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[发明专利]晶体管的应变引发方案-CN201410330460.0有效
发明人：郭紫微;宋学昌;李昆穆;李启弘;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：掺杂的硅锗(SiGe)区设置在源极/漏极凹槽内并且具有与沟道的掺杂类型相反的掺杂类型。未掺杂的SiGe区也设置在源极/漏极凹槽内。未掺杂的SiGe区位于掺杂的SiGe区之下并且在源极/漏极凹槽内的不同位置处包括不同的锗浓度。
源极/漏极掺杂类型栅极结构掺杂的未掺杂晶体管衬底半导体晶体管器件沟道区位置处沟道硅锗侧面

[发明专利]一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法-CN202111643491.8有效
发明人：樊堃;祁春超;仇筱乐;刘艳丽 -专利权人：杭州海康微影传感科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、电极线、介质层及第一连通孔，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底为第一导电类型材料；第一掺杂区位于衬底中并自衬底的第一表面外露；第一掺杂区为第二导电类型材料；第二掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露；第二掺杂区为第二导电类型材料；介质层设于衬底的第二表面；电极线部分穿设于介质层，另一部分设于介质层背离衬底的一侧，电极线包括与第二掺杂区电连接的第一电极线；第一连通孔内设有连接第一掺杂区和第一电极线的第一电连接柱；第三掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露。
一种光电二极管探测器及其制造方法

[发明专利]快恢复二极管及其制作方法-CN202210768539.6在审
发明人：祁金伟;张耀辉;卢烁今 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：该快恢复二极管结构包括：衬底，衬底中具有漂移区，漂移区具有相对的第一侧和第二侧；第一类型掺杂区，第一类型掺杂区位于漂移区中，且第一类型掺杂区沿第一侧指向第二侧的方向延伸，第一类型掺杂区与漂移区的掺杂类型相反；第二类型掺杂区，第二类型掺杂区位于漂移区的第一侧，且第二类型掺杂区的掺杂浓度沿远离漂移区的方向递减，第二类型掺杂区与漂移区的掺杂类型相同；缓冲区，缓冲区位于第二侧，缓冲区与漂移区的掺杂类型相同。通过使第一类型掺杂悬浮于上述漂移区中，能够在更薄的漂移区厚度下实现同等耐压，且第二类型掺杂区的掺杂浓度沿远离所述漂移区的方向递减，提高了器件的反向恢复能力。
恢复二极管及其制作方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法-CN200710096017.1无效
发明人：李治华;李健维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体元件，包含第一导电型式的半导体基底、第二导电型式的第一井区、隔离结构设置于该半导体基底的表面，以及第一导电型式的重度掺杂的深掺杂区，设置于该第一井区的下半部与该半导体基底的交界处，其中部分该深掺杂区位于该第一井区的下半部之内，而部分该深掺杂区位于该半导体基底之中。
横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法

[发明专利]光感测器及其制造方法-CN200510095806.4有效
发明人：杨敦年;伍寿国;钱河清;曾建贤;林政贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-08-16 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明是提供一种光感测器及其制造方法，所述光感测器具有与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该光感测器包括一第一导电型的基板、至少一位于该基板内的沟渠、至少一该第一导电型的掺杂区以及至少一第二导电型的掺杂区，每一第一导电型的掺杂区位于一对应的沟渠下，每一第二导电型的掺杂区位于对应的第一导电型掺杂区与基板之间，第一导电型或第二导电型的掺杂区皆未延伸到沟渠的角落。本发明提供的夹止式感光二极管结构是与一沟渠绝缘结构整合，该夹止式感光二极管结构的位置可避开高缺陷密度的沟渠角落，而改善暗电流特性，因此，短波长的响应可通过使用此夹止式感光二极管结构而加以改善。
光感测器及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910577014.2有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，衬底内形成有阱区，阱区内具有第一类型离子；在鳍部中形成反型掺杂区和阈值电压调节区，阈值电压调节区位于鳍部的顶部一侧，反型掺杂区位于阈值电压调节区下方，阈值电压调节区内具有第一类型离子，反型掺杂区内具有第二类型离子；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构露出反型掺杂区和阈值电压调节区。通过使阈值电压调节区形成在鳍部的顶部一侧，从而降低鳍部顶部位置的电流密度，通过反型掺杂区，使得器件沟道远离鳍部的表面，从而改善闪烁噪音的问题，并使得器件的开启电压满足性能需求；综上，通过反型掺杂区和阈值电压调节区
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN201410535204.5有效
发明人：潘光燃;石金成;文燕;王焜;高振杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底、位于所述衬底表层的第二导电类型的第一掺杂区、位于所述第一掺杂区中的第一导电类型的若干个第二掺杂区、以及位于所述衬底表层的第一导电类型的第三掺杂区；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；所述第三掺杂区位于所述器件的低压端，所述第一掺杂区从所述第三掺杂区靠近所述高压端的一侧起延伸至所述高压端，所述第二掺杂区位于所述器件的高压端。通过本发明提供的半导体器件，无需通过降低第一掺杂区的掺杂浓度提高器件反向特性，在提高器件耐压特性的基础上，保证器件的导通电阻不会变大。
半导体器件

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201110087535.3有效
发明人：杨怡箴;张耀文;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该半导体元件，包括具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的第二掺杂区、栅极以及介电层。第一掺杂区位于基底中，且第一掺杂区中具有沟渠。第二掺杂区位于沟渠底部，第一掺杂区被分隔，形成分离的两个源极或漏极掺杂区，源极掺杂区与漏极掺杂区之间为通道区。栅极位于沟渠之中。介电层覆盖沟渠的侧壁与底部表面，分隔栅极与基底。藉此本发明的半导体元件可以避免短通道效应的产生而且可以降低源极以及漏极掺杂区的阻值。同时本发明还提供了一种半导体元件的制造方法。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]变容二极管、集成电路及形成变容二极管的方法-CN201911006358.4有效
发明人：苏亮宇;姚智文;段孝勤;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：漂移区位于衬底内且具有第一掺杂类型。栅极结构上覆漂移区。接触区位于衬底内且上覆漂移区。此外，接触区具有第一掺杂类型。栅极结构横向夹在接触区之间。降低表面场区位于衬底中，在漂移区下方且具有第二掺杂类型。第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。降低表面场区有助于耗尽栅极结构下方的漂移区，这降低变容二极管的最小电容且增大变容二极管的调谐范围。
变容二极管集成电路形成方法

[发明专利]动态随机存取存储单元及其制造方法-CN200410055610.8有效
发明人：王廷熏 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：而垂直式晶体管包括第一掺杂区、第二掺杂区、栅极以与门绝缘层。而第一掺杂区位于半导体柱体的侧壁中且与电容器相连接，且第二掺杂区位在半导体柱体上部中。栅极则配置在第一掺杂区与第二掺杂区之间的半导体柱体侧壁上，而栅绝缘层配置在侧壁与栅极之间。
动态随机存取存储单元及其制造方法

[发明专利]环形半导体控制整流器组件-CN01110376.0无效
发明人：俞大立 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-09 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：而环形单元体包括：一第二型阱区、一第一型掺杂区、一第二型接触区、以及一第二型掺杂区。第二型阱区是位于第一型半导体基底内，而第一型掺杂区则位于第二型阱区内。第二型接触区位于第二型阱区内，环绕第一型掺杂区。第二型掺杂区位于第一型半导体基底内，环绕第二型阱区。
环形半导体控制整流器组件

[发明专利]一种SiC MOSFET及其制作工艺方法-CN202310836119.1有效
发明人：罗寅;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其可降低寄生体二极管的续流损耗，同时可确保SiC MOSFET正常导通及其反向耐压特性，SiC MOSFET包括自下而上依次分布的漏极金属层、衬底、漂移层、栅极绝缘层、栅极、分布于栅极两侧的源极金属层、P+Ge掺杂区、阱区、源区，P+Ge掺杂区、阱区、源区位于漂移层内，阱区位于漂移层的两侧顶部区域，P+Ge掺杂区纵向贯穿阱区后与漂移层接触，并将阱区分割为两个区域：条形区、L型区，源区位于L型区的直角内侧，P+Ge掺杂区的外侧端与条形区的内侧端接触，P+Ge掺杂区的内侧端与源区外侧端、L型区的底部侧端接触，源极金属层位于源区、P+Ge掺杂区顶端，P+Ge掺杂区与漂移层形成异质结。
一种 sic mosfet 及其制作工艺方法

[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN202210074161.X在审
发明人：魏进;崔家玮;杨俊杰 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，包括第一导电类型掺杂衬底、第一导电类型掺杂漂移层和功能层，功能层包括两个区域，分别为第一区和第二区，第一区包括第二导电类型掺杂屏蔽区、第二导电类型掺杂沟道区和第一导电类型掺杂表面区，第二导电类型掺杂屏蔽区与第二导电类型掺杂沟道区交叠，第二导电类型掺杂屏蔽区位于第二导电类型掺杂沟道区靠近第一导电类型掺杂衬底的一侧，即第二导电类型掺杂屏蔽区位于第二导电类型掺杂沟道区下侧，能够降低金属氧化物半导体场效应晶体管
一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]具有电流路径方向控制功能的半导体结构-CN201810990282.2有效
发明人：江启文 -专利权人：江启文
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电流路径方向控制功能的半导体结构，包含有基板及其上具有磊晶层，其具有第一导电型，第一掺杂区位于基板上及磊晶层一侧，第一掺杂区具有第一或第二导电型，第二掺杂区包覆在磊晶层中，第二掺杂区具有第二导电型，第三掺杂区位于磊晶层且位于第一、第二掺杂区间，藉由磊晶层分隔第一、第二、第三掺杂区，第三掺杂区具有第二导电型，第四掺杂区包覆于第三掺杂区中，第四掺杂区具有第一导电型，第五掺杂区包覆于第一掺杂区中，第五掺杂区与第一掺杂区相反型态，当基板接收电流可选择性自磊晶层、第一、第二、第三、第四、第五掺杂区传输并控制电流流向。
具有电流路径方向控制功能半导体结构

[发明专利]双极接面晶体管装置-CN201010226299.4有效
发明人：林正基;许维勋;杜硕伦;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：深井区位于基底中。第一井区位于深井区中以作为基极区。第二井区位于深井区中以作为集极区。第二井区与第一井区之间形成一第一接面。第一掺杂区位于第一井区中以作为射极区。第一掺杂区与第一井区之间形成第二接面。第一掺杂区包括往第一方向延伸的第一部分，及往与第一方向不同的第二方向延伸的第二部分。第一部分与第二部分互相耦接。
双极接面晶体管装置