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[发明专利]半导体器件以及半导体器件的形成方法-CN202310013677.8在审
发明人：曹博昭;林宪信 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基板、鳍结构和外延源/漏结构。基板包括基板层及位于基板层上的绝缘体层。鳍结构形成于基板上方，其中鳍结构包括栅极结构以及被栅极结构包裹的沟道层。外延源/漏结构连接沟道层，其中外延源/漏结构的底部接触基板的绝缘层。该半导体器件可以改善基板漏电问题。
半导体器件以及形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310020639.5在审
发明人：曹博昭;林宪信 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括：绝缘层；第一场效应晶体管装置、第二场效应晶体管装置和隔离场效应晶体管装置，包括：鳍状结构，形成于该绝缘层上，该鳍状结构包括沟道层以及环绕该沟道层的栅极结构；以及第一外延源极/漏极结构和第二外延源极/漏极结构，分别连接于该沟道层的相对的两侧，该隔离场效应晶体管装置保持截止状态；正面栅极接触；以及背面栅极接触。利用保持在截止状态的隔离场效应晶体管装置可以将第一场效应晶体管装置和第二场效应晶体管装置进行电性隔离，减小漏电流和基板泄漏；因此本发明实施例的方案可以使用更小的面积占用来减小漏电流和基板泄漏。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201811450890.0有效
发明人： 林宪信 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种形成晶体管的方法，包括：提供基板以及形成在所述基板上的多个栅极结构；在所述多个栅极结构之间形成牺牲层；在所述牺牲层的一部分上形成遮罩层，所述牺牲层包括由所述遮罩层遮住的第一部分和未由所述遮罩层遮住的第二部分；去除所述牺牲层的第二部分形成第一开口；在所述第一开口中形成所述介电层；去除所述遮罩层；去除所述牺牲层的第一部分形成第二开口；以及在所述第二开口中形成第一接触插塞。这样可以更加准确的控制接触的尺寸，并且可以使接触与栅极保持分隔开，使得接触仅形成在栅极结构之间的位置处，防止接触形成在栅极结构之上。因此，可以减小栅极和接触之间的电容，最小化电容变化，保持运行稳定。
晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法-CN202110626177.2在审
发明人：杨明宗;林宪信;万文恺;钟嘉哲;刘致为 -专利权人：联发科技股份有限公司;刘致为
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及形成半导体装置的方法，半导体装置包括：散热基板，其中，该散热基板的导热系数大于200Wm‑1K‑1：以及装置层，设置在该散热基板上，其中该装置层包括晶体管。这样从装置层的FinFET或GAA晶体管或半导体装置中的其他特征产生的热量可以通过散热基板消散，从而改善了半导体装置中的散热。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN201410665896.5有效
发明人：许育荣;余振华;陈昭成;蔡明桓;林宪信;宋学昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件及其制造方法，半导体组件包含半导体基材、栅极结构位于部分的基材上、以及数个应变结构位于此部分基材的任一边上且由不同于半导体基材的半导体材料所构成。此部分的基材为T字型，而具有一水平区与一垂直区，此垂直区自水平区而以一方向远离基材的表面。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201711071262.7在审
发明人： 林宪信;杨明宗;万文恺 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括：栅极结构，设置在平行布置的鳍状结构上，其中每个鳍状结构的栅极结构的两侧上具有漏极部分和源极部分；漏极接触结构，设置在所述鳍状结构的漏极部分上方；源极接触结构，设置在所述鳍状结构的源极部分上方；具有第一数量的漏极通孔结构，与所述漏极接触结构电连接；以及具有第二数量的源极通孔结构，与所述源极接触结构电连接，其中所述第一数量与所述第二数量之和大于或等于2，并且所述第一数量与所述第二数量之和小于或等于所述鳍状结构数量的两倍。本发明大大降低了半导体装置的热电阻值，从而减少半导体装置产生的热量，还可以增加半导体装置的散热渠道和散热面积，改善半导体装置的散热能力。
半导体装置鳍状结构漏极漏极接触源极接触栅极结构电连接源极平行布置散热能力散热渠道通孔结构源极通孔散热热电

[发明专利]制造应变源极/漏极结构的方法-CN201210029796.4有效
发明人：郭紫微;宋学昌;陈冠宇;林宪信 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。所公开的方法提供了用于在半导体器件中形成改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的工艺。具有改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的半导体器件可以防止或者降低缺陷，并且获得较好的应变效果。在至少一个实施例中，轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件包含通过外延生长形成的相同的半导体材料。
制造应变结构方法

[发明专利]制造应变的源极/漏极结构的方法-CN201110271896.3有效
发明人：郭紫微;宋学昌;陈冠宇;林宪信 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本申请公开了一种制造应变的源极/漏极结构的方法。本公开的方法提供了一种用于在半导体器件中形成改进的源极/漏极部件的工艺过程。带有改进的源极/漏极部件的半导体器件可以防止或减少缺陷并且由外延层实现高的应变效应。在实施例中，该源极/漏极部件包括围绕着第一部分的第二部分和在第二部分和半导体衬底之间的第三部分，其中，第二部分具有与第一和第三部分不同的成分。
制造应变结构方法

[发明专利]高性能应变源极-漏极结构及其制造方法-CN201110220721.X有效
发明人：宋学昌;蔡明桓;林宪信;郑振辉;范玮寒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种用于制造高性能应变源极-漏极结构的方法，包括：在基板上形成栅极结构，在接近栅极结构的位置上形成袋状注入区域；在邻近栅极结构的位置上形成隔离件；实施干式蚀刻，以形成具有第一轮廓的凹部；实施湿式蚀刻，以将凹部扩大成第二轮廓；以及实施热蚀刻，以将凹部扩大成第三轮廓；然后，在具有第三轮廓的凹部中形成源极-漏极结构。本发明还提供了一种高性能应变源极-漏极结构。
性能应变结构及其制造方法

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN201010614922.3无效
发明人：许育荣;余振华;陈昭成;蔡明桓;林宪信;宋学昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件及其制造方法，半导体组件包含半导体基材、栅极结构位于部分的基材上、以及数个应变结构位于此部分基材的任一边上且由不同于半导体基材的半导体材料所构成。此部分的基材为T字型，而具有一水平区与一垂直区，此垂直区自水平区而以一方向远离基材的表面。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]鳍式场效晶体管及其制造方法-CN201010243829.6有效
发明人：陈弘凯;林宪信;林家彬;詹前泰;彭远清 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了鳍式场效晶体管及其制造方法，其方法包含形成延伸至一半导体基底的上方的一第一鳍状物和一第二鳍状物、与位于二者之间的一浅沟槽隔离区。一间隔定义于浅沟槽隔离区的上表面上方的第一与第二鳍状物之间。一第一高度定义于该浅沟槽隔离区的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间。一流动性的介电材料经沉积而置入间隔内。介电材料的上表面位于浅沟槽隔离区的上表面的上方，而在介电材料的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间定义出一第二高度。第二高度小于第一高度。在沉积步骤之后，在第一、第二鳍状物上，分别以外延成长形成位于介电材料上方的第一、第二鳍状物延伸结构。本发明减少或避免相邻的鳍状物延伸结构之间的间隙的窄化。
鳍式场效晶体管及其制造方法

[发明专利]集成电路结构的形成方法-CN201010603967.0有效
发明人：苏建彰;郭紫微;林宪信;宋学昌;白易芳;陈冠宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路结构的形成方法，该方法包含提供晶片，其包含基底与基底的主要表面上的半导体鳍片，以及进行沉积步骤，在半导体鳍片的上表面与侧壁上外延生长外延层，其中外延层包含半导体材料。然后，进行蚀刻步骤，移除一部分的外延层，在半导体鳍片的上表面与侧壁上留下外延层的剩余部分。采用本发明提供的方法，能够经由外延层的融合所产生的空隙(如果真的形成)至少会减小，且可能会被消除。
集成电路结构形成方法

[发明专利]鳍式场效晶体管-CN201010206805.3有效
发明人： 林宪信;郭紫微;苏建彰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效晶体管。该鳍式场效晶体管包含：基板、鳍式结构、栅极结构、外延层以及通道。基板包含晶状半导体物质，并包含具有第一晶面方向的顶层表面。鳍式结构包含晶状半导体物质，覆盖于基板上。栅极结构覆盖于该鳍式结构的一部份。外延层覆盖于鳍式结构的另一部份，外延层包含具有第二晶面方向的表面。外延层以及其下的鳍式结构包含通过栅极结构隔离的漏极区以及源极区。通道定义于鳍式结构中，自源极区延伸至漏极区，并与基板的顶层表面以及外延层的表面沿平行方向对齐。
鳍式场效晶体管

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN201010529486.X无效
发明人：苏建彰;林宪信;郭紫微;陈冠宇;宋学昌;白易芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体装置及其制作方法，该方法包括提供一基底，形成多个鳍于基底上方，上述鳍借由一隔离结构彼此隔离，形成一栅极结构于每个鳍的部分上方，分别于栅极结构的侧壁形成间隙壁，于每个鳍的暴露部分外延成长硅，其中外延工艺加入一不纯物元素，不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群，及于外延硅掺杂n型掺杂物。本发明通过不纯物元素能偶外延硅的成长速率，可减少硅表面上的掺杂毒化，并使浅沟槽隔离具有良好的选择性，从而使得外延硅中的缺陷因而减少。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制法-CN201010125578.1无效
发明人： 林宪信;谢博全;陈振平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制法。半导体元件包括一基材、一隔离结构特征设置于基材上、以及有源区相邻于隔离结构特征。隔离结构特征可以是浅沟隔离结构(STI)特征。浅沟隔离结构特征在顶部具有一第一宽度，与在底部具有一第二宽度，其中第一宽度小于第二宽度。本发明另外提供一种半导体元件的制作方法。制作方法包括形成浅沟隔离结构特征，以及成长外延层相邻于浅沟隔离结构特征以形成有源区。本发明的优点包括但不限于，改善浅沟隔离结构特征的品质与制作性。本发明可提供的优点在于，使形成有源元件的区域中具有较大宽度(亦即相对于基材的位置)，因此，能增加有源区域的有效顶部宽度。
半导体元件及其制法

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