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[发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910281684.X在审
发明人：吴旭升 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：此处公开改善集成电路装置效能所用的源极/漏极接点间隔物与其形成方法。该方法包括蚀刻层间介电层以形成源极/漏极接点开口，其露出源极/漏极结构上的接点蚀刻停止层。沉积源极/漏极接点间隔物层，以部分地填入源极/漏极接点开口并覆盖层间介电层与露出的接点蚀刻停止层。蚀刻源极/漏极接点间隔物层与接点蚀刻停止层，延伸源极/漏极接点开口以露出源极/漏极结构。蚀刻步骤形成源极/漏极接点间隔物。方法包含形成源极/漏极接点至延伸的源极/漏极接点开口中露出的源极/漏极结构。源极/漏极接点形成于源极/漏极接点间隔物上，并填入延伸的源极/漏极接点开口。在形成源极/漏极接点之前，可形成硅化物结构于露出的源极/漏极结构上。
源极/漏极接点间隔开口蚀刻停止层蚀刻介电层填入延伸集成电路装置硅化物结构间隔物层漏极接点沉积源覆盖层蚀刻层物层

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110049095.6在审
发明人：黄玉莲;王冠人;傅劲逢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件，包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；层间电介质(ILD)层，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之上；第一源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第一源极/漏极接触件被连接到第一源极/漏极区域；第二源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第二源极/漏极接触件被连接到第二源极/漏极区域；以及隔离特征，在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间，该隔离特征包括电介质衬里和空隙，电介质衬里围绕空隙
半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN202110972491.6在审
发明人：李元赫;朴钟撤;朴商德;申洪湜;李道行 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，在有源图案上且彼此分隔开；第一源极/漏极接触件，在第一源极/漏极图案上且包括第一源极/漏极阻挡膜和在第一源极/漏极阻挡膜上的第一源极/漏极填充膜；第二源极/漏极接触件，在第二源极/漏极图案上；以及栅极结构，在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间在有源图案上且包括栅电极，其中，第一源极/漏极接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低，并且从有源图案的顶表面到第一源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011291470.X在审
发明人：彭士玮;林威呈;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第一晶体管包括第一源极/漏极、第二源极/漏极以及位于第一源极/漏极和第二源极/漏极之间的第一栅极。第二晶体管包括第三源极/漏极、第四源极/漏极以及位于第三源极/漏极和第四源极/漏极之间的第二栅极。接触件覆盖第一晶体管的第一源极/漏极和第二晶体管的第三源极/漏极。接触件电连接至第一晶体管的第一源极/漏极，并且与第二晶体管的第三源极/漏极电隔离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110894963.0在审
发明人：林大钧;叶冠麟;林俊仁;潘国华;江木吉;廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：设置第一源极/漏极结构于基板上方。设置第二源极/漏极结构于基板上方。隔离结构设置于第一源极/漏极结构以及第二源极/漏极结构之间。第一源极/漏极结构与隔离结构的第一侧壁形成实质上线性的第一界面。第二源极/漏极结构与隔离结构的第二侧壁形成实质上线性的第二界面。第一源极/漏极接触件在多个方向围绕第一源极/漏极结构。第二源极/漏极接触件在多个方向围绕第二源极/漏极结构。隔离结构设置于第一源极/漏极接触件以及第二源极/漏极接触件之间。
半导体装置

[发明专利]穿隧式场效晶体管-CN201811002450.9在审
发明人：瑞姆瓦尔·彼德;麦特西亚斯帕斯拉克;吉尔本·朵尔伯斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种穿隧式场效晶体管包含第一源极/漏极层、第二源极/漏极层以及半导体中间层。第一源极/漏极层包含第一极性侧壁。第二源极/漏极层围绕第一源极/漏极层，第二源极/漏极层与第一源极/漏极层具相反导电类型，半导体中间层位于第二源极/漏极层与第一源极/漏极层的第一极性侧壁之间。
源极/漏极场效晶体管中间层侧壁穿隧半导体相反导电类型

[发明专利]NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进-CN201811098848.7有效
发明人：张云闵;陈建安;王冠人;王鹏;陈煌明;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上方形成层间电介质。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别是n型和p型。蚀刻层间电介质以形成第一接触开口和第二接触开口，其中，第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别暴露于第一接触开口和第二接触开口。使用工艺气体来同时回蚀刻第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，并且第一源极/漏极区域的第一蚀刻速率高于第二源极/漏极区域的第二蚀刻速率。在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上分别形成第一硅化物区域和第二硅化物区域。本发明的实施例还涉及NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进。
nfet pfet 区域选择性凹进

[发明专利]双侧接触开关中的电容平衡-CN201980083891.2在审
发明人：梁晴晴;R·P·K·维杜拉;G·P·埃姆图尔恩;C·N·布里恩德勒;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种双侧接触开关具有多栅极有源器件的第一独立漏极/源极区域(372)。该双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第一共享漏极/源极区域(374)。双侧接触开关具有多栅极有源器件的第二独立漏极/源极区域(376)，该第二独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域相邻。双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第二共享漏极/源极区域，该第二共享漏极/源极区域与第一独立漏极/源极区域相邻。双侧接触开关在第一独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域之间以及在第二独立漏极/源极区域与第二共享漏极/源极区域之间具有栅极区域(356)。
接触开关中的电容平衡

[实用新型]半导体装置-CN202221832715.X有效
发明人：黄玉莲;李资良;李志鸿;张祺澔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含：半导体鳍片、第一源极/漏极区域和一第二源极/漏极区域、层间介电质、栅极堆叠、第一源极/漏极接触件、以及第二源极/漏极接触件。半导体鳍片从半导体基板延伸。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域在半导体鳍片内。层间介电质在半导体基板上方。栅极堆叠介于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间，其中栅极堆叠的至少一下部在朝向半导体基板的方向在宽度上减小。第一源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第一源极/漏极区域。第二源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第二源极/漏极区域。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN201811243635.9在审
发明人：王俊杰;林钰庭;白岳青;张世杰;杨怀德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构包含栅极结构、栅极间隔物和源极/漏极结构。栅极结构位于鳍片结构上方。栅极间隔物位于鳍片结构上方且位于栅极结构的侧壁表面上。源极/漏极结构位于鳍片结构中且相邻于栅极间隔物。源极/漏极结构包含第一源极/漏极外延层和第二源极/漏极外延层。第一源极/漏极外延层接触鳍片结构。第一源极/漏极外延层连接至第二源极/漏极外延层的一部分，第二源极/漏极外延层的此部分低于鳍片结构的顶表面。第一源极/漏极外延层的晶格常数不同于第二源极/漏极外延层的晶格常数。
源极/漏极外延层鳍片结构半导体结构栅极间隔物栅极结构晶格常数侧壁表面顶表面制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611114382.6有效
发明人：郑凯予 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该方法包括一系列步骤，包括：形成晶体管，该晶体管具有位于鳍式结构内并且邻近跨越鳍式结构的栅极结构的源极/漏极区；在源极/漏极区正上方形成第一源极/漏极接触件，并且第一源极/漏极接触件电连接至源极/漏极区；在晶体管和第一源极/漏极接触件上方沉积复合阻挡结构；以及在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括：在沉积复合阻挡结构之前沉积第二蚀刻停止层并且在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括在第二源极/漏极接触件上方形成接触件，并且接触件电连接至第二源极/漏极接触件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置-CN202010657486.1在审
发明人：石井利尚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置。本文中公开一种设备，其包含：第一扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第三到第五源极/漏极区；第一栅电极，其沿第二方向延伸，并且设置于所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间以及所述第三源极/漏极区和第四源极/漏极区之间；和第二栅电极，其沿所述第二方向延伸，并且设置于所述第四源极/漏极区和第五源极/漏极区之间所述第一源极/漏极区和第三源极/漏极区带有彼此相同的电势，且所述第二源极/漏极区和第四源极/漏极区带有彼此相同的电势。
具有其中共享漏极区晶体管半导体装置

[发明专利]半导体结构、半导体器件及其制造方法-CN201910768199.5有效
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：读取器件包括耦合到第一字线的第一栅极、耦合到位线的第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区位于第一栅极的相对侧上。编程器件包括第二栅极、耦合到第二源极/漏极区的第三源极/漏极区以及第四源极/漏极区。第三源极/漏极区和第四源极/漏极区位于第二栅极的相对侧上。伪器件包括第三栅极、耦合到第四源极/漏极区的第五源极/漏极区以及第六源极/漏极区。第五源极/漏极区和第六源极/漏极区位于第三栅极的相对侧上。本发明的实施例还涉及半导体结构、半导体器件及其制造方法。
半导体结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201310410699.4有效
发明人：林立凡;廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体装置包括有源层、至少一源极、至少一漏极、至少一栅极、第一绝缘层、第一源极垫、第一漏极垫、至少一源极插塞与至少一漏极插塞。源极与漏极皆位于有源层上，且源极与漏极在有源层上的正投影分别形成源极区域与漏极区域。第一绝缘层至少覆盖部分源极与部分漏极。第一源极垫与第一漏极垫皆位于第一绝缘层上，且第一源极垫在有源层上的正投影形成源极垫区域。源极垫区域与漏极区域至少部分重叠，且源极垫区域与漏极区域形成的重叠面积小于或等于40%的漏极区域的面积。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN201810488000.9在审
发明人：郑宇彣;卢炜业;王毓萱;李弘贸;蔡彦明;陈泓旭;林威戎;张志维;蔡明兴;林圣轩;郑雅忆;林正堂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：在一实施例中，结构包括具有源极/漏极区的主动区于基板上；介电层，位于主动区上并具有对准源极/漏极区的侧壁的侧壁；以及导电结构，沿着介电层的侧壁至源极/漏极区。源极/漏极区具有侧壁与自源极/漏极区的侧壁横向延伸的横向表面，且源极/漏极区还包含自源极/漏极区的侧壁横向延伸至源极/漏极区中的氮化区。导电结构包含沿着源极/漏极区的横向表面并沿着源极/漏极区的侧壁的至少一部分的硅化物区。
源极/漏极区侧壁半导体结构导电结构横向表面横向延伸介电层漏极区主动区自源氮化硅化物区基板对准

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