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[发明专利]横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN201410224706.6在审
发明人：林正基;苏醒;朱建文;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管,包括衬底、第一阱区、漏极区、第二阱区以及源极区。衬底具有第一导电型杂质，具有第二导电型杂质的第一阱区，位于部分衬底中。漏极区位于第一阱区中。具有第一导电型杂质的第二阱区，位于部分衬底中。源极区位于第二阱区中，源极区包括轻掺杂源极区以及重掺杂源极区，都由衬底的上表面向下延伸，轻掺杂源极区的深度大于重掺杂源极区。
横向双重扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法-CN201110170369.3有效
发明人：林镇元;林正基;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。
高压电阻半导体装置制造方法

[发明专利]双极接面晶体管装置-CN201010226299.4有效
发明人：林正基;许维勋;杜硕伦;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供一种双极接面晶体管装置，其包括基极区、射极区与集极区。双极接面晶体管装置包括基底。深井区位于基底中。第一井区位于深井区中以作为基极区。第二井区位于深井区中以作为集极区。第二井区与第一井区之间形成一第一接面。第一掺杂区位于第一井区中以作为射极区。第一掺杂区与第一井区之间形成第二接面。第一掺杂区包括往第一方向延伸的第一部分，及往与第一方向不同的第二方向延伸的第二部分。第一部分与第二部分互相耦接。
双极接面晶体管装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN200910253133.9有效
发明人：林正基;连士进;吴锡垣;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包含第一杂质类型的基板、于基板中的不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第一阱区域、于基板中的第一杂质类型的第二阱区域、于基板上延伸于第一与第二阱区域上方的图案化的第一介电层、于图案化的第一介电层上的图案化的第一栅极构造、于图案化的第一栅极构造上的图案化的第二介电层以及于图案化的第二介电层上的图案化的第二栅极构造。图案化的第一栅极构造可包含朝第一方向延伸的第一区段以及朝垂直于第一区段的第二方向延伸的第二区段，其中第一与第二区段彼此相交成相交图案。图案化的第二栅极构造可包含朝第一方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第一区段及朝第二方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第二区段的至少一者。
半导体存储器装置

[发明专利]具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法-CN200810172929.7有效
发明人：林正基;连士进;叶清本;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电容器的该栅极区域。该晶体管具有至少一掺杂区域定义该源极及漏极区域，以及其它三个掺杂区域覆盖该源极及漏极区域。本发明也揭露具有多重此类非易失存储装置的一非易失存储电路，以及制造具有一者以上此类非易失存储装置的该非易失集成电路的方法。
具有晶体管电容栅极非易失存储单元及其制造方法

[发明专利]具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法-CN200810185497.3有效
发明人：林正基;连士进;叶清本;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电容器的该栅极区域。该晶体管具有至少一掺杂区域定义该源极及漏极区域，以及其它三个掺杂区域覆盖该源极及漏极区域。本发明亦揭露具有多重此类非易失存储装置的一非易失存储电路，以及制造具有一者以上此类非易失存储装置的该非易失集成电路的方法。
具有晶体管电容栅极非易失存储单元及其制造方法

[发明专利]低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件及其制造方法-CN200710110648.4有效
发明人：黄学义;朱建文;林正基;连士进;叶清本;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件。包括具有第一导电型的第一阱区、具有第二导电型的第二阱区、具有第一导电型漏极区、具有第一导电型源极区、场氧化层、栅介电层、栅极导电层以及具有第一导电型的掺杂区。第一阱区与第二阱区并邻位于基底中。漏极区位于第一阱区中。源极区位于第二阱区中。场氧化层，位于源极区与漏极区之间的第一阱区上。栅极导电层，位于源极区与漏极区之间的第二阱区上且覆盖部分场氧化层。栅介电层，位于栅极导电层与基底之间。掺杂区，位于部分栅极导电层与场氧化层下方的该第一阱区中且与该漏极区连接，其中，栅介电层下方的掺杂区与源极区之间的第二阱区定义出一沟道区。
开启电阻横向扩散半导体元件及其制造方法

[发明专利]晶体管结构及其制造方法-CN200610142189.3有效
发明人：林正基;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管结构，包括一基板、一第一阱区、一源极区及一反熔丝结构。第一阱区具有第一掺杂物并位于基板内。源极区位于第一阱区中，包括一轻掺杂源极区以及一重掺杂源极区，重掺杂源极区位于轻掺杂源极区内。重掺杂源极区的边缘与轻掺杂源极区的边缘基本上保持一距离。反熔丝结构设置于源极区上。
晶体管结构及其制造方法

[发明专利]横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN200510126971.1无效
发明人：林正基;苏醒;朱建文;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管，包括衬底、第一阱区、漏极区、第二阱区以及源极区。衬底具有第一导电型杂质，具有第二导电型杂质的第一阱区，位于部分衬底中。漏极区位于第一阱区中。具有第一导电型杂质的第二阱区，位于部分衬底中。源极区位于第二阱区中，源极区包括轻掺杂源极区以及重掺杂源极区，都由衬底的上表面向下延伸，轻掺杂源极区的深度大于重掺杂源极区。
横向双重扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体元件的结构-CN200310124284.7有效
发明人：沈有仁;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-12-29 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种半导体元件的结构，其利用特殊的通孔图形，将金属间介电层(ILD)分隔为多个独立块，以使因引线键合所造成的裂痕受到限制，而降低裂痕产生的机率。且应用单一层本发明的通孔图形，特别是当此通孔越靠近上层引线键合的位置，即可有效地减少焊垫裂痕的产生。若是利用两层本发明的通孔图形，则可完全避免焊垫裂痕的产生。
半导体元件结构

[发明专利]预防自对准金属硅化物桥接的半导体结构及其方法-CN03101298.1有效
发明人：张财福;朱世麟;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-01-27 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种预防自对准金属硅化物桥接的半导体结构及其方法，该半导体结构包含一内存阵列结构，该内存阵列结构包含多条平行的字符线；多条平行的位线，其中该每条字符线与该每条位线垂直；以及一第一虚拟字符线，设置于该内存阵列的周边区域，其中该第一虚拟字符线平行于该多条字符线，并与至少两不相邻的位线重叠；本发明的半导体结构采用本发明的方法制造的可防止自对准金属硅化物桥接现象的发生而导致的内存集成电路无效。
预防对准金属硅化物桥接半导体结构及其方法

[发明专利]形成自对准金属硅化物的方法-CN02146882.6无效
发明人：张财福;朱世麟;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-10-18 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体装置上形成自对准金属硅化物的方法，包含下列步骤：提供一基底；在基底上形成第一介电层；在第一介电层上沉积一复晶硅层以形成至少一复晶硅栅极结构；在复晶硅栅极结构与基底上沉积一顺应性介电层；沉积第二介电层于该顺应性介电层上；去除一部分第二介电层以露出栅极结构的顶部表面；沉积一金属层于露出的栅极结构表面以及第二介电层上；将该基底进行退火以在栅极结构上形成金属硅化物层；以及去除至少一部份该金属层。通过在基底上沉积适当厚度的第二介电层，然后再进行沉积金属层，由于其它的主动区均预先被第二介电层覆盖，因此所沉积的金属层不会与任何扩散区接触，因此避免了自对准金属硅化物的桥接问题。
形成对准金属硅方法

[发明专利]半导体存储元件的制造方法-CN02108135.2有效
发明人：张财福;朱世鳞;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-03-27 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器(幕罩式只读存储器)的制造方法，包括下列步骤：形成一垫氧化物层与一底部抗反射层于一半导体基底上；于底部抗反射层上形成一光阻层；在光阻层上定义图案并形成多个开口对应于位线延伸方向；以所述光阻图案为幕罩，植入砷离子于半导体基底中；以所述光阻图案为幕罩，植入硼离子于所述半导体基底中，且硼离子的植入深度大于砷离子；去除所述光阻、底部抗反射层与垫氧化物层；以热氧化方式同时于所述半导体基底上形成一栅氧化层与一场氧化层；以及，沉积一栅极导电层于所述半导体基底上。
半导体存储元件制造方法

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