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- [发明专利]硅氮化膜的制造方法及硅氮化膜-CN201680083268.3有效
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高洋志;山胁正也;村上彰一;畑下晶保
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大阳日酸株式会社;SPP科技股份有限公司
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2016-03-11
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2022-11-01
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H01L21/318
- 作为目的之一提供一种硅氮化膜的制造方法，该硅氮化膜的制造方法为在控制到250℃以下的基板上具有高的耐氢氟酸性、高耐湿性、以及适当的内部应力的硅氮化膜的制造方法，本发明提供一种硅氮化膜(30)的制造方法，将有机硅烷气体作为原料气体，在温度250℃以下的基板(20)上通过等离子体化学气相沉积法制造具有规定的耐氢氟酸性、耐湿性以及内部应力的硅氮化膜(30)，其特征在于，使用对于1体积流量的有机硅烷气体添加了200～2000体积流量的氢还原气体的处理气体，将收容基板(20)的工艺腔室(40)内的压力调整为35～400Pa的范围内，将对设置于工艺腔室(40)内的电极施加的高频的功率密度调整为0.2～3.5W/cm2的范围内。
- 氮化制造方法
- [发明专利]等离子体控制装置-CN201780003788.3有效
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速水利泰;藤井竜介
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SPP科技股份有限公司
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2017-01-20
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2020-05-19
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H05H1/46
- 提供一种能够执行稳定的使用等离子体的处理、并且能够高速地执行电源部与等离子体的阻抗的匹配的等离子体控制装置。等离子体控制装置(100)具备电源部(1)、谐振产生部(2)以及电压计(5)。谐振产生部(2)具备：LC电路，其是线圈(L1)与电容器(C1)连接而成的；以及传感器(S2)，其检测流过LC电路的电流与施加于LC电路的电压之间的相位差，其中，LC电路的电容器(C1)的静电容量大于等离子体(P)的设想静电容量。电源部(1)对供给的高频电力的大小进行控制以使由电压计(5)测定出的电压接近作为目标的设定电压，并且对供给的高频电力的频率进行控制以使由传感器(S2)检测出的相位差极小。
- 等离子体控制装置
- [发明专利]等离子蚀刻装置-CN201380043981.1有效
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山本孝;太田和也;笹仓昌浩;林靖之
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SPP科技股份有限公司
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2013-09-25
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2017-07-18
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H01L21/3065
- 本发明有关一种基板蚀刻装置，其可提高所生成等离子平面内密度的均匀性，并对基板表面整体均匀地进行蚀刻。该基板蚀刻装置具备有腔室2，其设定有等离子生成空间3及处理空间4；线圈30，其配设于上腔体部6外侧；基台40，其配设于处理空间4，用以载置基板K；蚀刻气体供应机构25，其将蚀刻气体供应至等离子生成空间3；线圈电力供应机构35，其将高频率电力供应至线圈30；及基台电力供应机构45，其将高频率电力供应至基台40。再者，锥状的等离子密度调整构件20固设于等离子生成空间3与基台40间的腔室2的内壁上，而且于腔室20的上部，朝向下方地延设有圆筒状的芯构件10，该芯构件10形成有朝向下端部直径变小的锥形部。
- 等离子蚀刻装置
- [发明专利]蚀刻方法-CN201180043861.2有效
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大石明光;村上彰一
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SPP科技股份有限公司
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2011-07-11
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2013-05-29
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H01L21/3065
- 本发明是关于能更高精度地蚀刻碳化硅基板的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法交替反复进行：第1蚀刻步骤，将碳化硅基板K加热至200℃以上，将SF6气体供给至处理腔室内进行电浆化，对基台供给偏压电位，而对碳化硅基板K进行各向同性蚀刻；第2蚀刻步骤，将碳化硅基板K加热至200℃以上，将SF6气体及O2气体供给至处理腔室内进行电浆化，对载置有碳化硅基板K的基台供给偏压电位，于碳化硅基板K上形成氧化硅膜作为保护膜并对碳化硅基板K进行蚀刻。
- 蚀刻方法
- [发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201180025994.7有效
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池本尚弥;山本孝;野沢善幸
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SPP科技股份有限公司
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2011-05-25
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2013-01-30
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H01L21/3065
- 本发明提供一种可防止弯曲形状而形成表面平滑的锥形的蚀刻结构（孔或槽）的等离子体蚀刻方法。实施第一步骤，即，使用氟系气体及氮气，使该些气体同时等离子体化，并且一面藉由等离子体化的氮气而在硅基板K形成抗蚀刻层，一面藉由等离子体化的氟系气体而对硅基板K进行蚀刻，之后，实施第二步骤，即，使用氟系气体及氧系气体，使该些气体同时等离子体化，并且一面藉由等离子体化的氧系气体而在硅基板K形成抗蚀刻层，一面藉由等离子体化的氟系气体对硅基板K进行蚀刻，从而在硅基板K形成上部开口宽度较宽且底部宽度较窄的锥形的蚀刻结构H（孔或槽）。
- 等离子体蚀刻方法
- [发明专利]等离子处理装置-CN201080064852.7有效
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林靖之;富阪贤一
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SPP科技股份有限公司
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2010-11-25
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2013-01-02
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H01L21/3065
- 本发明涉及一种可将覆盖基板的外周侧缘部上表面的保护构件高精度地定位的等离子处理装置。等离子处理装置（1）包括：处理腔室（11）；基台（21），载置基板（K）；气体供给装置（45），供给处理气体；等离子生成装置（50），将处理气体等离子化；高频电源（55），对基台（21）供给高频电力；环状且为板状的保护构件（31），形成为环状且为板状，构成为可载置在基台（21）的外周部，并且当载置在基台（21）的外周部时，利用内周侧缘部覆盖基板（K）的外周侧缘部上表面；支撑构件（35），支撑保护构件（31）；及升降气缸（30），使基台（21）升降。在保护构件（31）的下表面上形成设置在节圆上的至少3个第1突起（33），当保护构件（31）载置在基台（21）上时，所述第1突起（33）与基台（21）的外周部卡合，且该节圆的中心与保护构件（31）的中心轴在同一轴上。
- 等离子处理装置
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