“林揆伦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠-CN202110644015.1有效
发明人：张家源;赖德洋;林揆伦;于雄飞;徐志安;林宗达;侯承浩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供了用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠。一种形成半导体结构的方法包括：分别在衬底的NMOS区域和PMOS区域中提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第一层；在第二沟道层上方而不在第一沟道层上方形成第一偶极图案；通过退火将来自第一偶极图案的第一金属驱动到第一层中；去除第一偶极图案；在第一层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第二层；在第二层和第一沟道层上方而不在第二沟道层上方形成第二偶极图案；通过退火将来自第二偶极图案的第二金属驱动到第二层中；去除第二偶极图案；以及在第二层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包含氧化铪的第三层。
用于函数工程层高栅极堆叠

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310388319.5在审
发明人：庄曜滕;林揆伦;赖德洋;李达元;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了半导体器件和制造具有不同阈值电压的半导体器件的方法。在实施例中，通过偶极子材料的沉积、扩散和去除来调谐各个半导体器件的阈值电压，以便在不同的晶体管内提供不同的偶极子区域。这些不同的偶极子区域使得不同的晶体管具有不同的阈值电压。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有掺杂栅极电介质层的半导体器件及其形成方法-CN202310292622.5在审
发明人：庄曜滕;林揆伦;赖德洋;李达元;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请公开了具有掺杂栅极电介质层的半导体器件及其形成方法。在实施例中，提供了包括第一掺杂栅极电介质层和第二掺杂栅极电介质层的半导体器件，其中第一掺杂栅极电介质层和第二掺杂栅极电介质层包括掺杂有偶极掺杂剂的高k材料。第一掺杂栅极电介质层中的偶极掺杂剂的浓度大于第二掺杂栅极电介质层的偶极掺杂剂的第二浓度，第一掺杂栅极电介质层中的偶极掺杂剂的浓度峰值比第二掺杂栅极电介质层中的偶极掺杂剂的浓度峰值深。第一栅极电极在第一掺杂栅极电介质层之上，与第一栅极电极相同宽度的第二栅极电极在第二掺杂栅极电介质层之上。
具有掺杂栅极电介质半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210814763.4在审
发明人：李欣桦;李达元;林揆伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一些实施例提供了半导体器件。半导体器件包括设置在沟道区上方的界面层、设置在沟道区上方的栅极介电结构、以及设置在栅极介电结构上方的栅电极。栅极介电结构包括设置在界面层上方的第一金属的氧化物的第一层和设置在第一层上方的第二金属的氧化物或硅酸盐的第二层。第一层具有第一厚度，并且第二层具有比第一厚度大至少三倍的第二厚度。第一金属的氧化物的氧面密度大于第二金属的氧化物的氧面密度。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN202210523897.0在审
发明人：陈彦甫;林揆伦;李达元;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括在基底结构中形成第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽具有第一纵横比，并且第二沟槽具有低于第一纵横比的第二纵横比。然而执行沉积工艺以沉积层。该层包括延伸到第一沟槽中的第一部分以及延伸到第二沟槽中的第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具有比第一厚度大第一差值的第二厚度。方法还包括执行回蚀刻工艺以蚀刻该层。在回蚀刻工艺之后，第一部分具有第三厚度，并且第二部分具有第四厚度。第三厚度和第四厚度之间的第二差值小于第一差值。
形成半导体结构方法

[发明专利]半导体装置-CN202210286222.9在审
发明人：詹咏翔;黄文宏;廖善美;林揆伦;陈建豪;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个半导体层的堆叠，垂直配置于半导体基底结构上；栅极介电层，具有多个部分各自围绕半导体层的一者；以及栅极，围绕栅极介电层。栅极介电层的每一部分具有顶部位于个别的半导体层上，以及底部位于半导体层下。顶部具有沿着垂直于半导体基底结构的上表面的垂直方向的顶部厚度，且底部具有沿着垂直方向的底部厚度。顶部厚度大于底部厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN202210071236.9在审
发明人： 林揆伦;陈彦甫;李达元;林宗达;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构的形成方法。半导体装置结构的形成方法包括提供基板与基板之上的绝缘层。半导体装置结构的形成方法包括利用原子层沉积制程于绝缘层之上及宽沟槽与窄沟槽中沉积栅极介电层。半导体装置结构的形成方法包括于栅极介电层之上形成栅极电极层。半导体装置结构的形成方法包括移除位于宽沟槽与窄沟槽之外的栅极介电层与栅极电极层。
半导体装置结构形成方法

[发明专利]晶体管栅极的形成方法-CN202110889860.5在审
发明人：邱彦睿;庄曜滕;林揆伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种晶体管栅极的形成方法包含形成第一及第二鳍片，各个鳍片包含交替堆叠的第一及第二半导体层；在第一及第二鳍片上方形成虚设栅极结构，及在虚设栅极结构的任一侧上形成栅极间隔物；移除虚设栅极结构以形成第一及第二栅极沟渠；移除第一半导体层使得第二半导体层悬置在第一及第二栅极沟渠中；在第二半导体层周围沉积第一介电层，及在第一介电层周围沉积第二介电层；执行ALD制程以在第二介电层周围形成硬遮罩层，ALD制程包含在长于约1秒的第一脉冲时间内脉冲第一前驱物；图案化硬遮罩层；及在第二栅极沟渠中蚀刻第二栅极介电层的一部分。
晶体管栅极形成方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN202110387423.3在审
发明人： 林揆伦;许家玮;于雄飞;徐志安;许智育;陈建豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和方法。在一个实施例中，一种方法包括：在第一鳍和第二鳍上沉积栅极电介质层，第一鳍和第二鳍在第一方向上远离衬底延伸，第一鳍和第二鳍之间的距离沿着第一方向减小；通过将栅极电介质层暴露于自限制源前体和自反应源前体，来在栅极电介质层上沉积牺牲层，自限制源前体反应以形成牺牲层的材料的初始层，自反应源前体反应以形成牺牲层的材料的主层；在牺牲层覆盖栅极电介质层时，对栅极电介质层进行退火；在对栅极电介质层进行退火之后，去除牺牲层；以及在去除牺牲层之后，在栅极电介质层上形成栅极电极层。
半导体器件方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202110151249.2在审
发明人：许智育;陈建豪;陈嘉伟;廖善美;陈蕙祺;梁育嘉;林士豪;林揆伦;游国丰;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种晶体管包括具有第一栅极介电层和第二栅极介电层的栅极结构。第一栅极介电层设置在衬底上方。第一栅极介电层包含具有第一介电常数的第一类型的介电材料。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上方。第二栅极介电层包含具有第二介电常数的第二类型的介电材料。第二介电常数大于第一介电常数。第一介电常数和第二介电常数各自大于氧化硅的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202011182854.8在审
发明人： 林揆伦;陈彦甫;林柏廷;张家源;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供半导体装置与其形成方法。方法包括形成鳍状物，且鳍状物自基板延伸；以及沿着鳍状物的上表面与侧壁形成栅极介电层。沿着鳍状物的上表面的栅极介电层的第一厚度，大于沿着鳍状物的侧壁的栅极介电层的第二厚度。
半导体装置形成方法

1
共 11 条