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[发明专利]一种基于网络分区的层次网络嵌入方法-CN202010410813.3有效
发明人：张贤坤;马蕴玢;康俊龙 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F30/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于网络分区的层次网络嵌入方法，包括：基于模块度增益判断网络原图中节点的归属社区，确定网络分区数；将网络分区数设定为最小规模抽象图的规模阈值，基于混合坍缩方法对网络原图进行图抽象，输出规模逐渐缩小的抽象图，直至最粗抽象图等于最小规模抽象图的规模；根据基线算法对最粗抽象图进行表示学习，得到最粗抽象图的表示；通过嵌入传播方法由最粗抽象图的表示逐层传播和细化，得到原始图表示。本发明提高了基线方法的网络表示效果，减少阈值设定的人为干预问题，进一步提高网络表示的准确度，可广泛用于链路预测、多标签节点分类、社区发现、推荐系统领域。
一种基于网络分区层次嵌入方法

[发明专利]一种浅槽隔离退火的方法-CN202310094877.0在审
发明人：尹俊;康俊龙 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅槽隔离退火的方法，在基底上刻蚀形成等间距排布的多个条形凸起；在基底上形成一层覆盖条形凸起的STI薄型氧化层；在基底上刻蚀形成多个STI沟槽；在基底上形成一层覆盖多个条形凸起以及STI沟槽的ALD薄型氧化层；在基底上覆盖介质层以填充所述STI沟槽；用去离子水浸泡基底及该基底上的多个条形凸起、STI薄型氧化层、ALD薄型氧化层、介质层；进行退火，以使介质层转化为氧化硅层；对氧化硅层顶部进行平坦化，本发明在FCVD沉积的水蒸气氧化退火之前增加去离子水浸泡的步骤。水蒸气氧化采用更低温更短反应时间氧化。从而可以减小Fin的消耗，增加工艺窗口。
一种隔离退火方法

[实用新型]一种道岔尖心轨折断监测设备-CN202223181454.2有效
发明人：杨铁军;王新华;撒英;吴志刚;母其权;魏强;姜洪波;孔月;刘传良;洪兵章;赵鑫;王鹏翔;张胜强;蒋忠辉;康俊龙 -专利权人：中国铁路昆明局集团有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B61L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种道岔尖心轨折断监测设备，包括传感器和与传感器通信连接的断轨监测控制终端，传感器安装在传感器夹具之中，其探头外露在传感器夹具下方，通过线缆连接至信号发射装置和数据采集设备；信号发射装置置于道岔附件的室内，并连接至控制终端，受控制终端控制能向若干个传感器发送监测信号；传感器夹具包裹传感器侧部和顶部并安装在高速道岔的尖轨的下部轨面上，并且具有防水防尘结构和稳定结构，提供对传感器的防护的夹持，能使传感器的探头与尖轨的下部轨面始终保持相接触。本实用新型的结构使得断轨监测也能应用在尖轨上，无需对传感器进行“绑绕”安装，能防止出现松动的功能，具有防水防尘、安装稳定牢固的特点。
一种道岔尖心轨折断监测设备

[实用新型]一种用于道岔尖心轨折断监测的信号发射装置-CN202223181425.6有效
发明人：杨铁军;王新华;撒英;吴志刚;母其权;魏强;姜洪波;孔月;刘传良;洪兵章;赵鑫;王鹏翔;张胜强;蒋忠辉;康俊龙 -专利权人：中国铁路昆明局集团有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B61L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及信号发射技术领域；公开了一种用于道岔尖心轨折断监测的信号发射装置，包括发射壳体、传感器接头和SRAM存储器，发射壳体的一侧等距离安装有传感器接头且发射壳体的另一侧通过密封螺钉安装有检修盖板，发射壳体的顶部布设有散热网孔且散热网孔呈圆形分布，发射壳体的顶部设置具有对散热网孔防护功能的防护网，发射壳体内顶部且位于散热网孔的下端通过螺钉安装有散热器，发射壳体内底部通过螺钉安装有SRAM存储器，SRAM存储器的一端通过螺钉安装有FPGA读取器；该新型信号发射装置散热效果明显，信号发射稳定性高速率快，抗干扰能力强，适合广泛推广使用。
一种用于道岔尖心轨折断监测信号发射装置

[实用新型]一种用于道岔断轨监测传感器的专用夹具-CN202223181743.2有效
发明人：吴志刚;杨铁军;撒英;王新华;母其权;魏强;姜洪波;孔月;刘传良;洪兵章;赵鑫;王鹏翔;张胜强;蒋忠辉;康俊龙 -专利权人：中国铁路昆明局集团有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B61K9/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于道岔断轨监测传感器的专用夹具，安装座(1)，作为专用夹具的主体外壳，安装在尖轨轨柄上，内部集成传感器护套组件，安装座(1)上方设有用于安装夹具螺母(11)(2)的顶部开口，安装座(1)的底部具有容纳传感器本体(3)的腔体和底部开孔(12)，传感器的探头至于底部开孔(12)之中，侧部具有用于连接传感器的电路连接的侧口；结构设计科学合理，易于组装和维修更换时的拆卸，具有很好的易用性和实用性，适配很多环境、工段上的轨道使用。
一种用于道岔断轨监测传感器专用夹具

[发明专利]一种道岔尖心轨折断监测系统及方法-CN202211514042.8在审
发明人：杨铁军;王新华;撒英;吴志刚;母其权;魏强;姜洪波;孔月;刘传良;洪兵章;赵鑫;王鹏翔;张胜强;蒋忠辉;康俊龙 -专利权人：中国铁路昆明局集团有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B61L23/04 文献下载
摘要：本发明公开的一种道岔尖心轨折断监测系统及方法，首先利用夹具工装在被测的尖轨\心轨上安装传感器用于发射信号和采集信号，通过SMA同轴线缆连接到轨旁设备的信号发射装置和数据采集设备上；利用工控机启动数据采集设备准备数据采集，控制信号发射装置通过将断轨监检测信号发射到钢轨表面上，断轨信号在钢轨表面上进行传播，数据采集设备利用钢轨上的接收传感器完成完成断轨监测信号的采集，将采集的断轨监测信号存储到工控机设备中，并进行数据分析，分析完成的结果通过4G路由/交换机推送到服务器和客户端。实现了尖轨/心轨的轨底贯穿、轨头贯穿、钢轨折断断轨监测；实现了高速道岔尖轨\心轨的在线实时断轨监测。
一种道岔尖心轨折断监测系统方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210911892.5在审
发明人： 康俊龙 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。本发明提出了一种半导体结构的制备方法，其提出在半导体衬底为二氧化硅的表面上先沉积一层材料为非晶硅的种子层，以利用该种子层在高温的情况下可以吸附衬底二氧化硅中跃迁的氧元素的原理，阻止了衬底中的氧元素从衬底二氧化硅中跃迁到作为金属栅极的部分膜层的氮化钛中，从而保证了氮化钛不被衬底氧化，并最终保证了氮化钛生长的连续性和其同时作为浮栅FG的擦除特性。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]嵌入式外延层的沟槽的形成方法-CN202210862806.6在审
发明人：荣建;姚建裕;康俊龙;张瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式外延层的沟槽的形成方法，包括：步骤一、提供形成有第一栅极结构的半导体衬底，在第一栅极结构的侧面形成有侧墙，侧墙包括氮化硅侧墙。步骤二、进行第一次干法刻蚀形成U型或球型沟槽。步骤三、对氮化硅侧墙和沟槽的表面的悬挂键进行饱和氧化。步骤四、将半导体衬底经历一个等待过程。在等待过程中，饱和氧化层用于防止悬挂键被自然氧化。步骤五、进行第二次湿法刻蚀，第二次湿法刻蚀采用DHF刻蚀加TMAH刻蚀。本发明能稳定作为沟槽刻蚀中的硬质掩膜层的氮化硅侧墙的湿法刻蚀量，从而提升器件的嵌入式外延层到栅极结构之间的间距均匀性，从而使器件的电学性能稳定。
嵌入式外延沟槽形成方法

[发明专利]减小不同产品在炉管中的负载效应的方法-CN202010878027.6有效
发明人： 康俊龙 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小不同产品在炉管中的负载效应的方法，包括：步骤1，新产品完成光刻后采用公式P＝(C×X×Y+frame)/S计算负载效应数值，P为表征单个shot中单位面积的图形周长，C为单个芯片的的图形周长，X为shot中芯片的行数；Y为shot中芯片的列数，S为Field shot size；步骤2，将单个shot中单位面积的图形周长定义为负载效应数值，并根据所述负载效应数值进行归类；步骤3，根据新产品的负载效应数值的归类选择相对应的片数效应值，调节炉管的五端温度，采用光片进行成膜离线测试运行直至炉管中的光片膜厚达到测试目标膜厚；步骤4，按照新产品的所属类别直接进行作业。本发明能快速准确估算出不同产品的负载效应，可以减少新产品试运行的硅片数量，节省试运行时间。
减小不同产品炉管中的负载效应方法

[实用新型]洞口预制防护装置-CN202220334780.3有效
发明人：李鹏;闻发奎;康俊龙;张骞;蒋涛;李小刚;孙宇;纪宝杰 -专利权人：中建三局绿色产业投资有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： E04G21/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种洞口预制防护装置，其包括钢板模块和与所述钢板模板可拆卸连接的围栏模块；根据洞口的尺寸，所述钢板模块由若干个预制钢板单元按预定排列方式水平排列且固定连接而成；所述围栏模块由若干对称设置的立柱、与相邻设置的立柱穿套连接的横管相互围合而成。采用尺寸预制的钢板单元、立柱和横管，能够根据不同环境不同尺寸的洞口，按预定排列方式水平排列且固定连接形成钢板模块；按预定尺寸，将立柱和横管相互穿套连接并且围合形成围栏模块，由此实现洞口的预制防护。防护配件预制完成后直接运输到现场根据不同洞口尺寸进行不同排列方式的钢板模块安装，便于整体安装，采用尺寸标准化预制，加快安装效率和提高安装质量。
洞口预制防护装置

[实用新型]化学气相沉积反应炉及其设备-CN202122574538.1有效
发明人：陈琪;康俊龙;成鑫华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学气相沉积反应炉，包括：炉壁、晶舟、支撑件、升降装置、盖板和挡片；所述炉壁围成反应室和气体出口，下部为所述反应室，上部为所述气体出口；所述气体出口的直径小于反应室；所述反应室内容纳有晶舟和支撑件；所述晶舟固定在支撑件上，所述支撑件固定在盖板上，所述升降装置可驱动所述盖板上下升降，打开或关闭所述化学气相沉积反应炉的下部开口；所述挡片设置在反应室的顶部，靠近气体出口的下部。
化学沉积反应炉及其设备

[发明专利]基于非线性超声波的主动式钢轨伤损监测方法及终端-CN202111475231.4在审
发明人：王鹏翔;蒋忠辉;张胜强;陈丽军;陈晓东;周超;康俊龙;骆星辰;李旭和 -专利权人：四川西南交大铁路发展股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明公开了基于非线性超声波的主动式钢轨伤损监测方法及终端，属于钢轨健康监测技术领域，包括数据训练步骤：计算钢轨不同状态下测试信号的伤损等级阈值，进而建立钢轨不同状态下不同伤损等级与测试信号之间的映射关系；监测判断步骤：判断轨道检测信号对应的状态，将检测信号与对应状态下伤损等级阈值进行比较，进而确定钢轨伤损等级。本发明通过建立轨道在不同状态下不同伤损等级与测试信号之间的映射关系，能够实现不同状态下检测信号的定向伤损等级判断，消除不同状态对检测信号特征参数的影响，以此降低伤损等级检测的误报率；进一步地，基于多伤损阈值对检测信号进行判断，能够进一步提升伤损等级判断的准确性。
基于非线性超声波主动钢轨伤损监测方法终端

[发明专利]改善栅极氧化层的方法及半导体器件的制造方法-CN201910816556.0有效
发明人： 康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善栅极氧化层的方法及半导体器件的制造方法，所述改善栅极氧化层的方法包括：在栅极氧化层形成工艺之前对衬底进行高温热处理工艺，所述高温热处理工艺的温度不低于500℃。通过优先对衬底进行高温热处理，之后再形成栅氧化层的方法，一方面，可以将衬底中残留的一些Si‑H的键合形态去除，减少Si‑SiO2界面处的硅“悬挂”键缺陷，保证了Si‑SiO2界面的质量；另一方面，可以消除外界因素对栅氧化层质量影响，避免了Si‑SiO2界面的恶化，提高了产品的性能。
改善栅极氧化方法半导体器件制造

[发明专利]原子层沉积法形成氮化物膜的方法-CN201910912457.2有效
发明人： 康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子层沉积法形成氮化物膜的方法，包括：步骤S1：通入第一源气体至反应室中，所述第一源气体被吸附到位于所述反应室内的不同高度上的各个衬底的表面；步骤S2：除去未被吸附的所述第一源气体；步骤S3：通入第二源气体至所述反应室中，且所述第二源气体与各个所述衬底表面上吸附的第一源气体发生反应，以在各个所述衬底的表面上形成氮化物膜；在上述每一步骤中均向所述反应室中通入第三气体，且所述第三气体在步骤S1和步骤S3中的流量大于其他步骤中的流量。通过在通入第一源气体和第二源气时增加第三气体流量的方法，改变反应室上中下不同位置的反应源气体浓度，提高炉内氮化物膜的均匀性。
原子沉积形成氮化物方法

[发明专利]氮化钛膜制备方法和装置-CN202110568361.6在审
发明人： 康俊龙 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钛膜制备方法，通过原子层沉积法在硅片上沉积氮化钛膜，采用多次循环形成所述氮化钛膜，所述多次循环包括以下步骤：S1，在腔体内放入硅片，通过第一气体管路通入钛原料气体，使其与所述硅片的硅衬底发生化学吸附，直至所述硅衬底表面达到饱和；S2，通入惰性气体进行吹扫，将过剩的反应物从系统中抽出清除；S3，通入氢离子到所述腔体内，与所述硅衬底中残留的氯反应形成氯化氢气体；S4，通入惰性气体进行吹扫，将过剩的反应物从系统中抽出清除；S5，通过第二气体管路通入氮化气体，使之和所述衬底上被吸附的所述钛原料发生反应；S6，通入惰性气体进行吹扫，将过剩的反应物和反应副产品从系统中抽出清除。
氮化制备方法装置

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