[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序在审
| 申请号： | 202280010331.6 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN116762159A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 冈岛优作;八田启希;今井义则 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明能够改善在具有槽的基板上形成的膜的阶梯覆盖性能。具有：(a)从在表面具有凹部的基板的侧方对基板供给原料气体的工序；(b)对基板供给反应气体的工序；以及通过进行预定次数的非同时地进行(a)和(b)的循环，在基板上形成膜的工序，在(a)中，通过使原料气体与凹部内壁碰撞，使原料气体分解而产生中间体，并使中间体附着于凹部内壁，在(b)中，使附着于凹部内的中间体与反应气体发生反应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 以及 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 2017-06-08 - 2021-02-02 - H01L21/318
- 提供一种即使是通过低温下的CVD形成的氮化硅膜也能够使其改质成为所期望的特性的氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法。一种在基板上通过等离子体CVD形成的氮化硅膜的处理方法，对氮化硅膜照射微波氢等离子体，利用微波等离子体中的原子氢将氮化硅膜的表面部分的氢去除来使该部分改质。
- SAB氮化硅膜制造方法及SAB工艺控制模块-202010877976.2
- 刘哲郡;林聪;徐莹 - 上海华力集成电路制造有限公司
- 2020-08-27 - 2020-12-04 - H01L21/318
- 本发明公开了一种SAB氮化硅膜制造方法，包括如下步骤：形成半导体器件的栅极结构、源区和漏区，栅极结构包括依次形成于半导体衬底表面的栅介质层和多晶硅栅，源区和漏区形成于对应的所述多晶硅栅的两侧；沉积SAB SiN形成SAB膜层；执行SAB膜层刻蚀；执行步骤S2时，沉积条件为：沉积源SiH4气体流量调节范围为100sccm～200sccm，沉积源NH3气体流量调节范围为0sccm～150sccm，沉积源He气体流量调节范围为0sccm～2000sccm。本发明还公开了一种用于半导体机台控制SAB工艺参数的SAB工艺控制模块。本发明能克服现有技术的缺陷，能提高栅极间SAB氮化硅膜覆盖率，提高SAB氮化硅膜均一性，防止SAB刻蚀中出现过刻蚀造成硅损耗，避免造成漏电增大，提高产品良率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
