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- [发明专利]一种电平位移电路-CN202311085953.8在审
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谭在超;刘建国;罗寅;丁国华
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苏州锴威特半导体股份有限公司
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2023-08-28
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2023-09-29
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H03K19/0185
- 本发明涉及电平位移技术领域,公开了一种电平位移电路,包括反相器X1、第一信号处理单元、第二信号处理单元、第一下拉单元、第二下拉单元、第三下拉单元、第四下拉单元、第五下拉单元、第六下拉单元、第一上拉单元、第二上拉单元、第一开关单元和第二开关单元,反相器X1的输入端与第一脉冲产生单元电连接;反相器X1的输出端与第二脉冲产生单元电连接;在实际使用时,低压逻辑信号输入到反相器X1,通过第一脉冲产生单元和第二脉冲产生单元来产生第一脉冲和第二脉冲,以及通过第一脉冲、第二脉冲和本发明的电路架构可以加速电平转换速度,提高响应速度,另外通过控制第一脉冲和第二脉冲的宽度可以控制MOS管的导通时间,从而能降低工作功耗。
- 一种电平位移电路
- [发明专利]一种带温度补偿的电流偏置电路-CN201910627056.2有效
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谭在超;张胜;罗寅;丁国华
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苏州锴威特半导体股份有限公司
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2019-07-12
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2023-09-29
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G05F1/567
- 本发明涉及一种带温度补偿的电流偏置电路,包括第一至第三MOS管、第一至第二三极管、第一电阻和温度补偿电路,温度补偿电路由第四至第五MOS管、第三至第六三极管和第二至第五电阻组成,温度补偿电路的输入端接电源VCC,输出端分别接第三MOS管、第二三极管和地,第一和第二三极管的个数比为1:n,第一至第三MOS管均采用PMOS管,第四至第五MOS管均采用NMOS管,第一、第二、第四至第六三极管均采用NPN型三极管,第三三极管采用PNP型三极管。该电路的温度特性调整或优化极为方便,可通过调节同一种类的第二至第五电阻的比例来实现电路的零温特性,从而大大提升生产工艺的一致性,提升产品良率。
- 一种温度补偿电流偏置电路
- [发明专利]一种负电压比较电路-CN202311069526.0在审
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罗寅;谭在超;丁国华
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苏州锴威特半导体股份有限公司
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2023-08-24
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2023-09-19
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H02M7/219
- 本发明涉及电压比较技术领域,公开了一种负电压比较电路,包括向MOS管NM1、MOS管NM2和MOS管NM12提供偏置电流的偏置电流产生单元;MOS管NM2的源极用于输入检测电压,MOS管NM2的漏极与MOS管NM12的栅极电连接;MOS管NM12的源极接地;MOS管NM1的源极与温度补偿单元电连接;MOS管NM12的漏极与第一信号处理单元电连接;本发明在使用时通过MOS管NM1和温度补偿单元可以设置比较电压,而通过判断比较电压与检测电压的大小可以控制MOS管NM12的通断,控制MOS管NM12的通断可以决定MOS管NM12的漏极是否为低电平状态,而通过检测MOS管NM12的漏极电平状态可以判断检测电压是否小于比较点电压,无需引入额外的参考电压产生电路和负电源电路,从而节省了芯片面积和成本。
- 一种电压比较电路
- [发明专利]一种过流保护电路、芯片、方法和开关电源-CN202310635611.2有效
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罗寅
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苏州锴威特半导体股份有限公司
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2023-06-01
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2023-09-15
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H02H7/12
- 本发明涉及MOSFET过流保护技术领域,公开了一种过流保护电路、芯片、方法和开关电源,其中过流保护电路包括驱动单元、PWM控制单元、过流检测单元、时钟信号产生单元、软启动单元、信号处理单元、判断单元、第一电流源和第二电流源,在实际使用时,本发明的判断单元通过判断是否接收到第一电平状态的过流保护信号来判断是否导通第三开关,让第一电流源给复位端连接的储能单元充电,如果在多个时钟周期后,过流检测单元持续输出第一电平状态的过流检测信号使第三开关持续导通,让复位端的电压上升到第二判断阈值时,判断单元通过软启动单元将第二输入端的电压拉低,使PWM控制单元重新启动进而实现出现持续过流状态时的保护。
- 一种保护电路芯片方法开关电源
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