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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN201410757053.8有效
发明人：林正基;叶宇能;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，其包括一掺杂基底、一栅结构、一源极、一漏极与一场掺杂区。源极与漏极分别位于栅结构的相对侧的掺杂基底中。场掺杂区具有相反于源极与漏极的导电型。场掺杂区从源极延伸超过栅结构的一第一栅侧壁，而未到达栅结构相对于第一栅侧壁的一第二栅侧壁。
半导体结构

[发明专利]具有深注入区域的半导体装置及其制造方法-CN201410208443.X有效
发明人：詹景琳;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有深注入区域的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基板，具有一第一导电型；一高电压阱，具有一第二导电型，并配置在基板中；一源极阱，具有第一导电型，并配置在高电压阱中；一漂移区域，配置在高电压阱中并与源极阱分隔开；以及一深注入区域，具有第一导电型，并配置在源极阱与漂移区域之间的高电压阱中。
具有注入区域半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410077545.2有效
发明人：李明东;林正基;徐志嘉;陈建铨;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基板、一第一阱(well)、一第一重掺杂区(heavily doping region)、一场氧化层、一第一介电层以及一导电层。第一阱设置于基板上，第一重掺杂区设置于第一阱内。场氧化层设置于第一阱上且邻接于第一重掺杂区。第一介电层设置于场氧化层上并覆盖(covering)场氧化层。导电层设置于第一介电层上。第一阱及第一重掺杂区具有一第一掺杂型态。
场氧化层重掺杂区半导体结构介电层导电层基板掺杂型态邻接制造覆盖

[发明专利]具有金属层于漂移区之上的半导体元件-CN201410275970.2有效
发明人：张宇瑞;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金属层于漂移区之上的半导体元件，该半导体元件包括衬底、绝缘层、栅极层以及金属层。绝缘层配置于衬底之上且覆盖漂移区，绝缘层包括第一边缘与第二边缘，第二边缘相对于第一边缘。栅极层覆盖绝缘层的第一边缘。金属层包括金属部分，金属部分连接于栅极层且重叠于绝缘层的第一边缘。金属部分包括第一边缘，金属部分的第一边缘位于比金属部分的相对的第二边缘更接近于绝缘层的中央部分之处。沿通道长度方向由金属部分的第一边缘至绝缘层的第一边缘的距离是a。由绝缘层的第一边缘至绝缘层的第二边缘的距离是L。a/L比值是等于或高于0.46。
具有金属漂移之上半导体元件

[发明专利]横向漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN201410014798.5有效
发明人：蔡钧谚;杜硕伦;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法，该横向漏极金属氧化物半导体元件包括一阱区、一体区域、一源极区、一漏极区、一栅极结构、一浅沟道隔离结构以及一埋层，具有第二导电类型的阱区位于一衬底中，具有第一导电类型的一体区域位于阱区中，具有第二导电类型的漂移区位于阱区中并与体区域隔开，具有第二导电类型的一源极区于该体区域中，具有第二导电类型的漏极区于漂移区中，栅极结构位于阱区上并介于源极区与漏极区间，浅沟道隔离结构位于漂移区中并介于源极区与漏极区间，具有第一导电类型的埋层位于阱区中并位于漂移区之下，埋层的中心对齐于浅沟道隔离结构的中心。
横向金属氧化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201410041840.2有效
发明人：詹景琳;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底、隔离结构、栅极结构、源极区与漏极区、以及导体层；源极区与漏极区位于基底中；隔离结构位于源极区与漏极区之间；栅极结构位于源极区与隔离结构之间的基底上；导体层位于基底上方，至少自源极区上方延伸至隔离结构上方，且电性连接源极区；基底包括第一区与第二区，在第二区的源极区的轮廓的曲率大于在第一区的源极区的轮廓的曲率，且在第二区上方的覆盖隔离结构的导体层的部分的宽度大于在第一区上方的覆盖隔离结构的导体层的部分的宽度。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201310263520.7有效
发明人：林镇元;詹景琳;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有一高电压区及一低电压区的半导体结构包括一基板，其为一第一导电类型，容纳所述高电压区及所述低电压区。一电阻，位于所述基板上，连接所述高电压区及所述低电压区，且所述电阻实质上驻留于所述高电压区中。所述结构进一步包括一第一掺杂区域，其为所述第一导电类型，位于所述基板中，处于所述高电压区与所述低电压区之间；及一第二掺杂区域，其为一第二导电类型，处于所述基板与所述第一掺杂区域之间。此外，一绝缘层形成于所述电阻与所述第一掺杂区域之间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]于崩溃时具有减少漏电流的半导体装置及其制造方法-CN201310375525.9有效
发明人：陈建铨;李明东;黄胤富;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种于崩溃时具有减少漏电流的半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有一阱；一p阱注入，至少部分被此阱界限在衬底之内；一导电层，配置在衬底上；一高电压n‑(HVN‑)掺杂阱，被注入在p阱注入中；一高电压p掺杂(HVPD)阱，被注入在p阱注入中；以及一漏极n‑阱与一源极n‑阱，分别配置在HVN‑掺杂阱及HVPD阱中。本发明亦提供一种半导体装置的制造方法。在某些实施例中，半导体装置的制造方法的特征为以一第一倾斜角注入HVN‑离子及／或以一第二倾斜角注入HVPD离子。
崩溃具有减少漏电半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201210510636.1有效
发明人：钟淼钧;黄胤富;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括一衬底、一外延层、一第一阱、一第二阱、一第三阱、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一注入区及一导电层。外延层设置于衬底上。第一阱位于外延层内。第二阱位于外延层内。第三阱位于外延层内，并位于第一阱及第二阱之间。第一重掺杂区位于第一阱内。第二重掺杂区位于第二阱内。一表面通道形成于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间。注入区整面配置地位于表面通道及衬底之间，并分布于该第一阱、该第二阱及该第三阱的投影范围。导电层设置于表面通道的上方。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模-CN201310225006.4有效
发明人：林镇元;詹景琳;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模，该半导体装置包括至少一第二场区，包括一主晶粒阵列，每一晶粒具有一高度Y1以及一宽度X1，且该主晶粒阵列具有一高度Y3；该半导体装置更可包括至少一第一场区，包括具有一高度Y2及一宽度X2的一监视区，以及具有一高度Y2且包括一辅助晶粒阵列的一辅助晶粒区。各区的尺寸可互相成比例，使得X2＝n1×X1+adjustment1、Y2＝n3×Y1+adjustment3以及Y3＝n4×Y2+adjustment4，其中n1、n3、与n4为整数。
半导体装置制作方法使用

[发明专利]具有P顶层与N能阶的半导体装置及其制造方法-CN201310044236.0有效
发明人：詹景琳;林镇元;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有P顶层与N能阶的半导体装置，包括一P衬底；一高电压N阱，其设置于该P衬底中；一第一P阱，其形成于具有一第一P+掺杂区的该P衬底中；一第二P阱，其形成于具有一第二P+掺杂区的该HVNW中，其中该第二P+掺杂区邻近于一N+掺杂源极区；以及一分离的N能阶及P顶区，其设置于该HVNW中；其中该分离的N能阶及P顶区具有由散布于多个N能阶区段之间的多个P顶区段所定义的一或多层，N能阶及P顶层由序列且分离设置的N型及P型扩散区段所定义。本发明也提供制造此半导体装置的方法。
具有顶层半导体装置及其制造方法

[发明专利]包括高电压二极管的半导体装置及其制造方法-CN201410565917.6在审
发明人：张宇瑞;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括高电压二极管的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基板、配置于基板中的一高电压N型阱(high-voltage N-well，HVNW)、配置于基板中且邻近HVNW是边缘的一大块P型阱、配置于HVNW中的一高电压(high-voltage，HV)二极管，HV二极管包括配置于HVNW中且与HVNW是边缘分开的一HV二极管P型阱以及配置于HVNW中且位于HV二极管P型阱与大块P型阱之间的一N型阱。N型阱的掺杂浓度大于HVNW的掺杂浓度。
包括电压二极管半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有局部绝缘结构的半导体元件及其制造方法-CN201410098110.6在审
发明人：詹景琳;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有局部绝缘结构的半导体元件及其制造方法，该半导体元件的制造方法包括：提供一具有一第一导电型的基板；形成一具有一第二导电型的高电压阱在基板中；形成一漂移区在高电压阱中；以及形成一绝缘层在基板上。此一绝缘层包括一第一绝缘部及一第二绝缘部，其分别覆盖漂移区相对的边缘部分，且未覆盖漂移区的一顶部。
具有局部绝缘结构半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体复合层结构及具有其的半导体封装结构-CN201310102202.2无效
发明人：李明东;连士进;林孝章;曾钦义;吴国豪;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体复合层结构及具有其的半导体封装结构，该半导体复合层结构设置于具有一电路结构及一第一导电层的一衬底上，半导体复合层结构包括多个介电层、第一浸润层、坚硬层及第二浸润层；此些介电层彼此间隔地设置于衬底上；第一浸润层设置于此些介电层上及此些介电层之间的衬底上；坚硬层设置于第一浸润层上；第二浸润层设置于坚硬层上，用以与一第二导电层接触。
半导体复合结构具有封装

[发明专利]横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN201410224706.6在审
发明人：林正基;苏醒;朱建文;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管,包括衬底、第一阱区、漏极区、第二阱区以及源极区。衬底具有第一导电型杂质，具有第二导电型杂质的第一阱区，位于部分衬底中。漏极区位于第一阱区中。具有第一导电型杂质的第二阱区，位于部分衬底中。源极区位于第二阱区中，源极区包括轻掺杂源极区以及重掺杂源极区，都由衬底的上表面向下延伸，轻掺杂源极区的深度大于重掺杂源极区。
横向双重扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

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