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- [发明专利]形成栅极的方法-CN201410265004.2有效
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蒋莉;黎铭琦
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2014-06-13
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2018-03-30
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H01L21/28
- 本发明提供一种形成栅极的方法，包括提供衬底，使衬底具有第一区域以及第二区域；形成伪栅以及层间介质层；形成牺牲层；去除位于第一区域的伪栅，以在第一区域的层间介质层中形成第一开口；在位于第二区域的牺牲层表面、第一区域的层间介质层表面以及第一开口中形成第一金属层；通过化学机械研磨去除部分第一金属层以及部分牺牲层以形成第一栅极。本发明的有益效果在于，在化学机械研磨的过程中使第二区域中的伪栅不被暴露出，减少化学机械研磨过度去除第二区域中的伪栅而形成凹陷的问题，从而伪栅以及层间介质层构成的表面较为平整、高度较为一致，这样有利于减少后续形成栅极时可能发生的桥接问题
- 形成栅极方法
- [发明专利]形成栅极的方法-CN201010569006.2有效
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洪中山;李凡
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2010-12-01
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2012-06-06
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H01L21/28
- 一种形成栅极的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有介质层，在所述介质层中形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和位于所述半导体衬底与伪栅极之间的栅介质层，所述伪栅极结构周围具有侧墙；去除部分所述伪栅极和侧墙，在所述伪栅极和所述侧墙上形成第一沟槽，所述第一沟槽的顶部宽度大于底部宽度；去除剩余的伪栅极，形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内填充栅极材料，形成栅极。本发明由于形成的栅极沟槽顶部宽度大于底部宽度，有利于栅极材料的填充，改善栅极材料的填充性能，避免或者至少减少在栅极中形成空隙。而且，在形成顶部宽度大于底部宽度的第一沟槽时，不会损害半导体衬底。
- 形成栅极方法
- [发明专利]形成栅极的方法-CN201010571419.4有效
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洪中山;李凡
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中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
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2010-12-02
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2012-06-06
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H01L21/336
- 一种形成栅极的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有介质层，在所述介质层中形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和位于所述半导体衬底与伪栅极之间的栅介质层，所述伪栅极结构周围具有侧墙；第一湿法刻蚀去除部分所述伪栅极和侧墙，在所述伪栅极和所述侧墙上形成第一沟槽，所述第一沟槽的顶部宽度大于底部宽度，所述第一湿法刻蚀对所述伪栅极和所述侧墙的刻蚀选择比小于19；第二湿法刻蚀去除剩余的伪栅极，形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内填充栅极材料，形成栅极。本发明有利于栅极材料的填充，改善栅极材料的填充性能，避免或者至少减少在栅极中形成空隙。而且，不会损害半导体衬底。
- 形成栅极方法
- [发明专利]形成栅极的方法-CN201010568295.4有效
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卢炯平;洪中山
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中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
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2010-11-30
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2012-05-30
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H01L21/28
- 一种形成栅极的方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成栅介质层，在栅介质层表面形成氮化钨层，在氮化钨层表面形成钨层；图形化氮化钨层和钨层；湿法刻蚀去除部分图形化后的氮化钨层和钨层，且湿法刻蚀对氮化钨的刻蚀速率大于对钨的刻蚀速率，形成伪栅极，伪栅极呈T型，伪栅极包括湿法刻蚀后的氮化钨层和钨层；形成介质层，覆盖栅介质层，介质层的表面与伪栅极的表面相平；去除伪栅极，形成栅极沟槽，栅极沟槽呈T型；在栅极沟槽内填充栅极材料，形成栅极。本发明有利于栅极材料的填充，避免形成空隙，或者至少可以减少形成的空隙；而且工艺简单，可以避免现有技术中描述的对衬底造成损伤的缺点。
- 形成栅极方法
- [发明专利]形成栅极的方法-CN201010568297.3有效
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卢炯平;洪中山
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中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
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2010-11-30
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2012-05-30
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H01L21/28
- 一种形成栅极的方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成栅介质层，在栅介质层表面形成氮化钨层，离衬底越远氮化钨层的含氮量越低，在氮化钨层表面形成硬掩膜层；图形化氮化钨层和硬掩膜层；以图形化后的硬掩膜层为掩膜湿法刻蚀去除部分图形化后的氮化钨层，形成顶部宽度大于底部宽度的氮化钨伪栅极，去除图形化后的硬掩膜层；形成介质层，覆盖栅介质层，介质层的表面与氮化钨伪栅极的表面相平；去除氮化钨伪栅极，形成栅极沟槽，栅极沟槽的顶部宽度大于底部宽度；在栅极沟槽内填充栅极材料，形成栅极。本发明工艺简单，避免形成空隙，或者至少可以减少形成的空隙；而且不会对衬底造成损伤。
- 形成栅极方法
- [发明专利]金属栅极形成方法-CN201510374270.3在审
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雷通
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上海华力微电子有限公司
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2015-06-30
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2015-11-11
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H01L21/8238
- 本发明提供了一种金属栅极形成方法，包括：在衬底中形成金属栅极沟槽，并且在金属栅极沟槽的底部和侧壁上依次形成高介电常数层和氮化钛层；沉积氧化硅层，使得所述氧化硅层覆盖衬底表面以及金属栅极沟槽内的所述氮化钛层；对氧化硅层进行回刻，从而去除衬底表面以及金属栅极沟槽侧壁上的氧化硅层部分，保留金属栅极沟槽底部的底部氧化硅部分；湿法刻蚀去除暴露出来的氮化钛层部分，保留底部氧化硅部分覆盖的氮化钛部分；湿法刻蚀去除暴露出来的高介电常数层，并且完全去除底部氧化硅部分；在金属栅极沟槽中沉积功函数金属层；在金属栅极沟槽中填充栅极金属。
- 金属栅极形成方法
- [发明专利]栅极的形成方法-CN201310222184.1有效
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张海洋;张城龙
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2013-06-05
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2017-02-22
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H01L21/28
- 一种栅极的形成方法，包括提供基底；在所述基底上形成多晶硅层；在栅宽方向上对所述多晶硅层进行第一刻蚀，在栅长方向上对所述多晶硅层进行第二刻蚀，第一刻蚀和第二刻蚀后形成栅极；所述第二刻蚀包括在所述多晶硅层上形成具有窗口的光刻胶，所述窗口暴露栅宽方向相邻两栅极之间的区域，所述窗口内附着有残渣；清除所述残渣；清除所述残渣后，在所述窗口侧壁形成侧墙；形成所述侧墙后，通过所述窗口刻蚀所述多晶硅层至基底上表面。本发明对残渣进行清除，降低了窗口的粗糙度；对残渣进行清除后，再在窗口侧壁形成侧墙，弥补了对残渣进行清除时对光刻胶造成过刻蚀而导致的尺寸变大问题。
- 栅极形成方法
- [发明专利]栅极的形成方法-CN201310080498.2有效
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卜伟海;康劲;王文博
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2013-03-13
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2017-03-22
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H01L21/28
- 一种栅极的形成方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部，在所述鳍部之间形成隔离结构，所述隔离结构的顶表面低于所述鳍部的顶表面；形成覆盖所述鳍部和所述隔离结构的第一栅材料层；研磨所述第一栅材料层使所述第一栅材料层表面平整；测量所述隔离结构上第一栅材料层的厚度，获取所述第一栅材料层厚度的测量值；将所述第一栅材料层厚度的测量值与栅厚度目标值比较，并根据比较结果再对所述第一栅材料层进行补偿沉积或者刻蚀；刻蚀栅材料层，形成栅极本发明的栅极的形成方法所形成栅极的厚度与栅厚度目标值相同，且容易控制。
- 栅极形成方法
- [发明专利]栅极的形成方法-CN201310124027.7有效
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王新鹏
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2013-04-10
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2017-03-29
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H01L21/28
- 一种栅极的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅介质材料层，所述栅介质材料层上具有保护材料层，所述保护材料层上具有伪栅材料层；刻蚀所述伪栅材料层，在所述保护材料层上形成伪栅；在所述伪栅的侧壁表面外延形成第一侧墙；以所述伪栅和所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述保护材料层，形成保护层，所述保护层的宽度大于所述伪栅的宽度；在所述第一侧墙的侧壁表面外延形成第二侧墙；以所述伪栅和第二侧墙为掩膜刻蚀所述栅介质材料层，形成栅介质层本发明所形成的栅极中栅介质层、保护层和伪栅呈阶梯状结构，性能佳。
- 栅极形成方法
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