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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910935309.2在审
发明人：陈德艳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供基底；在基底内形成相邻接的阱区和漂移区，漂移区中具有第一型离子，阱区中具有第二型离子，第一型离子和第二型离子的导电类型不同；在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构；在栅极结构一侧的漂移区内形成漏区和掺杂区，掺杂区位于漂移区的顶端，且掺杂区位于漏区和栅极结构之间，掺杂区内具有第二型离子。本发明实施例，所述阱区与所述漂移区构成横向PN结，掺杂区与漂移区构成的纵向PN结，横向PN结和纵向PN结的相互作用使得漂移区达到临界雪崩击穿电场前全耗尽，因此有利于提高半导体结构的击穿电压。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]静电防护装置-CN201310295650.9在审
发明人：郑朝华;陈伟斯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种静电防护装置，其包含：一基底具有一第一导电型态，一掺杂阱具有一第二导电型态并且设置于基底中，一第一掺杂区具有第一导电型态并且设置于掺杂阱中，一第二掺杂区具有第一导电型态并且设置基底中，其中部分第二掺杂区位在掺杂阱中，剩余部分的第二掺杂区不接触掺杂阱，一正面端点电性连结第一掺杂区以及一反面端点位于基底的一反面。
静电防护装置

[发明专利]一种雪崩探测器及制备方法-CN202110481115.7有效
发明人：刘曼文;李志华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩探测器，包括：衬底层、倍增区、第一电极区、第二电极区及隔离结构；所述倍增区、所述第一电极区及所述第二电极区均形成在所述衬底层中；所述倍增区和所述第一电极区位于所述衬底层的中部，且所述倍增区位于所述第一电极区的下方，且厚度为2‑3微米；所述第二电极区为环状结构，且环绕所述倍增区和所述第一电极区；所述隔离结构位于所述第一电极区和所述第二电极区之间；所述第一电极区的掺杂类型与所述第二电极区的掺杂类型不同，且所述第一电极区的掺杂浓度大于所述第二电极区的掺杂浓度
一种雪崩探测器制备方法

[发明专利]有机二极管及其制备方法-CN201210361343.1有效
发明人：黄如;白文亮;蔡一茂;唐昱;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述有机二极管包括透明柔性衬底、透明正电极、透明负电极、掺杂的柔性透明p区和掺杂的柔性透明n区，其中，所述透明负电极位于所述透明柔性衬底之上，所述掺杂的柔性透明n区位于所述透明负电极之上，所述掺杂的柔性透明p区位于所述掺杂的柔性透明n区之上，所述透明正电极位于所述掺杂的柔性透明p区之上。
有机二极管及其制备方法

[发明专利]一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法-CN201810447829.4有效
发明人：王兵;周郁明 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：包括第二导电类型掺杂的源区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的源区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的源区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。
一种提高 uis 雪崩 mosfet 及其制备方法

[发明专利]一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法-CN201810447589.8有效
发明人：周郁明;王兵 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：包括第二导电类型掺杂的发射区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的发射区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的发射区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。
一种提高短路鲁棒性 igbt 及其制备方法

[发明专利]密封环结构，半导体管芯和侦测半导体管芯上裂缝的方法-CN201811268547.4有效
发明人：潘建尉;傅景鸿;范国龙 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：其中，该密封环结构包括：密封环，位于半导体衬底上，该密封环包括：第一互连元件，形成于浅沟槽隔离区和第一组的P型掺杂区上，其中该浅沟槽隔离区和该第一组的P型掺杂区位于该半导体衬底上；以及多个第二互连元件，形成于该第一互连元件的下方并且位于第二组的P型掺杂区上，其中该第二组的P型掺杂区位于该半导体衬底上，其中，该第二互连元件与该第一互连元件电性隔离，并且该第一组的P型掺杂区和该第二组的P型掺杂区通过该浅沟槽隔离区分开
密封结构半导体管芯侦测裂缝方法

[发明专利]晶体管器件及其制备方法-CN202310194990.6有效
发明人：王文智;张国伟;周文鑫 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：衬底具有阱区，阱区内设有沟槽及分别位于沟槽两侧的第一掺杂区和第二掺杂区。栅氧层随形覆盖沟槽的槽壁，栅极覆盖栅氧层并填充沟槽。第一电极区位于第一掺杂区内部且与栅氧层之间具有第一间隔；第二电极区位于第二掺杂区内部且与栅氧层之间具有第二间隔。栅极的顶面与第一掺杂区及第二掺杂区的顶面位于同一平面。
晶体管器件及其制备方法

[发明专利]高压功率集成电路隔离结构-CN200610098373.2无效
发明人：易扬波;徐申;李海松;孙伟锋;夏晓娟;李杰;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2块场氧化层之间，在N型外延内设有2个P型隔离阱，该2个P型隔离阱分别位于2块场氧化层的下方，并且该2个P型隔离阱将N型外延分隔成3块，上述重掺杂N型区位于2个P型隔离阱之间，在2个P型隔离阱的上端分别设有重掺杂P型区，上述重掺杂N型区及重掺杂P型区与零电位相连接。
高压功率集成电路隔离结构

[实用新型]高压功率集成电路隔离结构-CN200620165096.8无效
发明人：易扬波;徐申;李海松;孙伟锋;夏晓娟;李杰;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2块场氧化层之间，在N型外延内设有2个P型隔离阱，该2个P型隔离阱分别位于2块场氧化层的下方，并且该2个P型隔离阱将N型外延分隔成3块，上述重掺杂N型区位于2个P型隔离阱之间，在2个P型隔离阱的上端分别设有重掺杂P型区，上述重掺杂N型区及重掺杂P型区与零电位相连接。
高压功率集成电路隔离结构

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210160864.4在审
发明人：章纬;杜青松 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，其中，所述半导体器件至少包括：半导体衬底和位于所述半导体衬底表面的存储单元；所述半导体衬底包括阱区、隔离结构、第一掺杂区和第二掺杂区；所述隔离结构、所述第一掺杂区和第二掺杂区位于所述阱区内，且所述隔离结构至少位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间；所述存储单元位于所述第二掺杂区的顶表面并与所述第二掺杂区电连接。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]非挥发性内存的结构-CN01130920.2有效
发明人：范左鸿;卢道政;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-08-24 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：其中，堆栈栅结构位于基底上，源/漏极区位于堆栈栅结构两侧的基底中，且基底内有一垂直阶梯信道掺杂轮廓。此垂直阶梯信道掺杂轮廓分为基底表面下的第一掺杂区，以及位于第一掺杂区下且紧临第一掺杂区的第二掺杂区，其中第二掺杂区的浓度高于第一掺杂区。
挥发性内存结构

[发明专利]制作PN结隔离结构的方法及PN结隔离结构-CN201410016417.7在审
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明揭示了一种制作PN结隔离结构的方法，该方法包括以下步骤：在P型衬底上形成凸起部；在凸起部的表面上注入P型离子，形成第一P型掺杂区；在P型衬底上生长N型外延层；在N型外延层表面注入P型离子，形成在厚度方向上与第一P型掺杂区位置对应的第二P型掺杂区；使用高温退火进行驱入，使得N型外延层表面的第二P型掺杂区与凸起部表面的第一P型掺杂区对接，从而形成PN结隔离结构。
制作 pn 隔离结构方法

[发明专利]一种静电保护用LEMDS_SCR器件-CN201710991134.8在审
发明人：张立国;孟庆晓;傅博 -专利权人：深圳震有科技股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。本发明通过在P+掺杂区与N+掺杂区下掺杂嵌入的P+注入区，使得N+区域／P+注入区率先发生雪崩击穿，产生的大量非平衡载流子再进一步去触发N漂移区／P+衬底的反向PN结，从而使得寄生SCR加速开启，将瞬态的过冲电压钳位在一个安全的值
一种静电保护 lemds_scr 器件

[发明专利]半导体结构-CN201910043368.9有效
发明人：林庭佑;涂祈吏;许书维 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包含：半导体基底、埋置层、一对第一阱、第二阱、体掺杂区、以及第一重掺杂区。此半导体基底具有第一导电类型。此埋置层位于此半导体基底上且具第二导电类型。此体掺杂区位于此第二阱中，其具有此第一导电类型。此第一重掺杂区位于此体掺杂区中，其具有第一导电类型。在上视图中，此第一重掺杂区以及此对第一阱沿着第一方向延伸，并且此第一重掺杂区延伸超出此对第一阱的二个相反边缘。本发明可改善晶体管的导通均匀性、改善阱之间的漏电流、以及降低电阻与主动区面积。
半导体结构

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