaN层上；渐变n‑GaN漂移层的掺杂浓度由下至上逐渐降低；阳极电极，制备在渐变n‑GaN漂移层上；阴极电极，制备在空气槽的第一侧的n+GaN层上，且与渐变n‑GaN漂移层和阳极电极隔开；金属桥接结构，一端搭接在阳极电极上，另一端搭接在空气槽的第二侧的n+GaN层上，以在GaN肖特基二极管中形成空气桥。该GaN肖特基二极管可用于太赫兹频段。
应用于赫兹频段 gan 肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种大面积图形自对准的异质集成方法-CN202010143372.5有效
发明人：张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积图形自对准的异质集成方法，主要解决现有基于转印技术的异质集成工艺会使被转印物之间的位置产生偏差的问题。其实现方案是：在SOI基片上形成微结构硅阵列；刻蚀掉微结构硅阵列以外暴露的埋氧化层；在微结构硅图形边缘制作光刻胶定位锚；完全刻蚀掉SOI基片的埋氧化层；将转印媒介与SOI基片先耦合再进行剥离，以在转印媒介上获取SOI基片上的微结构硅阵列；转印媒介将微结构硅阵列释放至接收基片上；在获取微结构硅的接收基片上刻蚀出自对准的微结构硅图形，完成无偏差的自对准异质集成。本发明优化了转印异质集成的工艺，增强了转印技术的可靠性，从而提高器件的良率与性能，可用于异质集成芯片的制作。
一种大面积图形对准集成方法

[发明专利]一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法-CN202310840388.5在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;于龙洋;王中旭;宋秀峰;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种基于P型氮化物隔离的P‑GaN晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、位于势垒层上的源极和漏极、位于势垒层上的隔离层、氮化物层以及钝化层以及位于氮化物层上的栅极；源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触，钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层与漏极之间；隔离层与沟道层形成pn结，用于耗尽沟道层中的二维电子气，形成器件之间的隔离；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例提供一种新型器件隔离方法，取消了常规P‑GaN器件的台面刻蚀工艺，不仅减小了刻蚀损伤，还降低了成本；同时还能够降低泄漏电流，提高器件的击穿电压。
一种基于氮化物隔离 gan 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种P型DSOI FinFET器件和抗单粒子效应反相器-CN202311155038.1在审
发明人：张春福;郭云峰;陈大正;朱卫东;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型DSOI FinFET器件和抗单粒子效应反相器，该P型DSOI FinFET器件包括衬底层，设置于衬底层上的第二埋氧层，设置于第二埋氧层上的绝缘体上硅，设置于绝缘体上硅上的第一埋氧层，设置于第一埋氧层上表面的两端的源极和漏极，设置于第一埋氧层的上表面且位于源极和漏极之间的栅极，分别垂直且间隔设置于第一埋氧层上的数条鳍，且数条鳍贯穿源极、栅极和漏极，设置于鳍和栅极之间的栅氧化层，本发明的P型DSOI FinFET器件可以有效控制第一埋氧层的内部电场，具有较好抗单粒子效应的能力。
一种 dsoi finfet 器件粒子效应反相器

[发明专利]一种空投系统自解锁连接装置-CN202311089101.6在审
发明人：王显会;秦伟伟;孙晓旺;彭兵;张进成;李高伟;李明星;皮大伟;王洪亮;王尔烈 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B64D1/02 文献下载
摘要：本发明属于航空运输空投装备领域，具体涉及一种空投系统自解锁连接装置。包括连接头和连接座；连接座包括锁止触发销、载荷解锁销和自解锁销；连接头包括斜角卡槽和锁止突触凹槽；连接头插入连接座时顶起锁止触发销，释放载荷解锁销并压缩自解锁销，连接头的斜角卡槽和锁止突触凹槽形成锁止连接关系；当重力载荷向下拉拽连接头时，压缩载荷解锁销并使其处于解锁释放状态；当重力载荷无作用时自解锁销解锁，连接装置断开连接。本发明能够解决空投系统与伞绳之间连接装置拆装效率低下的问题，并保证降落阶段的可靠连接。
一种空投系统解锁连接装置

[发明专利]Si衬底AlN模板的制备方法及Si衬底GaN外延结构的制备方法-CN202010361191.X有效
发明人：刘志宏;刘俊伟;张进成;郝璐;宋昆璐;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si衬底AlN模板的制备方法及Si衬底GaN外延结构的制备方法，该Si衬底AlN模板的制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底上生长AlN成核层；通过所述AlN成核层向所述Si衬底注入离子。本发明在Si衬底上制备AlN成核层之后，便通过AlN成核层向Si衬底进行离子注入和向AlN成核层注入离子，这种方式所注入的离子种类可以得到扩展，还可以降低Si/AlN界面处载流子的浓度和AlN成核层里的载流子浓度，从而降低Si衬底AlN模板的射频损耗，提高使用此Si衬底AlN模板制作的GaN微波器件的特性，以满足GaN微波器件在航空航天、雷达、移动通信等领域的应用需求。另外，使用所述Si衬底AlN模板制备GaN器件外延结构，其设计具有更多自由度。
si 衬底 aln 模板制备方法 gan 外延结构

[发明专利]一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构-CN202010339245.2有效
发明人：刘志宏;郝璐;张进成;赵胜雷;周弘;张雅超;张苇杭;段小玲;陈大正;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，包括：硅衬底层；高热导率介质层，位于所述硅衬底层的上表面；缓冲层，位于所述高热导率介质层的上表面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；复合势垒层，位于所述沟道层的上表面，以构成散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。本发明提供的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，由于采用高热导率介质层来实现硅衬底层与缓冲层之间的键合，既保持了高键合强度、高机械强度、高稳定性，又减小了器件的热阻，从而提高了硅基氮化镓微波器件的散热性能。
一种散热增强氮化微波器件材料结构

[实用新型]一种基于氧处理的高性能p-GaN栅增强型晶体管-CN202320135793.2有效
发明人：李祥东;王萌;袁嘉惠;王峻博;杨伟涛;游淑珍;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氧处理的高性能p‑GaN栅增强型晶体管，包括：衬底、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN帽层、氧离子注入区、栅极、隔离区、源极以及漏极，其中，衬底、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层自下而上依次设置；p‑GaN帽层位于AlGaN势垒层的上表面中心位置；氧离子注入区位于AlGaN势垒层的内部，并且，氧离子注入区位于p‑GaN帽层的正下方；栅极位于p‑GaN帽层的上方；隔离区位于GaN高阻层的上方，源极和漏极位于GaN沟道层的上方，分别位于AlGaN势垒层5两侧。本实用新型提供的晶体管能够充分耗尽栅极区域下GaN沟道层和AlGaN势垒层之间产生的二维电子气，同时削弱晶体管栅极区域势垒层的极化效应，进而提高晶体管阈值电压和导通电流。
一种基于处理性能 gan 增强晶体管

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