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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质-CN201980018925.X有效
发明人：山崎一彦;八幡橘;原大介;筱崎贤次 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本公开的课题是提供一种能够切实地抑制真空泵后级的可燃性气体的燃烧的技术。该技术具备：处理室，其对基板进行处理；气体供给系统，其向处理室内供给原料气体；排气管，其与真空泵连接，并对处理室内进行排气；气体浓度测定器，其测定在真空泵前级的排气管内通过的原料气体的浓度；压力测定器，其测定真空泵后级的排气管内的压力；稀释气体供给系统，其向真空泵内或者真空泵前级的排气管内供给稀释气体；以及控制部，其构成为能够以将与所测定的原料气体的浓度和真空泵后级的排气管内的压力对应的流量的稀释气体向真空泵内或者真空泵前级的排气管内供给的方式控制稀释气体供给系统。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN201880057801.8有效
发明人：佐藤明博;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够均匀地处理基板的技术。根据本发明的一方案，提供一种技术，其具有：处理室，其处理基板；原料气体供给部，其设于处理室内并供给原料气体；反应气体供给部，其设于处理室内并供给反应气体；排气部，其对处理室内进行排气；等离子生成部，其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部，该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过处理室的中心和排气部的直线配置，且将反应气体通过等离子化而活化；以及气体整流部件，其具备第一分隔部件和第二分隔部件，该第一分隔部件沿着原料气体供给部与第一等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的边缘部一定距离的位置，该第二分隔部件沿着原料气体供给部与第二等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的外周部一定距离的位置。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、电极以及半导体装置的制造方法-CN202310189188.8在审
发明人：竹田刚;原大介;中条博史;土仓伊一郎 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够进行更均匀的基板处理的技术。提供一种电极的技术，该电极是用于产生等离子体的电极，具有第一电极组和第二电极组，第一电极组由被施加任意电位的至少一个第一电极、被施加任意电位且长度与上述第一电极的长度不同的至少一个第二电极、以及被分配基准电位的至少一个第三电极构成，第二电极组由被施加任意电位的至少一个第四电极、被施加任意电位且长度与上述第四电极的长度不同的至少一个第五电极、以及被分配基准电位的至少一个第六电极构成。
处理装置电极以及半导体制造方法

[发明专利]衬底处理装置、等离子体生成装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202211420257.3在审
发明人： 原大介;西野达弥;竹田刚 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、等离子体生成装置、半导体器件的制造方法及记录介质。提供能提高衬底处理的均匀性的技术。本发明提供下述技术，其具备：处理衬底的处理室；多个第1电极；多个第2电极；供给高频电力的高频电源；高频施加用板，其将多个第1电极连接于高频电源；和接地用板，其使多个第2电极接地。
衬底处理装置等离子体生成半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、等离子体发光装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202080104569.6在审
发明人：竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种技术，该技术具有：处理室，其对基板进行处理；以及等离子体生成部，其具有供给第一气体的第一气体供给管、被施加高频电力的施加电极、通过接地而被赋予基准电位的基准电极以及使所述第一气体光激发的发光管。
处理装置等离子体发光半导体制造方法以及程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202180048086.3在审
发明人： 原大介;八幡橘;竹田刚 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，其具有：处理室，其对基板进行处理；基板保持部，其将多个基板装载为多层；等离子体生成部，其在处理室内生成等离子体；以及磁性体，其在处理室内产生磁场。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序、辅助板以及基板保持件-CN202180046272.3在审
发明人：竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种能够提高基板处理的均匀性的技术。提供具有处理多个基板的处理室、装载多个基板的基板保持件以及在处理室内形成等离子体的电极并在多个基板之间设置辅助由电极进行的等离子体的形成的辅助板的技术。
处理装置半导体制造方法程序辅助以及保持

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及等离子体生成装置-CN202080102790.8在审
发明人：竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种结构，其具备：处理室，其对基板进行处理；气体供给系统，其对处理室内供给处理气体；等离子体生成部，其设置为向处理室的内部突出，构成为具有线圈和绝缘部件，且在处理室内生成处理气体的等离子体；以及调整机构，其能够调整线圈与绝缘部件的间隙距离。
处理装置半导体制造方法以及等离子体生成

[发明专利]基板处理装置、基板处理装置的电极以及半导体装置的制造方法-CN201910827618.8有效
发明人：竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、基板处理装置的电极以及半导体装置的制造方法，能够在维持基于等离子体电极的活性种生成能力的状态下进行均匀的基板处理。基板处理装置具有形成对基板进行处理的处理室的反应管、设置于反应管的外侧且对在上述处理室内形成等离子体的电极进行固定的电极固定夹具、以及设于上述电极固定夹具的外侧且加热上述反应管的加热装置，上述电极具有施加任意的电位的电极和赋予基准电位的电极，施加上述任意的电位的电极的表面积是赋予上述基准电位的电极的表面积的两倍以上。
处理装置电极以及半导体制造方法

[发明专利]基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质-CN202111599732.3在审
发明人：今村友纪;奥田和幸;竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质，提供一种能够降低针对多个基板的基板处理性能的偏差的技术。提供一种技术，具备：第一等离子体电极单元(377)，其包含被赋予基准电位的作为第一基准电极的棒状电极(370)、以及被施加高频电力的作为第一施加电极和第二施加电极的棒状电极(369、371)中的至少一方，对气体进行等离子体激发；以及第二等离子体电极单元(277)，其包含被赋予基准电位的作为第二基准电极的棒状电极(270)、以及被施加高频电力且长度与第一施加电极和第二施加电极均不同的作为第三施加电极的棒状电极(269、271)，对气体进行等离子体激发。
处理装置等离子体生成半导体制造方法记录介质

[其他]基板处理装置及基板保持部-CN201890001687.2有效
发明人： 原大介;八幡橘;竹田刚;大野健治;山崎一彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板处理装置及基板保持部，能够高效地除去反应管内的异物。该基板处理装置具有：处理基板的反应管；以及具有保持上述基板的多个支柱的基板保持部，至少一个上述支柱具有供给惰性气体的中空部和对上述反应管的内壁供给上述惰性气体的气体供给口。
处理装置保持

[发明专利]基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN201980099710.5在审
发明人：竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低针对多个基板的基板处理性能的偏差的技术。该技术具备：反应管，其具有处理基板的处理室和形成等离子体的缓冲室；以及加热装置，其对反应管进行加热，在缓冲室具备：被施加高频电力且长度不同的至少两个施加电极；被赋予基准电位的基准电极；以及保护施加电极和基准电极的电极保护管。
处理装置等离子体生成半导体制造方法以及程序

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201580082519.1有效
发明人：立野秀人;原大介;奥野正久;定田拓也;塚本刚史;田中昭典;角田彻;堀井贞义 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供衬底处理装置，具有：收容衬底的处理室；气化器，其具备将液体原料气化的气化容器、将液体原料导入气化容器内的液体原料导入部、将载气导入气化容器内的载气导入部、和加热液体原料的加热器；载气供给控制部，其被构成为控制载气的供给量；液体原料供给控制部，其被构成为控制向气化器供给的液体原料的供给量；处理气体供给管，其将从气化器送出的处理气体导入处理室内；及气体浓度传感器，其对从气化器被送出至处理气体供给管内的处理气体所包含的反应气体的气体浓度进行检测。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序-CN201880097170.2在审
发明人： 原大介;八幡橘;竹田刚 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有：基板支撑部，其对基板进行支撑；反应管，其收纳基板支撑部并对基板进行处理；处理气体供给系统，其向反应管内供给处理气体；惰性气体供给系统，其向反应管内供给惰性气体；以及排气系统，其对反应管内的环境气体进行排放，惰性气体供给系统具有喷嘴，该喷嘴具备：第一喷出口，其朝向基板的中央喷出惰性气体；以及第二喷出口，其朝向反应管的内壁喷出惰性气体。
处理装置半导体制造方法程序

[发明专利]触摸面板用导电片、触摸面板及带触摸面板的显示装置-CN201680041213.6有效
发明人： 原大介;中村博重;片桐健介;中山昌哉 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在应用于像素图案不同的显示装置时也能够减少摩尔纹及干扰的导电片、包含上述导电片的触摸面板及带触摸面板的显示装置。一种具有有源区的触摸面板用导电片，所述触摸面板用导电片具备：第1导电层，配置于有源区内且由第1金属细线构成；及第2导电层，在有源区内与第1导电层重叠配置且由第2金属细线构成，从与有源区垂直的方向观察时，通过第1金属细线和第2金属细线而形成网格图案，网格图案为无规则的图案，并且第1金属细线及第2金属细线的平均线宽为0.5μm以上且3.5μm以下，网格图案的开口率为(92.3+X×1.6)％以上且99.6％以下。另外，X为第1金属细线及第2金属细线的平均线宽。
触摸面板导电显示装置

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