专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种SiC/SiC复合材料分体结构的连接方法-CN202310215832.4在审
  • 邱海鹏;陈明伟;刘时剑;张冰玉;罗文东;谢巍杰;张琪悦;陈义 - 中国航空制造技术研究院
  • 2023-03-08 - 2023-06-23 - C04B37/00
  • 本发明涉及复合材料制备技术领域,具体涉及一种SiC/SiC复合材料分体结构的连接方法。该连接方法包括步骤:分别制备SiC/SiC复合材料分体结构A、SiC/SiC复合材料分体结构B;在SiC/SiC复合材料分体结构A与SiC/SiC复合材料分体结构B的连接接触面的均匀涂覆胶黏剂并进行固化处理,制备得SiC/SiC复合材料结构预组合体;将销钉置于SiC/SiC复合材料结构预组合体的销钉孔中,并通过化学气相沉积工艺,在SiC/SiC复合材料结构预组合体的销钉孔与销钉之间的缝隙中制备过渡层,以及在SiC/SiC复合材料结构预组合体的其他表面制备热防护涂层,获得SiC/SiC复合材料结构该SiC/SiC复合材料分体结构的连接方法的目的是解决现有SiC/SiC复合材料连接方式强度不足或者热膨胀系数不匹配的问题
  • 一种sic复合材料分体结构连接方法
  • [发明专利]CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法-CN201210129286.4有效
  • 李国栋;梁武;熊翔;张红波;吴敏 - 中南大学
  • 2012-04-28 - 2012-09-12 - C04B41/52
  • 本发明公开了一种CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法,主要用于石墨、C/C复合材料及易氧化陶瓷基材料(如C/C-陶瓷复合材料、C/陶复合材料、碳化物陶瓷等)的长时间抗氧化保护。涂层由SiC涂层、SiO2涂层及SiC与SiO2共沉积涂层组成。涂层由一种梯度构成,或由多个梯度构成多层复合梯度涂层,即由内至外涂层依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2涂层,或依次SiC/SiC-SiO2/SiC~SiO2/SiC-SiO2/SiO2涂层,或依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2/SiO2-SiC/SiC/SiC-SiO2/SiO2…SiC/SiC-SiO2/SiO2,或为SiC/SiC-SiO2/SiO2-SiC/SiC-SiO2/…/SiO2-SiC/SiC-SiO2/SiO2,或为SiC/SiC-SiO2/SiC~SiO2/SiO2-SiC/SiC~SiO2/…/SiC~SiO2/SiC-SiO2/SiO2,或仅为SiC~SiO2共沉积涂层
  • cvdsicsiosub梯度氧化复合涂层及其制备方法
  • [发明专利]包含SiC纤维的管状体及其制造方法-CN201911021631.0有效
  • 河原史朋 - 艾德麦普株式会社
  • 2019-10-25 - 2023-09-19 - G21C3/06
  • 本发明提供包含SiC纤维并具有高导热率的管状体及其制造方法。提供形成为管状并由SiC材料制成的第一SiC层、沿第一SiC层的外周在一个方向上形成螺旋的第一凹槽、由沿第一凹槽缠绕的多根SiC纤维制成的第一SiC纤维层、由在不同于所述一个方向的方向上缠绕在所述第一SiC纤维层的外侧的多根SiC纤维制成的第二SiC纤维层,和由SiC材料制成并覆盖第一SiC层、第一SiC纤维层和第二SiC纤维层的第二SiC层。第一SiC纤维层和第二SiC纤维层在第一SiC纤维层和第二SiC纤维层的相交处彼此间隔开。
  • 包含sic纤维管状及其制造方法
  • [发明专利]SiCf-CN202111220765.2在审
  • 张佳平;刘雪松;陈婧;郑伟;秦福乐 - 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司
  • 2021-10-20 - 2022-04-12 - C04B35/80
  • 本发明属于材料制备领域,具体涉及一种SiCf/SiC复合材料的SiC纳米线增韧PyC/SiC复合界面及其制备方法。本发明的技术方案如下:SiCf/SiC复合材料的SiC纳米线增韧PyC/SiC复合界面,通过化学气相渗透工艺在SiC纤维预制体表面依次沉积PyC界面层、SiC纳米线和SiC界面层,形成陶瓷纤维与基体间的复合界面。本发明提供的SiCf/SiC复合材料的SiC纳米线增韧PyC/SiC复合界面及其制备方法,能够提升陶瓷复材的韧性及抗氧化性能且同时改善界面脆性。
  • sicbasesub
  • [发明专利]SiC复合基板及其制造方法-CN201680054539.2有效
  • 久保田芳宏;秋山昌次;长泽弘幸 - 信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
  • 2016-09-08 - 2022-09-16 - H01L21/20
  • 本发明提供SiC复合基板,是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10,上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11,上述单晶SiC层12具有平滑的表面,同时在与多晶SiC基板11的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面,上述多晶SiC基板11中的多晶SiC的结晶的最密面(晶格面11p)以单晶SiC层12的表面的法线方向为基准无规地取向。根据本发明,在多晶SiC基板与单晶SiC层之间不伴有夹层,不会在单晶SiC层中产生结晶结构的缺陷等,使多晶SiC基板与单晶SiC层的附着力提高。
  • sic复合及其制造方法
  • [发明专利]一种基体改性的SiC/SiC复合材料及其制备方法-CN202210501121.9有效
  • 余煜玺;魏永金;吕璇 - 厦门大学
  • 2022-05-09 - 2023-04-28 - C04B35/577
  • 一种基体改性的SiC/SiC复合材料及其制备方法,涉及碳化硅陶瓷基复合材料的制备。包括以下步骤:S1:制备改性NITE‑SiC浆料预制板:将纳米SiC粉体、改性颗粒、聚碳硅烷与有机溶剂混合成浆料后干燥制成浆料预制板;S2:交替堆叠:将SiC纤维布与浆料预制板交替、叠层,加压固定获得SiC/SiC胚体;S3:热压烧结:将胚体在惰性气体气氛下高温下加压烧结,获得基体改性的SiC/SiC复合材料。可降低NITE制备SiC/SiC复合材料的难度,在制备NITE‑SiC浆料时引入改性颗粒,提高SiC/SiC复合材料的性能,扩宽SiC/SiC复合材料的应用领域。
  • 一种基体改性sic复合材料及其制备方法
  • [发明专利]一种高致密化SiCf/SiC包壳复合管材的制备方法-CN202011352192.4在审
  • 李鸣;付道贵;何宗倍;张瑞谦;何琨;洪晓峰;邱绍宇 - 中国核动力研究设计院
  • 2020-11-26 - 2021-02-19 - C04B35/80
  • 本发明公开了一种高致密化SiCf/SiC包壳复合管材的制备方法,包括以下步骤:S1:制备低密度SiCf/SiC预制体:以编织或缠绕成SiC纤维管,然后通过CVI工艺在纤维表面进行PyC界面层沉积及短时间SiC基体沉积,获得低密度SiCf/SiC预制体;S2:制备SiCf/SiC坯体:将纳米SiC烧结粉体和有机添加剂分散在有机分散剂中制成NITE‑SiC浆料,通过浸渗使NITE‑SiC浆料扩散进低密度SiCf/SiC预制体的孔隙之中,干燥后获得SiCf/SiC坯体;S3:热处理:将SiCf/SiC坯体在惰性气体气氛保护下进行脱胶热处理;S4:热等静压烧结:将热处理后的坯体在惰性气体气氛下通过该制备方法不仅能够获得致密度高的SiCf/SiC包壳复合材料,且解决了SiCf/SiC管件成型难的问题。
  • 一种致密sicfsic复合管材制备方法
  • [实用新型]复合SiC外延片以及半导体器件-CN202220387555.6有效
  • 杨冰;袁俊 - 湖北九峰山实验室
  • 2022-02-24 - 2022-06-17 - H01L29/16
  • 本申请公开了一种复合SiC外延片以及半导体器件,所述复合SiC外延片包括:基于预设半导体衬底形成的第一SiC层,所述第一SiC层为多晶SiC外延层;键合在所述第一SiC外延层表面上的第二SiC层,所述第二SiC层为单晶SiC薄片。本申请技术方案提供了一种复合式SiC外延片,在多晶SiC外延层上键合单晶SiC薄片,通过对高质量单晶SiC薄片的有效利用,达到降低材料成本,提高产出质量,提升供应安全性的目的。
  • 复合sic外延以及半导体器件
  • [发明专利]一种原位生长SiC纳米线改性SiCf-CN202110725180.X有效
  • 陈招科;熊翔;吴宗绪;王浩然 - 中南大学
  • 2021-06-29 - 2022-04-19 - C04B35/80
  • 本发明公开了一种原位生长SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法和应用,所述制备方法为将含金属镀层的石墨片与碳纤维预制体在不接触的情况下共同置于化学气相沉积炉,通过化学气相沉积于碳纤维预制体的孔隙及表面原位生长SiC纳米线,获得带SiC纳米线的SiC纤维预制体,再通过化学气相沉积获得SiC基体,即得SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料,本发明通过间接引入金属催化剂,金属催化剂呈气相扩散到SiC纤维预制体的表面以及内部孔隙,催化剂分布更加均匀,催化生长的SiC纳米线密度适中。得到的含SiC纳米线SiCf/SiC复合材料,最大压溃载荷可达1175.0N,与现有技术中的SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料相比,本发明所得管状SiCf/SiC复合材料压溃性能大幅提升。
  • 一种原位生长sic纳米改性basesub

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