专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种模拟乘法器电路-CN202311110731.7在审
  • 罗寅;涂才根;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-10 - H03K19/003
  • 本发明涉及乘法器技术领域,公开了一种模拟乘法器电路,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和MOS管;在实际使用时,本发明流过第一晶体管的电流为输出电流,其为输入到第二晶体管的电流和从第四晶体管流出的电流的乘积在除以流过第三晶体管的电流,尽管从晶体管流过或者从晶体管流出的电流会受温度和工艺影响,但是在经过乘除运算后可以使输出电流不受温度和工艺的影响,从而使本发明具有极高的线性度;另外MOS管可以起到负反馈控制作用,可以使本发明的工作稳定性更高。
  • 一种模拟乘法器电路
  • [发明专利]一种原边反馈的反激变换器的采样电路-CN202311100617.6在审
  • 罗寅;肖会明;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司;四川甘华电源科技有限公司
  • 2023-08-30 - 2023-09-29 - H02M3/158
  • 本发明涉及开关电源技术领域,公开了一种原边反馈的反激变换器的采样电路,包括去磁时间检测模块、采样信号产生模块和采样信号宽度设置模块,其中去磁时间检测模块基于输入的PWM信号和反馈信号FB生成检测信号,采样信号产生模块基于检测信号生成第一反馈信号和第二反馈信号,第一反馈信号和第二反馈信号经过或非门处理后输出采样信号,采样信号宽度设置模块可以设置采样信号的脉宽;在使用时,本发明通过在检测信号的相邻两个周期中形成第一反馈信号和第二反馈信号,其中通过调整第一反馈信号的宽度和第二反馈信号的宽度以及对第一反馈信号和第二反馈信号进行异或处理可以改变本发明的反馈信号的采样点位置,从而能让采样点位置跟随去磁时间。
  • 一种反馈激变采样电路
  • [发明专利]一种电平位移电路-CN202311085953.8在审
  • 谭在超;刘建国;罗寅;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-08-28 - 2023-09-29 - H03K19/0185
  • 本发明涉及电平位移技术领域,公开了一种电平位移电路,包括反相器X1、第一信号处理单元、第二信号处理单元、第一下拉单元、第二下拉单元、第三下拉单元、第四下拉单元、第五下拉单元、第六下拉单元、第一上拉单元、第二上拉单元、第一开关单元和第二开关单元,反相器X1的输入端与第一脉冲产生单元电连接;反相器X1的输出端与第二脉冲产生单元电连接;在实际使用时,低压逻辑信号输入到反相器X1,通过第一脉冲产生单元和第二脉冲产生单元来产生第一脉冲和第二脉冲,以及通过第一脉冲、第二脉冲和本发明的电路架构可以加速电平转换速度,提高响应速度,另外通过控制第一脉冲和第二脉冲的宽度可以控制MOS管的导通时间,从而能降低工作功耗。
  • 一种电平位移电路
  • [发明专利]一种带温度补偿的电流偏置电路-CN201910627056.2有效
  • 谭在超;张胜;罗寅;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2019-07-12 - 2023-09-29 - G05F1/567
  • 本发明涉及一种带温度补偿的电流偏置电路,包括第一至第三MOS管、第一至第二三极管、第一电阻和温度补偿电路,温度补偿电路由第四至第五MOS管、第三至第六三极管和第二至第五电阻组成,温度补偿电路的输入端接电源VCC,输出端分别接第三MOS管、第二三极管和地,第一和第二三极管的个数比为1:n,第一至第三MOS管均采用PMOS管,第四至第五MOS管均采用NMOS管,第一、第二、第四至第六三极管均采用NPN型三极管,第三三极管采用PNP型三极管。该电路的温度特性调整或优化极为方便,可通过调节同一种类的第二至第五电阻的比例来实现电路的零温特性,从而大大提升生产工艺的一致性,提升产品良率。
  • 一种温度补偿电流偏置电路
  • [发明专利]一种SiC MOSFET及其制作工艺方法-CN202310836119.1有效
  • 罗寅;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-09-22 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种SiC MOSFET及其制作工艺方法,其可降低寄生体二极管的续流损耗,同时可确保SiC MOSFET正常导通及其反向耐压特性,SiC MOSFET包括自下而上依次分布的漏极金属层、衬底、漂移层、栅极绝缘层、栅极、分布于栅极两侧的源极金属层、P+Ge掺杂区、阱区、源区,P+Ge掺杂区、阱区、源区位于漂移层内,阱区位于漂移层的两侧顶部区域,P+Ge掺杂区纵向贯穿阱区后与漂移层接触,并将阱区分割为两个区域:条形区、L型区,源区位于L型区的直角内侧,P+Ge掺杂区的外侧端与条形区的内侧端接触,P+Ge掺杂区的内侧端与源区外侧端、L型区的底部侧端接触,源极金属层位于源区、P+Ge掺杂区顶端,P+Ge掺杂区与漂移层形成异质结。
  • 一种sicmosfet及其制作工艺方法
  • [发明专利]一种高效率光电池及其制造方法-CN202310915181.X有效
  • 罗寅;张胜;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-07-25 - 2023-09-22 - H01L31/076
  • 本发明涉及光电池技术领域,公开了一种高效率光电池及其制造方法,其中光电池包括从上往下依次层叠的衬底、埋氧层、外延层和二氧化硅层;外延层上设有第一介质隔离层、第二介质隔离层和深P阱区,深P阱区上设有N阱区,N阱区的顶部设有第一P+离子注入区和第一N+离子注入区,外延层上在深P阱区和第二介质隔离层之间设有第二N阱区,第二N阱区的顶面设有第二N+离子注入区;深P阱区的顶面在第一介质隔离层和N阱区之间设有第二P+离子注入区;在实际使用时,本发明的光电池形成三个PIN结构,而光在循环多次经过三个PIN结构时都能产生光电流,从而提高了光电池对光的利用效率和转换效率。
  • 一种高效率光电池及其制造方法
  • [发明专利]一种负电压比较电路-CN202311069526.0在审
  • 罗寅;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-08-24 - 2023-09-19 - H02M7/219
  • 本发明涉及电压比较技术领域,公开了一种负电压比较电路,包括向MOS管NM1、MOS管NM2和MOS管NM12提供偏置电流的偏置电流产生单元;MOS管NM2的源极用于输入检测电压,MOS管NM2的漏极与MOS管NM12的栅极电连接;MOS管NM12的源极接地;MOS管NM1的源极与温度补偿单元电连接;MOS管NM12的漏极与第一信号处理单元电连接;本发明在使用时通过MOS管NM1和温度补偿单元可以设置比较电压,而通过判断比较电压与检测电压的大小可以控制MOS管NM12的通断,控制MOS管NM12的通断可以决定MOS管NM12的漏极是否为低电平状态,而通过检测MOS管NM12的漏极电平状态可以判断检测电压是否小于比较点电压,无需引入额外的参考电压产生电路和负电源电路,从而节省了芯片面积和成本。
  • 一种电压比较电路
  • [实用新型]一种浸没液冷柜-CN202320740912.7有效
  • 王伟;罗寅;陈艳 - 广东合一新材料研究院有限公司
  • 2023-04-06 - 2023-09-19 - H05K7/20
  • 本实用新型公开了一种浸没液冷柜,包括缸体和第一隔板,所述第一隔板将缸体区分为浸没区和溢流区,所述第一隔板的上端面低于所述缸体的上端面,所述浸没区远离所述溢流区的侧面上设置有进液口。本实用新型通过在浸没区远离所述溢流区的侧面上设置有进液口,使得冷却液经过电子设备后直接向溢流区方向移动,有利于冷却液循环。
  • 一种浸没冷柜
  • [发明专利]一种过流保护电路、芯片、方法和开关电源-CN202310635611.2有效
  • 罗寅 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-06-01 - 2023-09-15 - H02H7/12
  • 本发明涉及MOSFET过流保护技术领域,公开了一种过流保护电路、芯片、方法和开关电源,其中过流保护电路包括驱动单元、PWM控制单元、过流检测单元、时钟信号产生单元、软启动单元、信号处理单元、判断单元、第一电流源和第二电流源,在实际使用时,本发明的判断单元通过判断是否接收到第一电平状态的过流保护信号来判断是否导通第三开关,让第一电流源给复位端连接的储能单元充电,如果在多个时钟周期后,过流检测单元持续输出第一电平状态的过流检测信号使第三开关持续导通,让复位端的电压上升到第二判断阈值时,判断单元通过软启动单元将第二输入端的电压拉低,使PWM控制单元重新启动进而实现出现持续过流状态时的保护。
  • 一种保护电路芯片方法开关电源
  • [发明专利]一种电源管理电路、方法和电源电路-CN202310840239.9有效
  • 罗寅;陈朝勇;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司;四川甘华电源科技有限公司
  • 2023-07-11 - 2023-09-15 - H02M1/08
  • 本发明涉及电源管理技术领域,公开了一种电源管理电路、方法和电源电路,电源管理电路用于控制MOS管的通断,包括具有第一输入端、第二输入端和控制输出端的管理单元,第一输入端与MOS管的输入端电连接,第二输入端与MOS管的输出端电连接,控制输出端与MOS管的控制端电连接;管理单元在第一输入端的电压大于第二输入端的电压时调整控制输出端的电压使第一输入端的电压与第二输入端的电压的压差稳定,在第一输入端的电压小于第二输入端的电压时调整控制输出端的电压使MOS管关断;在使用时,由于通过MOS管来控制电源与外部负载的通断,而MOS管的正向导通压降低,从而能够降低电源电路的正向导通损耗,不需要散热,而且还能降低电源电路的反向漏电流。
  • 一种电源管理电路方法

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