专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]快速恢复反向二极管-CN201810856007.1有效
  • 艾尔玛·维索茨基 - 艾赛斯有限责任公司
  • 2018-07-31 - 2023-08-29 - H01L29/868
  • 反向二极管管芯具有高反向击穿电压、短反向恢复时间Trr,并且在硬转换应用中长期使用时在反向击穿电压稳定性方面是坚固的。该管芯具有异常轻掺杂的底侧P型阳极区,并且在其上方还具有N‑型漂移区。两个区都具有体晶片材料。N+型接触区向下延伸到漂移区中。顶侧金属电极位于接触区上。P型硅外围侧壁区横向环绕在漂移区周围。顶侧钝化层环绕在顶侧电极周围。底侧金属电极位于管芯的底部上。管芯具有深氢离子层,其延伸通过N‑漂移区。管芯还具有浅离子层。两个离子层从底侧注入。
  • 快速恢复反向二极管
  • [实用新型]快恢复二极管-CN202320518585.0有效
  • 胡泽峰;王明辉 - 杭州士兰集成电路有限公司
  • 2023-03-10 - 2023-08-08 - H01L29/868
  • 公开了一种快恢复二极管,包括:衬底,衬底具有第一掺杂类型;位于衬底上的外延层,外延层具有第一掺杂类型;位于外延层中的彼此隔离的第一阱区、第二阱区以及第三阱区,第一阱区、第二阱区以及第三阱区从外延层的表面向衬底的方向延伸,第一阱区和第二阱区具有第二掺杂类型,第三阱区具有第一掺杂类型,第一掺杂类型和第二掺杂类型相反;位于衬底中的彼此隔离的第四阱区和第五阱区,第四阱区和第五阱区从衬底远离外延层的表面向外延层的方向延伸,第四阱区具有第二掺杂类型,第五阱区具有第一掺杂类型且为重磷掺杂结构。本申请可以提升阴极区域的少子寿命以及提高快恢复二极管的正向性能。
  • 恢复二极管
  • [发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202211677913.8在审
  • 林茂;戚丽娜;俞义长;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2022-12-26 - 2023-06-06 - H01L29/868
  • 本发明提供一种快恢复二极管及其制备方法,所述快恢复二极管包括阴极金属层、硅片、场氧化层、阳极金属层,所述阴极金属层、所述硅片、所述场氧化层由下至上依次设置,所述硅片的上部具有有源区,所述场氧化层具有与所述有源区相对应的有源区窗口,所述阳极金属层覆盖所述有源区窗口和所述场氧化层,其中,在所述有源区内间隔设置有多个高掺杂P区,每两个高掺杂P区之间设置有层叠区,所述层叠区包括位于下半部的低掺杂P区和位于上半部的低掺杂N区。本发明能够降低快恢复二极管正面注入效率,在反向偏置时提供正面空穴电荷的抽取通道,更快地使器件进入截止状态,大大降低反向恢复损耗,提升反向恢复能力。
  • 恢复二极管及其制备方法
  • [发明专利]一种PIN结垂直二极管及其制备方法-CN202211605779.0在审
  • 韩高斌 - 苏州旺顺源光电科技有限公司
  • 2022-12-14 - 2023-05-16 - H01L29/868
  • 一种PIN结垂直二极管及其制备方法,包括衬底、GaN层、AlGaN层、阴极电极、P‑GaN层和阳极电极;所述PIN结垂直二极管包括2种结构,一种是阴极电极设置在内和阳极电极设置在外,另一种是阴极电极设置在外和阳极电极设置在内。本发明所述的PIN结垂直二极管及其制备方法,是一种基于P‑GaN/AlGaN/GaN外延结构的PIN结垂直二极管,将p‑GaN层作为P型端口、AlGaN层/GaN层界面生成的二纬电子气作为N型的端口、AlGaN层作为i层,然后将阴极电极在AlGaN层/GaN层异质结上使用工艺与二纬电子气形成N型欧姆接触、将阳极电极在P‑GaN上形成P型欧姆接触,具有更高的反向击穿能力,制备方法简单,应用前景广泛。
  • 一种pin垂直二极管及其制备方法
  • [发明专利]一种阶梯台面结构的氮化镓PiN二极管及其制备方法-CN202310093111.0在审
  • 王冠宇;向盈聪;孔森林;凌鹏;郭川;石松 - 重庆邮电大学
  • 2023-02-07 - 2023-05-02 - H01L29/868
  • 本发明涉及一种阶梯台面结构的氮化镓PiN二极管及其制备方法,属于二极管功率器件技术领域。本发明采用阶梯型台面结构,以降低暴露在台面侧壁的pn结处的电场峰值,这些改善是由于pn结的峰值电场从干蚀损伤的外层台面转移到薄p‑GaN层覆盖的内部台面所带来的;同时该二极管使用多个轻Si掺杂n‑GaN漂移层,其中顶部n‑GaN漂移层Si掺杂浓度最低,提高击穿电压的同时增强导通电阻;另外使用Si3N4覆盖的自旋玻璃薄膜的钝化层和场板结构,有效地降低反向泄漏电流和提高击穿电压,SOG薄膜溅射沉积过程中并未引起p‑GaN接触层等离子体损伤,从而与p‑GaN层具有良好的欧姆接触。本发明的二极管在功率转换应用中具有良好的潜力。
  • 一种阶梯台面结构氮化pin二极管及其制备方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202180045113.1在审
  • 梅木真也 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-06-04 - 2023-04-04 - H01L29/868
  • 半导体装置包括:第一导电型的半导体层,其具有主面;第二导电型的阱区域,其在上述主面划分出有源区域以及外侧区域,而且形成于上述主面的表层部,在上述有源区域侧包含杂质浓度高的高浓度部,在上述外侧区域侧包含杂质浓度比上述高浓度部低的低浓度部;以及第二导电型的杂质区域,其在上述有源区域中形成于上述主面的表层部。
  • 半导体装置
  • [发明专利]一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管-CN202010072965.7有效
  • 孙伟锋;朱桂闯;李少红;杨兰兰;祝靖;时龙兴 - 东南大学
  • 2020-01-21 - 2023-03-24 - H01L29/868
  • 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管,包括P型衬底,氧化层埋层,N型漂移区,氧化层,N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区,在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区,在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区,在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区,在氧化层内设有第一多晶硅和电容,第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离,所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成,第一金属铝与第一N型重掺杂区连接,第一多晶硅,第二金属铝和P型重掺杂区连接。
  • 一种集成电容反向恢复电荷横向二极管
  • [发明专利]一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管-CN201911058196.9有效
  • 祝靖;邹艳勤;李少红;孙伟锋;时龙兴 - 东南大学
  • 2019-10-31 - 2023-03-24 - H01L29/868
  • 一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管,包括P型衬底,在P型衬底上设有N型漂移区,在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层,在P型衬底与N型漂移区之间设有第一N型重掺杂区,在N型漂移区的表面设有P型重掺杂阳极区、P型轻掺杂阳极区、N型轻掺杂阴极区及N型重掺杂阴极区,在N型漂移区的表面并处于N型重掺杂阴极区的外侧以及N型重掺杂阴极区与P型轻掺杂阳极区之间的区域设有氧化层,在P型重掺杂阳极区、N型重掺杂阴极区及P型衬底上分别连接有阳极金属、阴极金属及衬底金属,其特征在于,在P型轻掺杂阳极区的表面并位于P型重掺杂阳极区的外侧设有相互电连接的第一P型重掺杂区、N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。
  • 一种提高反向恢复鲁棒性二极管
  • [发明专利]一种快恢复半导体器件及其制作方法-CN202010266554.1有效
  • 温珂;曾丹;史波;林苡任 - 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
  • 2020-04-07 - 2023-03-21 - H01L29/868
  • 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法,制作方法包括以下步骤:提供一半导体基底,半导体基底包括第一导电类型漂移区;在漂移区之上形成氧化层,氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区;自漂移区上表面注入能量范围为100KEV~150KEV的第二导电类型离子,以在漂移区形成第二导电类型阱区;对第二导电类型阱区进行推结到指定深度;在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺,可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入,降低了少子寿命,从而改善了反向恢复特性,提高了软度因子,并降低了生产成本。
  • 一种恢复半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]一种具有软恢复特性的快恢复二极管芯片-CN202211479691.9在审
  • 徐林海 - 杭州立昂微电子股份有限公司
  • 2022-11-24 - 2023-03-07 - H01L29/868
  • 本发明公开了一种具有软恢复特性的快恢复二极管芯片及其制作方法。所述快恢复二极管芯片,由下至上依次包括阴极金属层、N+型阴极区、第一N‑型区、i区、第二N‑型区、P+型阳极区以及阳极金属层;其中所述i区为一本征薄层,且在所述i区内设有规则排列的若干N+井区,所述N+井区在纵向上贯穿所述i区。通过局部浓度控制,在常规P+/N‑/N+结构的N‑层中,引入一本征薄层,并在该薄本征层中设置特定N+井区,避免了快恢复二极管在快恢复过程中电流的强烈震荡,实现快而软的恢复特性。本发明通过芯片结构设计和相对简单的工艺过程,实现了快恢复二极管的软度特性的要求,获得恢复速度快、软度及漏电综合性能优良的快恢复二极管芯片。
  • 一种具有恢复特性二极管芯片

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