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[发明专利]具有平面化层的有机发光二极管显示器-CN202211493033.5在审
发明人： P·曼德里克;B·拉尔古迪·维斯韦沃兰;A·马哈詹;C-H·常;C·E·格拉佐夫斯基;D·L·韦;芦慧;石井孝英;T·阿分塔克斯;刘晗;谢承志;A·瑟曼;张世昌;陈科维;林上智;蔡宗廷;崔宰源;A·贾姆希德·罗德巴里;常鼎国;J-P·S·吉罗 -专利权人：苹果公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10K50/84 文献下载
摘要：本公开涉及具有平面化层的有机发光二极管显示器。本文公开了一种可具有显示器诸如有机发光二极管显示器的电子设备。有机发光二极管(OLED)显示器可具有有机发光二极管像素阵列，该有机发光二极管像素各自具有插置在阴极和阳极之间的OLED层。第一钝化层、第一平面化层和第二钝化层可形成在阴极上方。第一钝化层和第二钝化层可由无机材料形成。第二平面化层可以形成在第二钝化层上方介于第二钝化层与偏振片之间。第二平面化层可以在显示器的有效区域的边缘处平坦化偏振片，其中该偏振片否则将具有陡峭的锥度。以这种方式平坦化偏振片减轻从偏振片的不期望的二次反射。第一平面化层和第二平面化层可由有机材料形成。
具有平面化有机发光二极管显示器

[发明专利]半导体器件和方法-CN201910563432.6有效
发明人：蔡济印;陈俊仁;郑培仁;李启弘;陈科维;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和方法。在一个实施例中，一种器件包括：衬底；第一半导体区域，从衬底延伸，第一半导体区域包括硅；第二半导体区域，在第一半导体区域上，第二半导体区域包括硅锗，第二半导体区域的边缘部分具有第一锗浓度，第二半导体区域的中心部分具有小于第一锗浓度的第二锗浓度；栅极堆叠，在第二半导体区域上；以及源极和漏极区域，在第二半导体区域中，源极和漏极区域与栅极堆叠相邻。
半导体器件方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管结构及其制造方法-CN201611181546.7有效
发明人：蔡俊雄;方子韦;王参群;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种鳍式场效应晶体管，其包括衬底、至少一个栅极堆叠件和外延材料部分。所述衬底具有鳍和位于鳍之间的绝缘体，所述鳍包含沟道部分和位于所述沟道部分旁边的侧翼部分。所述至少一个栅极堆叠件设置在绝缘体和鳍的沟道部分的上方。所述外延材料部分设置于鳍的侧翼部分的上方和至少一个栅极堆叠件的两侧。设置在所述鳍的侧面上的所述外延材料部分互相隔离。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管结构及其制造方法。
场效应晶体管结构及其制造方法

[发明专利]激光装置及其使用方法-CN202210383362.8在审
发明人：谢裕华;郑英彦;顾文昱;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：本公开涉及激光装置及其使用方法。本文所述的一些实施方式提供了一种激光装置。该激光装置包括所述激光装置的第一部分，位于所述激光装置的近端，所述第一部分包括一个或多个光学器件，其中，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波。该激光装置包括所述激光装置的第二部分，位于所述激光装置的远端，所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为：支持从光学晶体发射所述第二电磁波，并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射。
激光装置及其使用方法

[发明专利]操作化学机械平坦化用具的方法-CN202010848750.X有效
发明人：陈东楷;王上瑜;潘婉君;魏民忠;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种操作化学机械平坦化用具的方法。方法包括使用一粘着剂，将一研磨垫附接至一化学机械平坦化用具的一平台的一第一表面，从平台移除研磨垫，其中在移除研磨垫之后，粘着剂的多个残余部分残留在平台的第一表面上，使用一荧光材料来识别平台的第一表面上的粘着剂的残余部分的多个位置，并且从平台的第一表面移除粘着剂的残余部分。
操作化学机械平坦化用方法

[发明专利]外接音频装置及操作外接音频装置的方法-CN202110612807.0在审
发明人： 陈科维;黄立维;邱舒业;邱升南 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本公开涉及外接音频装置及操作外接音频装置的方法。外接音频装置包含通用串行总线插头、音频插座、通用串行总线通信电路、音频插座侦测电路、第一电源电路、第二电源电路及控制电路。通用串行总线通信电路根据通用串行总线通信标准与耦接至通用串行总线插头的电脑装置建立连线。音频插座侦测电路侦测音频插座的插入状态。第一电源电路根据通用串行总线插头所接收的第一电源产生第二电源至通用串行总线通信电路，第二电源电路根据第一电源产生第三电源至音频插座侦测电路。控制电路根据音频插座的插入状态启用或禁用第一电源电路。
外接音频装置操作方法

[发明专利]在化学机械平坦化期间移除杂质的方法-CN202210611469.3在审
发明人：侯德谦;粘博钦;陈志宏;陈盈淙;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种化学机械平坦化系统，包括在化学机械平坦化制程期间旋转的一化学机械平坦化垫。在制程期间，一化学机械平坦化头将半导体晶圆放置与化学机械平坦化垫接触。在制程期间，一研磨浆供给系统将研磨浆供给至垫上。在制程期间，一垫调节件调节上述垫。一杂质去除系统从研磨浆去除碎屑及杂质。
化学机械平坦期间杂质方法

[发明专利]音频控制电路、主装置及相关的控制方法-CN202110374363.1在审
发明人： 陈科维;刘兆伟;刘正凯 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种音频控制电路、主装置及相关的控制方法，该音频控制电路包含一USB接口电路、一特定接口电路以及一处理电路。该处理电路通过该特定接口电路自一主装置接收多个参数，并在通过该USB接口电路与该主装置的列举过程中，使用该多个参数来与该主装置进行列举操作。
音频控制电路装置相关控制方法

[发明专利]音频转接器的控制电路及控制方法-CN202110208306.6在审
发明人： 陈科维;刘兆伟;邱舒业;邱升南 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11B20/10 文献下载
摘要：本发明公开一种音频转接器的控制电路及控制方法。该音频转接器包含一按钮及一麦克风，该麦克风产生一录音数据。该控制电路包含一按钮检测电路、一先进先出数据缓冲器、一USB末端点缓冲器、一静音电路以及一USB末端点控制电路。按钮检测电路用来检测该按钮是否被按压。先进先出数据缓冲器用来存储该录音数据。USB末端点缓冲器用来存储该录音数据。静音电路用来基于该按钮是否被按压控制该录音数据是否被传送至该USB末端点缓冲器。USB末端点控制电路用来基于该按钮是否被按压控制该音频转接器是否输出该录音数据。
音频转接控制电路控制方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910203695.6有效
发明人：龚俊豪;陈东楷;张智桀;廖高锋;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：此处说明化学机械研磨的研磨液的形成方法，以及在含有金属结构的基板上进行化学机械研磨工艺的方法。化学机械研磨的研磨液的形成方法，可采用螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，此比例取决于基板的金属材料电位。可依据化学机械研磨的研磨液的螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，在基板上进行化学机械研磨工艺。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体处理方法-CN202210280514.1在审
发明人：崔骥;陈志宏;陈亮光;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体处理工具。半导体处理工具包括一清洁腔室。清洁腔室被配置为以无氧(或接近无氧)方式执行化学机械平坦化后清洁操作。可将惰性气体提供至清洁腔室中，以从清洁腔室中移除氧气，使得可在无氧(或接近无氧)环境中执行化学机械平坦化后清洁操作。如此一来，可在降低半导体晶圆上和/或半导体晶圆中的金属化层和/或金属化结构的氧引起的腐蚀的环境中执行化学机械平坦化后清洁操作，这可增加半导体制程良率、可降低半导体制程缺陷和/或可提高半导体制程品质等。
半导体处理方法

[发明专利]音频控制电路及相关的控制方法-CN202110351605.5在审
发明人： 陈科维;曹伦诚;林启义 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06F3/16 文献下载
摘要：本发明公开一种音频控制电路及相关的控制方法，其中该音频控制电路包含了一USB接口电路以及一处理电路。该USB接口电路用以连接至一主装置，且该处理电路用以通过该USB接口电路与该主装置进行列举操作，并通过与该主装置在列举过程中的封包内容来判断该主装置是操作于一BIOS阶段或是一操作系统阶段，以供产生一控制信号；其中当该处理电路判断该主装置操作于该BIOS阶段时，该处理电路产生该控制信号以开启一爆音抑制电路；以及当该处理电路判断该主装置操作于该操作系统阶段时，该处理电路产生该控制信号以关闭该爆音抑制电路。
音频控制电路相关控制方法

[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法-CN201611193592.9有效
发明人：蔡俊雄;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明描述了鳍型场效应晶体管，包括衬底、绝缘体、栅极堆叠件、密封间隔件、第一偏移间隔件和第二偏移间隔件。衬底具有位于其上的鳍。绝缘体位于衬底上方和鳍之间。栅极堆叠件位于鳍上方和绝缘体上方。密封间隔件位于栅极堆叠件的侧壁上方。第一偏移间隔件位于密封间隔件上方。第二偏移间隔件位于第一偏移间隔件上方。本发明的实施例还涉及鳍型场效应晶体管的制造方法。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]基于区域的CMP目标控制-CN201910919205.2有效
发明人：钟泽良;涂哲豪;陈科维;刘志文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本公开涉及基于区域的CMP目标控制。本公开涉及晶圆的化学机械抛光中的基于区域的CMP目标控制的技术。在晶圆的表面上标识多个区域。在CMP工艺序列中，在每个区域上实现CMP目标。该序列中的每个CMP工艺使用对其他区域为选择性的CMP工艺来仅为一个区域实现CMP目标。
基于区域 cmp 目标控制

[发明专利]用于制造鳍式场效应晶体管和半导体器件的方法-CN201610785729.3有效
发明人：蔡俊雄;詹前泰;方子韦;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法。该方法包括以下步骤。在具有半导体鳍的衬底上方形成栅极堆叠件。在栅极堆叠件旁边的半导体鳍中形成凹槽。实施预清洗工艺以去除在凹槽的表面上的本征氧化物。在预清洗工艺之后，使用含氟气体和第一氢气对凹槽实施选择性接近推送工艺。在凹槽中形成应变层。本发明的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法。
用于制造场效应晶体管半导体器件方法

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