专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶体管、存储器阵列及用于形成个别包括晶体管的存储器单元阵列的方法-CN202180030287.0在审
  • M·马里亚尼;G·塞尔瓦利 - 美光科技公司
  • 2021-03-25 - 2022-12-30 - H01L27/108
  • 本发明公开一种用于形成存储器单元阵列的方法,其包括在第一方向上的行中形成顶部源极/漏极区材料、底部源极/漏极区材料及垂直地介于所述顶部源极/漏极区材料与所述底部源极/漏极区材料之间的沟道区材料的线。所述线在第二方向上彼此间隔。所述顶部源极/漏极区材料、底部源极/漏极区材料及沟道区材料具有相应相对侧。相对于所述顶部源极/漏极区材料及所述底部源极/漏极区材料的相对侧在所述第二方向上横向凹入所述沟道区材料的相对侧以在所述行中的个别者中的所述沟道区材料的所述相对侧中形成一对横向凹槽。在形成所述对横向凹槽之后,在所述第二方向上图案化所述顶部源极/漏极区材料、所述沟道区材料及所述底部源极/漏极区材料的所述线以包括个别晶体管支柱。在所述第一方向上形成字线行,其个别可操作地在所述对横向凹槽中的所述支柱中的个别者的所述沟道区材料旁边且使所述个别行中的所述晶体管互连。本发明公开包含无关于方法的结构的其它实施例。
  • 晶体管存储器阵列用于形成个别包括单元方法
  • [发明专利]动态随机存取存储器的存储单元及其形成方法-CN202211261401.3在审
  • 华文宇;朱宏斌;江宁;丁潇 - 芯盟科技有限公司
  • 2022-10-14 - 2022-12-30 - H01L27/108
  • 一种动态随机存取存储器的存储单元及其形成方法,其中存储单元包括:衬底,衬底包括沟道区;字线栅结构,字线栅结构覆盖沟道区部分表面;分别位于字线栅结构两侧沟道区内的第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区;电容结构,电容结构与第一源漏掺杂区连接,其中电容结构包括:与第一源漏掺杂区连接的导电支撑结构;位于导电支撑结构侧壁表面的第一电极层;位于第一电极层侧壁表面和导电支撑结构顶部表面的绝缘层;位于绝缘层侧壁表面和绝缘层顶部表面的第二电极层。由于第一源漏掺杂区通过导电支撑结构与第一电极层的侧壁表面连接,而第一电极层侧壁表面的面积较大,因此不需要形成小尺寸的金属硅化物层以降低接触电阻,进而能够有效降低工艺难度。
  • 动态随机存取存储器存储单元及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202211277299.6在审
  • 杨谦 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-10-18 - 2022-12-27 - H01L27/108
  • 本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法,该方法包括:提供基底,基底包括阵列区和外围区;在阵列区的基底上形成多个第一绝缘结构,在外围区的基底上形成第二绝缘结构;在相邻的第一绝缘结构中形成第一开口,第一开口暴露出第一绝缘结构的侧壁顶部;在第一开口的侧壁及底部,同时在第二绝缘结构上沉积牺牲层;在外围区的第二绝缘结构和牺牲层中,形成第二开口,其中,第二开口暴露出牺牲层的侧壁;至少在第一开口侧壁顶部的牺牲层的表面和第二开口侧壁的牺牲层的表面,形成保护层;去除第一开口底部的牺牲层;去除阵列区和外围区的保护层,以在所述阵列区和所述外围区分别形成第一接触孔和第二接触孔。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]存储器件、半导体结构及其制造方法-CN201910755706.1有效
  • 韩清华 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-08-15 - 2022-12-27 - H01L27/108
  • 本公开是关于一种存储器件、半导体结构及半导体结构的制造方法,涉及半导体技术领域。该半导体结构包括半导体衬底、栅极、栅绝缘层、漏极、源极、介质层、位线和电容连接线。半导体衬底具有工作面和由工作面向内延伸的阱区,阱区具有源极部、漏极部以及分隔源极部和漏极部的沟槽。栅极设于沟槽内。栅绝缘层分隔于栅极和沟槽的内壁之间。漏极设于漏极部内,且由工作面向内延伸,漏极和阱区构成PN结。源极设于源极部内,且由工作面向内延伸,源极与阱区构成肖特基结。介质层覆盖工作面,且具有露出漏极部的第一接触孔和露出源极部的第二接触孔。位线填充于第一接触孔内。电容连接线填充于第二接触孔内。
  • 存储器件半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201710541978.2有效
  • 金大益;金奉秀;朴济民;黄有商 - 三星电子株式会社
  • 2017-07-05 - 2022-12-27 - H01L27/108
  • 提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底;位线结构,位于基底上;第一接触结构,位于位线结构的侧壁上;第二接触结构,位于位线结构上并且跨过位线结构与第一接触结构分隔开;以及绝缘图案,位于位线结构与第一接触结构之间。第二接触结构覆盖位线结构的顶表面的至少一部分。绝缘图案包括从绝缘图案的与位线结构直接相邻的侧壁突出的突起。突起沿与基底的顶表面平行的第一方向突出。
  • 半导体装置
  • [发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202010457625.6有效
  • 蔡镇宇 - 南亚科技股份有限公司
  • 2020-05-26 - 2022-12-27 - H01L27/108
  • 本发明提供一种存储器结构及其制造方法。所述存储器结构包括电容器以及晶体管。晶体管设置在电容器上方,且与电容器电性连接。所述晶体管包括第一源极/漏极层、沟道柱、栅极、栅介电层、掺杂层、间隔层以及第二源极/漏极层。第一源极/漏极层与电容器电性连接。沟道柱设置在第一源极/漏极层上。栅极设置在沟道柱的侧壁上。栅介电层设置在栅极与沟道柱之间。掺杂层设置在沟道柱的侧壁上,且位于栅极上方。间隔层设置在栅极与第一源极/漏极层之间以及栅极与掺杂层之间。第二源极/漏极层设置在沟道柱上或沟道柱中。第一源极/漏极层与第二源极/漏极层为第一导电类型,且掺杂层为第二导电类型。
  • 存储器结构及其制造方法
  • [发明专利]存储器及其制作方法、存储器系统-CN202211227337.7在审
  • 蔡志勇;张子玉;潘杰;罗兴安;周毅 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2022-10-09 - 2022-12-23 - H01L27/108
  • 本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、存储器系统,所述存储器的制作方法包括:提供半导体层,所述半导体层中设置有多个晶体管单元,所述晶体管单元包括沿第一方向呈对称分布的第一晶体管和第二晶体管;所述第一晶体管和第二晶体管均包括沿所述第一方向延伸的半导体主体、覆盖所述半导体主体的一个侧面的栅极结构以及分别在所述半导体主体沿所述第一方向上两个端部处的第一电极和第二电极;所述第一方向为所述半导体层的厚度方向;在所述半导体层上利用沉积工艺沉积金属化合物材料层;去除部分金属化合物材料层,形成多个连接结构;每个连接结构与一个第一电极连接;在所述连接结构上形成存储结构。
  • 存储器及其制作方法系统
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法和三维存储器-CN202211154968.0在审
  • 邵光速 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-09-21 - 2022-12-23 - H01L27/108
  • 该发明公开了一种半导体结构极其形成方法和三维存储器,所述半导体结构包括:基底,基底具有读取字线和读取位线;读取晶体管,读取晶体管包括第一沟道层和第一栅极层,第一沟道层至少由第一栅极层底部到顶部方向部分包围第一栅极层,读取晶体管分别与读取字线和读取位线耦合;写入位线和写入字线;写入晶体管,写入晶体管包括第二沟道层且位于读取晶体管上,写入字线至少由第二沟道层侧壁方向部分包围第二沟道层,写入晶体管分别与写入字线、写入位线和第一栅极层耦合。根据本发明的半导体结构,增加了沟道有效面积,控制能力增强,集成度高,有利于实现进一步微缩。
  • 半导体结构及其形成方法三维存储器
  • [发明专利]半导体存储器结构及其形成方法-CN202110696550.1在审
  • 卢建鸣;吴柏翰 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-06-23 - 2022-12-23 - H01L27/108
  • 本发明实施例提供一种半导体存储器结构,其包含半导体基板、设置于半导体基板上的位线、设置于位线一侧的介电衬层、设置于半导体基板上的电容接触件、以及设置于半导体基板上的填充件。位线沿着第一方向延伸。介电衬层包含设置于位线的侧壁上的第一氮化物衬层、设置于第一氮化物衬层的侧壁上的氧化物衬层、以及设置于氧化物衬层的侧壁上的第二氮化物衬层。在垂直第一方向的第二方向上,电容接触件借由第一氮化物衬层、氧化物衬层以及第二氮化物衬层与位线间隔。在第二方向上,填充件的宽度大于电容接触件的宽度。本发明实施例亦提供形成一种上述半导体存储器结构的方法。
  • 半导体存储器结构及其形成方法

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