专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]重叠标记-CN202210402887.1在审
  • 李光中 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - H01L23/544
  • 一种重叠标记包括:第一图案与第二图案。第一图案包括:多个第一条状与多个第一点状。多个第一条状沿着第一方向延伸且沿着第二方向平行排列。多个第一点状分别配置在多个第一条状之间。第二图案包括:多个第二条状与多个第二点状。多个第二条状沿着第二方向延伸且沿着第一方向平行排列。多个第二点状,分别配置在多个第二条状之间。
  • 重叠标记
  • [发明专利]保险丝区块单元、保险丝区块系统,以及存储器装置-CN202210514265.8在审
  • 凃宗逸 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-05-12 - 2023-10-27 - G11C5/14
  • 本发明公开了一种保险丝区块单元、保险丝区块系统,以及存储器装置。该保险丝区块单元,包括一分享式触发器。分享式触发器包括第一切换器、第二切换器、第三切换器、第四切换器、第一锁存器,以及第二锁存器。第一切换器可根据一第一载入电位来选择性地将一第一激光锁存器耦接至一第一节点。第二切换器可根据一第二载入电位来选择性地将一第二激光锁存器耦接至第一节点。第三切换器可根据一反相移转电位来选择性地将一输入节点耦接至第一节点。第一锁存器是耦接于第一节点和一第二节点之间。第四切换器可根据一移转电位来选择性地将第二节点耦接至一第三节点。第二锁存器是耦接于第三节点和一输出节点之间。
  • 保险丝区块单元系统以及存储器装置
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210393515.7在审
  • 邱永汉;李书铭 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - H01L29/06
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中半导体结构包含半导体衬底的主动区、设置于主动区之上的栅极电极层、围绕主动区和栅极电极层的隔离结构、以及栅极介电层。栅极介电层包含插入栅极电极层的底面与主动区的顶面之间的第一部分、以及插入隔离结构与主动区的侧壁之间的第二部分。通过凹蚀隔离结构的衬层,减缓主动区与隔离结构交会处的应力集中。如此,栅极介电层在主动区的边缘处与主动区的中央处可保持一致的厚度。因此,改善了半导体装置的可靠性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]电阻式随机存取存储结构及其制造方法-CN201910874165.4有效
  • 李彦德;王景擁;尤建祥;陈宏生 - 华邦电子股份有限公司
  • 2019-09-17 - 2023-10-27 - H10B63/00
  • 本发明提供一种电阻式随机存取存储结构及其制造方法,此电阻式随机存取存储结构包括:基板,具有阵列区及周边区;第一低介电常数介电层,位于周边区,且其介电常数小于3;多个存储单元,位于基板上且位于阵列区;间隙填充介电层,位于阵列区,间隙填充介电层覆盖存储单元且填入相邻的存储单元之间;多个第一导电插塞,位于间隙填充介电层中,第一导电插塞的每一者与存储单元之中的一者接触;虚设存储单元,位于阵列区与周边区的交界处,虚设存储单元并未与第一导电插塞的任一者接触。本发明提供的电阻式随机存取存储结构,能够明显改善产品的良率及可靠度,并且降低工艺的复杂度、生产成本及生产时间。
  • 电阻随机存取存储结构及其制造方法
  • [发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202010206400.3有效
  • 江长明;黄宣榕;许哲睿;刘鍊尘 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-03-23 - 2023-10-27 - H10B41/00
  • 本发明提供了一种存储器结构及其制造方法。一些实施例的存储器结构包括衬底、位于衬底上的穿隧介电层以及位于穿隧介电层上的浮置栅极,其中衬底包含的源极区域和漏极区域分别位于浮置栅极的相对两侧。一些实施例的存储器结构还包括位于浮置栅极上的栅间介电层,以及位于栅间介电层上的控制栅极。一些实施例的存储器结构还包括埋置于浮置栅极内的一掺杂区,且此掺杂区的侧壁暴露于浮置栅极的侧壁,其中掺杂区与栅间介电层彼此相隔开。
  • 存储器结构及其制造方法
  • [发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN202010511356.7有效
  • 柯婷婷;曾健旭 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-06-08 - 2023-10-27 - H10B12/00
  • 本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。此动态随机存取存储器包括埋入式字线、第一介电层、位线及位线接触结构。埋入式字线形成于基板的字线沟槽中,且沿着第一方向延伸。第一介电层形成于字线沟槽中。第一介电层位于埋入式字线之上且直接接触埋入式字线。位线形成于基板上,且沿着与第一方向垂直的第二方向延伸。位线接触结构形成于基板上,且位于位线与基板之间。位线接触结构的底表面高于第一介电层的顶表面。本发明所提供的动态随机存取存储器,可精准地控制位线接触结构的位置与尺寸,能够明显改善存储器装置的良率。
  • 动态随机存取存储器及其制造方法
  • [发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201910279365.5有效
  • 吴伯伦;蔡世宁;许博砚 - 华邦电子股份有限公司
  • 2019-04-09 - 2023-10-27 - H10N70/20
  • 一种存储器装置及其制造方法,存储器装置包含第一电极、电阻转态层、盖层、保护层以及第二电极。电阻转态层设置于第一电极上方。盖层设置于电阻转态层上方,其中盖层的底表面小于电阻转态层的顶表面。保护层设置于电阻转态层上方且环绕盖层。第二电极的至少一部分设置于盖层上方且覆盖保护层。本发明可通过在存储器装置设置环绕盖层的保护层,以避免后续制造工艺损伤盖层,进而改善存储器装置的可靠度并增加制造工艺宽裕度。
  • 存储器装置及其制造方法
  • [发明专利]可变电阻式存储装置及其制造方法-CN202011420881.4有效
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-12-08 - 2023-10-27 - H10B63/00
  • 本发明提供一种可变电阻式存储装置及其制造方法。本发明的可变电阻式存储器,包含:多个支柱,沿着基板主表面的垂直方向延伸;多个位线,沿着水平方向延伸;以及存储单元,形成于多个支柱与多个位线的交叉处;其中,存储单元包含:栅极绝缘膜,形成于支柱的外围;半导体膜,形成于栅极绝缘膜的外围并提供沟道区域;以及可变电阻元件,形成于半导体膜的外围。可变电阻元件的外围的第一电极区域及与该第一电极区域对向的第二电极区域分别与邻接的一对位线电连接。
  • 可变电阻存储装置及其制造方法
  • [发明专利]电阻式内存单元的阻丝成型方法-CN202210339227.3在审
  • 陈达;王炳琨;林家鸿;黄俊尧 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2023-10-24 - G11C13/00
  • 一种电阻式内存单元阻丝成型方法,包括:在第一阶段成型,以包括栅极与漏极电压的第一偏压施加多次到电阻式内存单元。当第一阶段成型进行至读取电流达到第一饱和状态,锁存第一饱和状态的读取电流为饱和读取电流,判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值。当饱和读取电流的增加率未低于第一阈值时,执行第二阶段成型,施加第二偏压多次到内存单元,直到电阻式内存单元的读取电流达到第二饱和状态,锁存所述第二饱和状态的所述读取电流为所述饱和读取电流,并判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值,第二偏压为增加栅极电压并且降低漏极电压。在饱和读取电流的增加率未低于第一阈值时,且在饱和读取电流达到目标电流值时,结束此方法。
  • 电阻内存单元成型方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210337785.6在审
  • 黄郁仁;谢竺君;廖修汉 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2023-10-24 - H10B41/30
  • 一种半导体结构的形成方法,包括提供半导体基板,于其上形成多个浮置栅极,以及位于各浮置栅极之间的隔离结构;执行第一刻蚀工艺以凹蚀隔离结构,在各浮置栅极之间形成开口,并露出各浮置栅极的部分侧壁;顺应地形成衬层于开口中;执行离子注入工艺,将掺质注入衬层下方的隔离结构之中;以及执行第二刻蚀工艺,移除衬层以及衬层下方部分的隔离结构,使开口的底部形成渐缩的轮廓。通过本发明实施例的方法,可利用较便利的工艺进行浮置栅极之间的隔离结构的刻蚀,避免露出浮置栅极的底切结构,同时有助于后续的控制栅极的材料的填充。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202010146931.8有效
  • 侯建杕;郑吴全 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-03-05 - 2023-10-17 - G06N3/0464
  • 本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括模式配置寄存器、系统存储器阵列、指针器及包含有多个逻辑运算单元的运算电路。模式配置寄存器存储权重矩阵信息及基准地址。系统存储器阵列自基准地址起依据权重矩阵信息安排特征地图的多个特征值的存储地址。指针器存储基准地址及权重矩阵大小,以提供指针信息。运算电路依据指针信息依序或并行读取特征值。运算电路依据权重矩阵信息,将选中权重矩阵中的多个权重系数及对应的特征值并行地配置于对应的各逻辑运算单元中,并使逻辑运算单元平行地进行运算,以输出中间层特征值至处理单元。
  • 存储器装置及其操作方法

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