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[发明专利]包括背面电源过孔的半导体器件及其形成方法-CN202310077425.1在审
发明人：郑柏贤;吴振诚;李资良;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及包括背面电源过孔的半导体器件及其形成方法。公开了形成过孔的方法和包括所述过孔的半导体器件，所述过孔用于将源极/漏极区耦合到半导体器件中的背面互连结构。在一个实施例中，半导体器件包括：导电特征，所述导电特征与栅极结构相邻；电介质层，所述电介质层在所述导电特征和所述栅极结构上；金属过孔，所述金属过孔嵌入在所述电介质层中；以及衬垫层，所述衬垫层在所述金属过孔和所述电介质层之间并且与所述金属过孔和所述电介质层接触，其中，所述衬垫层是氮化硼。
包括背面电源半导体器件及其形成方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN202310322526.0在审
发明人：周沛瑜;黄玉莲;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，互连结构包括设置于介电材料中的第一导电特征、设置于介电材料上第一蚀刻终止层、设置于第一蚀刻终止层上的第一介电层、及延伸穿过第一介电层和第一蚀刻终止层并电性连接第一导电特征的第二导电特征。第一蚀刻终止层包括硼基层及富氧含硼层，其中硼基层接触富氧含硼层。
互连结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310395054.1在审
发明人：王伟任;王仁宏;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括第一导电特征；在第一导电特征上方的第一介电层；延伸穿过第一介电层的第二导电特征；在第一介电层与第二导电特征之间的气隙；以及在第二导电特征及第一介电层上方的蚀刻停止层。蚀刻停止层覆盖气隙，且气隙在蚀刻停止层的最底部表面上方延伸。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN202310081531.7在审
发明人：谢博全;郑柏贤;何彩蓉;施伯铮;李志鸿;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包含形成源极/漏极区在基材上；形成第一层间介电质在源极/漏极区上；形成栅极结构在基材上，且侧向地相邻于源极/漏极区；以及形成栅极遮罩在栅极结构上，且形成栅极遮罩包含：蚀刻部分栅极结构，以形成相对于第一层间介电质的顶表面的凹陷；沉积第一介电层在凹陷的栅极结构上与第一层间介电质上；蚀刻部分的第一介电层；沉积半导体层在凹陷的第一介电层上；且平坦化半导体层，以共平面第一层间介电质。在另一实例，方法还包含形成栅极间隙壁在基材上，蚀刻部分栅极结构还包含蚀刻部分的栅极间隙壁。
半导体装置与其形成方法

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN202210942510.5在审
发明人：何彩蓉;施伯铮;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文公开了互连结构及其制造方法。示例性方法包括：在第一层间电介质(ILD)层中形成第一互连开口，该第一互连开口暴露下面的导电特征(例如，源极/漏极、栅极、接触件、过孔或导线)。该方法包括在第一互连开口中形成第一金属接触件之前，对由第一ILD层形成的第一互连开口的侧壁进行氮化。该氮化将第一ILD层的一部分转化为含氮壳。第一金属接触件可以包括金属插塞和金属插塞与第一ILD层的含氮壳之间的电介质间隔件。该方法可以包括在第二ILD层中形成暴露第一金属接触件的第二互连开口以及在第二互连开口中形成第二金属接触件。
互连结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其形成的方法-CN202310074037.8在审
发明人：周沛瑜;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成的方法，尤其提供一种包含蚀刻停止层的半导体元件以及一种形成方法。半导体元件可以包含源极/漏极区域和栅极结构，其中第一蚀刻停止层在到源极/漏极区域的导电插塞上方，且第二蚀刻停止层在栅极结构上方。第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层可以具有不同的厚度。介电层可以形成于第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层上方，且可以穿过介电层以及第一和第二蚀刻停止层而形成接触。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]半导体器件的电介质层及其形成方法-CN202210916209.7在审
发明人：黄玉莲;李资良;李志鸿;张祺澔;张澔宇;周沛瑜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的电介质层及其形成方法。公开了形成改进的电介质层的方法和由其形成的半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：晶体管结构，位于半导体衬底上；第一电介质层，位于晶体管结构上；第二电介质层，位于第一电介质层上，第二电介质层具有的第二氮浓度大于第一电介质层的第一氮浓度；第一导电结构，延伸穿过第二电介质层和第一电介质层，第一导电结构电耦合到晶体管结构的第一源极/漏极区域，第一导电结构的顶表面与第二电介质层的顶表面齐平；以及第二导电结构，物理和电耦合到第一导电结构，第二导电结构的底表面在第二电介质层的顶表面下方第一距离处。
半导体器件电介质及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310033032.0在审
发明人：林裕凯;施伯铮;李志鸿;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本文提供了半导体器件和制造半导体器件的方法，其中，在导电接触件上方选择性地沉积蚀刻停止层。在蚀刻停止层上方形成介电层，并且形成穿过介电层和蚀刻停止层的开口以暴露导电接触件。然后沉积导电材料以填充开口。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN202310107600.7在审
发明人：郑柏贤;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种形成导电部件的改善方法及由所述方法形成的半导体装置。提供用于形成具有不同表面轮廓的凸块下冶金(UBM)结构的方法及由所述方法形成的半导体装置。一种方法包括：在集成电路装置上方形成第一介电层；在第一介电层之中形成第一导电部件；在第一导电部件上方选择性地沉积聚合物层；相邻聚合物层在第一介电层上方选择性地沉积蚀刻停止层；去除聚合物层以形成第一开口；以及在第一开口之中形成第二导电部件，第二导电部件电性耦合至第一导电部件。
形成半导体装置方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202211461286.4在审
发明人：陈维中;陈哲明;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底；衬底上方的互连结构；互连结构上方的蚀刻停止层；蚀刻停止层上方的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。MIM电容器包括：沿蚀刻停止层延伸的底部电极，其中底部电极具有分层结构，该分层结构包括第一传导层、第二传导层以及位于第一传导层和第二传导层之间的第三传导层，其中第一传导层和第二传导层包括第一材料，第三传导层包括不同于第一材料的第二材料；底部电极上方的第一介电层；第一介电层上方的中间电极，中间电极具有分层结构；中间电极上方的第二介电层；以及第二介电层上方的顶部电极。本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210813700.7在审
发明人：王伟任;王仁宏;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：公开了一种形成导电部件的改进方法和由该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括形成延伸穿过第一介电层的金属线，金属线电耦合到晶体管；在金属线上选择性地沉积牺牲材料；在第一介电层上方并邻近牺牲材料选择性地沉积第一介电材料；在第一介电材料上方选择性地沉积第二介电材料；去除牺牲材料以形成暴露金属线的第一凹槽；以及形成位于第一凹槽中并且电耦合到金属线的金属通孔。本发明的实施例还提供了半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成封装件的方法-CN202210811598.7在审
发明人：宋述仁;李志鸿;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括将第一晶圆接合至第二晶圆，在第一晶圆上执行修整工艺，以及沉积与第一晶圆的侧壁接触的侧壁保护层。沉积侧壁保护层包括沉积与第一晶圆的侧壁接触的高密度材料。侧壁保护层具有高于氧化硅的密度。方法还包括去除与第一晶圆重叠的侧壁保护层的水平部分，以及在第一晶圆上方形成互连结构。互连结构电连接至第一晶圆中的集成电路器件。
形成封装方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210844354.9在审
发明人：陈维中;陈哲明;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的方法包括：在衬底上方形成互连结构；在互连结构上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上形成第一多层结构，包括：在蚀刻停止层上形成第一导电层；利用等离子体工艺处理第一导电层的上层；在处理过的第一导电层上方形成第二导电层。方法还包括：图案化第一多层结构以形成第一电极；在第一电极上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第二多层结构，第二多层结构具有与第一多层结构相同的层结构；以及图案化第二多层结构以形成第二电极。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202210416717.9在审
发明人：谢博全;何彩蓉;施伯铮;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包括在半导体区域上方形成伪栅极堆叠件，在伪栅极堆叠件的相对侧上形成栅极间隔件，在伪栅极堆叠件的一侧上形成源极/漏极区域，在源极/漏极上方形成层间电介质，用替换栅极堆叠件替换伪栅极堆叠件，使替换栅极堆叠件凹陷以在栅极间隔件之间形成凹槽，沉积延伸到凹槽中的衬垫，沉积位于衬垫上方并延伸到凹陷中的掩模层，形成覆盖部分掩模层的蚀刻掩模，并蚀刻层间电介质以形成源极/漏极接触开口。源极/漏极区域位于源极/漏极接触开口下方并暴露于源极/漏极接触开口。在源极/漏极接触开口中形成源极/漏极接触插塞。栅极接触插塞在栅极间隔件之间延伸并电连接至替换栅极堆叠件。本申请的实施例提供了集成电路结构及其形成方法。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210720022.X在审
发明人：宋述仁;涂官瑶;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法包括在第一晶圆上形成第一接合层，以及形成延伸至第一接合层中的第一导热通道。第一导热通道的第一导热率值高于第一接合层的第二导热率值。该方法还包括在第二晶圆上形成第二接合层，以及形成延伸至第二接合层中的第二导热通道。第二导热通道的第三导热率值高于第二接合层的第四导热率值。将第一晶圆接合至第二晶圆，并且第一导热通道至少物理接触第二导热通道。在第一晶圆上方形成互连结构。互连结构电连接至第一晶圆中的集成电路器件。本发明的实施例还涉及半导体结构。
半导体结构及其形成方法

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