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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法-CN202210625244.3在审
发明人：郑智轩;陈介方;王圣祯;沈杰一;贾汉中;朱峯庆;林孟汉;杨丰诚;林佑明;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供了一种形成半导体存储器结构的方法。所述方法包括在衬底上方形成堆叠件，并且堆叠件包括垂直交替布置的第一介电层和第二介电层。方法还包括形成穿过堆叠件的第一介电柱，以及蚀刻堆叠件以形成第一沟槽。第一介电柱的侧壁暴露于第一沟槽。方法还包括去除第一介电柱以形成贯通孔，去除堆叠件的第二介电层以在第一介电层之间形成间隙，以及在间隙中形成第一导线。本申请的实施例提供了半导体存储器结构及其形成方法。
半导体存储器结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210409098.0在审
发明人： 朱峯庆;李威养;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法，包括：对鳍片堆叠执行第一蚀刻工艺，以形成位于第一深度的第一凹槽与第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽在栅极结构的两侧，栅极结构在鳍片堆叠上。方法还包括在第一凹槽与第二凹槽之中沉积内间隔物。方法还包括在沉积内间隔物之后，执行第二蚀刻工艺以延伸第一凹槽的深度至第二深度。方法还包括在第一凹槽之中形成虚设接触区；在虚设接触区上在第一凹槽之中形成源极结构；以及在第二凹槽之中形成漏极结构。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210505638.5在审
发明人： 朱峯庆;李威养;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：公开半导体装置与其制造方法。例示性的制造方法包括接收基板，其包含半导体材料堆叠形成其上，其中半导体材料堆叠包括第一半导体材料的第一半导体层与第二半导体材料的第二半导体层，且第二半导体材料不同于第一半导体材料。图案化半导体材料堆叠以形成沟槽。图案化步骤包括以第一蚀刻剂进行第一时间的第一蚀刻工艺；并以第二蚀刻剂进行第二时间的第二蚀刻工艺，其中第二蚀刻剂不同于第一蚀刻剂，且第二时间大于第一时间。重复数次的第一蚀刻工艺与第二蚀刻工艺。接着外延成长第一半导体材料的第三半导体层于沟槽的侧壁上。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210007493.6在审
发明人： 朱峯庆;杨丰诚;姜慧如;林仲德;陈介方 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供半导体结构和用于形成半导体结构的方法。半导体结构包括衬底以及衬底上方的介电堆叠件。介电堆叠件包括衬底上方的第一层和第一层上方的第二层。半导体结构还包括栅极层，该栅极层包括穿过第二层的第一部分以及在第一层和第二层之间延伸的第二部分。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202111006744.0在审
发明人： 朱峯庆;温宗锜;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件及其形成方法。根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：多个沟道构件，设置在衬底上方；多个内部间隔件部件，与多个沟道构件交错；栅极结构，包裹多个沟道构件的每个；以及源极/漏极部件。源极/漏极部件包括：第一外延层，与衬底和多个沟道构件接触；以及第二外延层，与第一外延层和多个内部间隔件部件接触。第一外延层和第二外延层包括硅锗。第二外延层的锗含量大于第一外延层的锗含量。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202110660780.2在审
发明人： 朱峯庆;李威养;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：隔离结构；第一源极/漏极部件(S/D)以及第二源极/漏极部件，在隔离结构上，定义第一方向，在俯视图中，第一方向从第一源极/漏极部件至第二源极/漏极部件；一个或多个通道层，连接第一源极/漏极部件以及第二源极/漏极部件；栅极结构，在第一源极/漏极部件以及第二源极/漏极部件之间，且齿合每个通道层；以及导孔结构，在第一源极/漏极部件下方，且电性连接至第一源极/漏极部件。在垂直于第一方向的剖面图中，导孔结构具有轮廓，轮廓沿着由下至上的方向由宽至窄。
半导体结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110167965.X在审
发明人： 朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：根据本发明实施例的一种半导体器件包括第一器件区域中的全环绕栅极(GAA)晶体管和第二器件区域中的鳍型场效应晶体管(FinFET)。GAA晶体管包括多个垂直堆叠的沟道构件和多个垂直堆叠的沟道构件上方和周围的第一栅极结构。FinFET包括鳍形沟道构件和鳍形沟道构件上方的第二栅极结构。鳍形沟道构件包括由牺牲层交错的半导体层。本申请的实施例还提供一种形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110139580.2在审
发明人： 朱峯庆;李威养;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括蚀刻衬底上方的两个源极/漏极区以形成两个源极/漏极沟槽；在两个源极/漏极沟槽中分别外延生长两个源极/漏极部件；对两个源极/漏极部件执行切割工艺；以及在切割工艺之后，在两个源极/漏极部件上方沉积接触蚀刻停止层(CESL)。本申请的实施例还提供一种半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202110184533.X在审
发明人： 朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：公开了用于实施预清洁工艺以去除半导体器件中的氧化物的方法以及由相同方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成浅沟槽隔离区域；在浅沟槽隔离区域上方形成栅极堆叠件；使用各向异性蚀刻工艺蚀刻与栅极堆叠件相邻的浅沟槽隔离区域；以及在用各向异性蚀刻工艺蚀刻浅沟槽隔离区域之后，用各向同性蚀刻工艺蚀刻浅沟槽隔离区域，用于各向同性蚀刻工艺的工艺气体包括氟化氢(HF)和氨(NH3)。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110185494.5在审
发明人： 朱峯庆;温宗錡;吕伟元;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包含在两个相邻鳍结构之间延伸的合并源极/漏极部件。在该合并源极/漏极部件下形成气隙。形成外延部件包括：生长具有位于第一鳍结构的上方的第一部分和位于第二鳍结构的上方的第二部分的第一外延部件，在第一鳍部件的第一部分和第二部分的上方生长第二外延部件，以及第二外延部件的上方生长第三外延部件。该第二外延部件包括第一鳍结构与第二鳍结构之间的合并部分。本申请的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202110195656.3在审
发明人： 朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法包括提供一种结构，该结构具有在衬底上方的第一鳍和第二鳍并且通常沿着第一方向纵向定向和第一鳍和第二鳍上方的源极/漏极(S/D)部件；形成覆盖S/D部件的层间介电(ILD)层；至少对S/D部件之间的区域执行第一蚀刻工艺，从而在ILD层中形成沟槽；在沟槽中沉积介电材料；执行第二蚀刻工艺以选择性地使介电材料凹进；然后执行第三蚀刻工艺以选择性地使ILD层凹进，从而形成暴露S/D部件的接触孔。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN202110219402.0在审
发明人： 朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法包括自基板延伸的鳍状结构与栅极结构位于鳍状结构上。外延结构形成于鳍状结构上以与栅极结构相邻。外延结构可包含中空区(或填入中空区的介电层)于外延的源极/漏极区中。进行选择性蚀刻工艺移除具有第二掺质种类的外延区的至少一部分，以形成中空区于第一外延部分与第三外延部分之间。
半导体装置制作方法

[发明专利]集成电路装置及其形成方法-CN201810384829.4有效
发明人： 朱峯庆;李威养;陈燕铭;杨丰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开集成电路装置及此装置的形成方法的各种范例。在一范例中，一方法包含接收工件，工件包含基底以及装置鳍延伸至基底上方，装置鳍包含沟道区，蚀刻与沟道区相邻的装置鳍的一部分，且此蚀刻产生源极/漏极凹口并在源极/漏极凹口中形成介电阻障质，清洁工件使得介电阻障质的最底部分保留在源极/漏极凹口的最底部分中，在源极/漏极凹口中形成源极/漏极部件，使得介电阻障质的最底部分设置于源极/漏极部件与装置鳍的余留部之间。
集成电路装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910894295.4在审
发明人：林资敬;林建智;朱峯庆;舒丽丽;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法包括形成鳍片突出于基板之上，形成栅极结构于鳍片之上，形成凹槽于邻近栅极结构的鳍片中；以及形成源极/漏极区域于凹槽中，源极/漏极区域包括第一膜层、第二膜层、及第三膜层。形成源极/漏极区域包括：在第一工艺条件下进行第一外延工艺以在凹槽中形成第一膜层，第一膜层沿着凹槽所露出的鳍片的表面延伸，在第二工艺条件下进行第二外延工艺以在第一膜层上形成第二膜层；以及在第三工艺条件下进行第三外延工艺以在第二膜层上形成第三膜层，第三膜层填充凹槽。第一工艺条件、第二工艺条件、及第三工艺条件不同。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910921640.9在审
发明人：林资敬;林建智;朱峯庆;吴卓斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间的鳍状物中；以及形成外延的源极/漏极区于凹陷中，包括：配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第一层衬垫凹陷的侧部与底部，以及在成长第一层之后，配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第二层于第一层上，其中成长第一层时以第一流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者，而成长第二层时以第二流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者。
半导体装置形成方法

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