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[发明专利]锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜-CN201780076821.5有效
发明人：金大铉;伽蒂诺谕子;卢源泰;尤利安·伽蒂诺;让-马克·吉拉尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：披露了形成含第4族过渡金属的膜的组合物。这些形成含第4族过渡金属的膜的组合物包含具有式L2‑M‑(R)C5R3‑[(ER2)2‑NR]‑的第4族过渡金属前体，其中M为以η5键合模式键合至Cp基团的Ti、Zr或Hf；每个E独立地为C、Si、B或P；每个R独立地为氢或C1‑C4烃基；且每个L独立地为选自由以下组成的组的‑1阴离子配体：NR’2、OR’、Cp、脒基、β‑二酮或酮亚胺，其中R’为H或C1‑C4烃基且相邻R’可接合以形成烃基环；其前提为该Cp上的至少一个R为C1至C4。还披露了合成和使用所披露的前体以经由气相沉积过程在一个或多个基材上沉积含第4族过渡金属的膜的方法。
锆前体铪前体钛前体使用沉积

[发明专利]使用五取代的二硅烷气相沉积含硅膜-CN201680076386.1有效
发明人： 让-马克·吉拉尔;高昌熙;伊凡·奥谢普科夫;柳田一孝;大窪清吾;野田直人;尤利安·伽蒂诺 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：披露了使用五取代的二硅烷诸如五卤二硅烷或五(二甲基氨基)二硅烷经由气相沉积工艺在基板上沉积含硅膜的方法。
使用取代硅烷沉积含硅膜

[发明专利]全氢聚硅氮烷组合物和用于使用其形成氮化物膜的方法-CN202210565731.5有效
发明人：安东尼奥·桑切斯;根纳迪·伊多;马尼什·坎德尔沃;科尔·里特;张鹏;让-马克·吉拉尔;宛志文;格伦·库肯贝塞尔;大卫·奥尔班;肖恩·克里根;里诺·佩萨雷西;马修·达米安·斯蒂芬斯;王洋;纪尧姆·哈森;格里戈里·尼基福罗夫 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种含Si膜形成组合物，包含催化剂和/或聚硅烷以及不含N‑H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷，该全氢聚硅氮烷具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有式[‑N(SiH3)x(SiH2‑)y]的不含N‑H的重复单元，其中x＝0、1或2并且y＝0、1或2，并且x+y＝2；并且x＝0、1或2，并且y＝1、2或3，并且x+y＝3。还披露了合成方法和使用其的应用。
全氢聚硅氮烷组合用于使用形成氮化物方法

[发明专利]使用抑制剂分子的高纵横比结构的沉积方法-CN202180077331.3在审
发明人：卢沅泰;李柱昊;朴镇亨;让-马克·吉拉尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：披露了一种用于改善沉积在衬底中的高纵横比(HAR)孔上的膜的厚度控制的沉积方法。该方法包括：i)将该衬底依次或同时暴露于抑制剂的蒸气、前体的蒸气和共反应物的蒸气；以及ii)通过气相沉积工艺在该HAR孔上沉积具有希望的厚度控制的膜，其中该抑制剂含有O、N、S、P、B、C、F、Cl、Br或I。
使用抑制剂分子纵横结构沉积方法

[发明专利]基于硅的自组装单层组合物及使用该组合物的表面制备-CN202180061144.6在审
发明人：文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆;让-马克·吉拉尔;尼古拉斯·布拉斯科;克洛迪娅·法法尔德;法布里齐奥·马切吉亚尼 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：披露了一种形成SAM的组合物，其包含具有主链的SAM单体或前体，该主链具有表面反应性基团，其中该主链不包含Si‑C键并且选自由无Si‑C键的聚硅烷和三甲硅烷基胺组成的组。披露了该表面反应性基团用于分别是电介质表面和金属表面的待覆盖的表面。还披露了一种在表面上形成SAM的方法，以及一种在该SAM上形成膜的方法。
基于组装单层组合使用表面制备

[发明专利]蚀刻反应物及使用其的无等离子体的氧化物蚀刻方法-CN201680062594.6有效
发明人：克莱蒙特·兰斯洛特-马特拉斯;李柱昊;让-马克·吉拉尔;尼古拉斯·布拉斯科;伽蒂诺谕子 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2016-09-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：披露了使用具有式MFx(加合物)n的氟化反应物自基板移除层的方法，其中x在从2至6范围内(包括端点)；n在从0至5范围内(包括端点)；M选自由以下各项组成的组：P、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo及W；且该加合物为中性有机分子，选自THF、二甲醚、二乙醚、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、聚乙二醇二甲醚、二甲基硫、二乙基硫或甲基氰。这些氟化反应物干式蚀刻这些氮化物层而无需利用任何等离子体。
蚀刻反应物使用等离子体氧化物方法

[发明专利]具有用于改善对腐蚀性化学环境的耐受性的稀土（氧）氟化物涂层的器件以及用于制造和使用这些器件的方法-CN202180037986.8在审
发明人：寺本乔;克里斯汀·杜斯拉特;格里戈里·尼基福罗夫;尼古拉斯·布拉斯科;让-马克·吉拉尔;大野刚嗣;山元启司;平井正人;上村直 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C07C49/167 文献下载
摘要：公开了一类含稀土的化学品。这些含稀土的化学品适合用于顺序气相沉积工艺以形成稀土氟化物或稀土氟氧化物膜。此种膜可以用于保护材料和器件免受腐蚀性化学品的腐蚀。
具有用于改善腐蚀性化学环境耐受稀土氟化物涂层器件以及制造使用这些方法

[发明专利]含金属膜的区域选择性沉积-CN202080097071.1在审
发明人： 让-马克·吉拉尔;卢沅泰;李柱昊 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：选择性地沉积含金属膜的方法，这些方法包括：提供具有同时在其上暴露的多种材料的表面；以及将该表面暴露于含金属成膜组合物的蒸气，该组合物含有具有下式的前体：LxM(‑N(R)‑(CR’2)n‑NR”2)其中M是第12族、第13族、第14族、第15族、第IV族或第V族元素；x+1是M的氧化态；L是阴离子配体，独立地选自二烷基胺、烷氧基、烷基亚胺、双(三烷基甲硅烷基胺)、脒化物、β‑二酮酸酯、酮‑亚胺、卤化物等；R、R”各自独立地是C1‑C10直链、支链或环状的烷基、烯基或三烷基甲硅烷基；R’是H或C1‑C10直链、支链或环状的烷基、烯基或三烷基甲硅烷基；n＝1‑4，其中这些材料中的至少一种至少部分地被阻挡剂阻挡，免于通过气相沉积工艺沉积该含金属膜。
金属膜区域选择性沉积

[发明专利]形成高品质含Si膜的超低温ALD-CN202080096171.2在审
发明人：野田直人;伊凡·奥谢普科夫;让-马克·吉拉尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：披露了一种用于使用三甲硅烷基胺(TSA)在超低温(如低于250℃的温度)下通过PEALD形成含Si膜(如SiN膜)的方法。
形成品质 si 超低温 ald

[发明专利]用于使用聚碳硅氮烷形成低k介电含硅膜的可固化配制品-CN202080095132.0在审
发明人：刘玉民;让-马克·吉拉尔;张鹏;秦帆;根纳迪·伊多;法布里齐奥·马切吉亚尼;T·J·拉腊比 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：披露了形成含硅和碳的膜的组合物，这些组合物包含由硅氮烷桥联的碳硅烷单体组成的聚碳硅氮烷聚合物或低聚物配制品，该碳硅烷含有至少两个‑SiH2‑部分，作为末端基团(‑SiH3R)或嵌于碳硅烷环状化合物中，其中R为H、C1至C6直链、支链或环状烷基、C1至C6直链、支链或环状烯基、或其组合。还披露了形成含硅和碳的膜的方法，这些方法包括以下步骤：形成包含聚碳硅氮烷聚合物或低聚物配制品的溶液，并且通过旋涂、喷涂、浸涂或狭缝涂布技术使该溶液与该基底接触以形成该含硅和碳的膜。
用于使用聚碳硅氮烷形成介电含硅膜固化配制

[发明专利]全氢聚硅氮烷组合物和用于使用其形成氮化物膜的方法-CN201980022629.7有效
发明人：安东尼奥·桑切斯;根纳迪·伊多;马尼什·坎德尔沃;科尔·里特;张鹏;让-马克·吉拉尔;宛志文;格伦·库肯贝塞尔;大卫·奥尔班;肖恩·克里根;里诺·佩萨雷西;马修·达米安·斯蒂芬斯;王洋;纪尧姆·哈森;格里戈里·尼基福罗夫 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种含Si膜形成组合物，包含催化剂和/或聚硅烷以及不含N‑H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷，该全氢聚硅氮烷具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有式[‑N(SiH3)x(SiH2‑)y]的不含N‑H的重复单元，其中x＝0、1或2并且y＝0、1或2，并且x+y＝2；并且x＝0、1或2，并且y＝1、2或3，并且x+y＝3。还披露了合成方法和使用其的应用。
全氢聚硅氮烷组合用于使用形成氮化物方法

[发明专利]锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜-CN201780077950.6有效
发明人：伽蒂诺谕子;卢文泰;金大贤;尤利安·伽蒂诺;让-马克·吉拉尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：披露了形成含第4族过渡金属的膜的组合物，这些组合物包含具有下式的第4族过渡金属前体：L2‑M‑C4AR3‑3‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L′]‑、L2‑M‑(C3(m‑A2)R2‑4‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L′]‑、L2‑M‑(C5AR4‑4‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L′]、以及L2‑M‑(C4(m‑A2)R3‑4‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L′]‑，其中M为Ti、Zr、或Hf；每个A独立地为N、Si、B或P；每个E独立地为C、Si、B或P；m和n独立地为0、1或2；m+n1；每个R独立地为H或C1‑C4烃基；每个L独立地为选自由以下组成的组的‑1阴离子配体：NR′2、OR′、Cp、脒基、β‑二酮或酮亚胺，其中R′为H或C1‑C4烃基；且L′为NR″或O，其中R′为H或C1‑C4烃基。还披露了合成和使用所披露的前体以经由气相沉积过程在一个或多个基材上沉积含第4族过渡金属的膜的方法。
锆前体铪前体钛前体使用沉积

[发明专利]用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法-CN201911392214.7有效
发明人： 让-马克·吉拉尔;张鹏;安东尼奥·桑切斯;马尼什·坎德尔沃;根纳迪·伊多;里诺·佩萨雷西 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2016-06-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种含硅和氧的膜的ALD形成方法，该方法包括通过将经单取代的TSA前体的蒸气和含氧反应物依次引入含有基板的反应器中将含硅和氧的膜沉积在该基板上，该经单取代的TSA前体选自(SiH3)2N‑SiH2‑NH(SiMe3)和(SiH3)2N‑SiH2‑NHtBu。
用于形成薄膜沉积方法

[发明专利]用于薄膜沉积的短无机三甲硅烷基胺基聚硅氮烷-CN201780072505.0有效
发明人：安东尼奥·桑切斯;根纳迪·伊多;里诺·佩萨雷西;让-马克·吉拉尔;张鹏;马尼什·坎德尔沃 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：披露了用于高纯度薄膜沉积的不含Si‑C并且是挥发性的硅氮烷前体。
用于薄膜沉积无机硅烷胺基聚硅氮烷

[发明专利]锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜-CN201780081314.0有效
发明人：尤利安·伽蒂诺;金大铉;卢源泰;伽蒂诺谕子;让-马克·吉拉尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：披露了形成含第4族过渡金属的膜的组合物，这些组合物包含具有下式的第4族过渡金属前体：L‑M‑C5R3‑I‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L']‑2‑[(ER2)o‑(ER2)p‑L']‑和L‑M‑C5R3‑1‑[(ER2)m‑(ER2)n)‑L']‑3‑[(ER2)o‑(ER2)p‑L']‑，其中M为Ti、Zr或Hf；每个E独立地为C、Si、B或P；m和n独立地为0、1或2；m+n1；o和p独立地为0、1、或2；o+p1；每个R独立地为氢或C1‑C4烃基；每个L独立地为选自由以下组成的组的‑1阴离子配体：NR'2、OR'、Cp、脒基、β‑二酮或酮亚胺，其中R'为H或C1‑C4烃基；并且每个L'独立地为NR”或0，其中R”为H或C1‑C4烃基。还披露了合成和使用所披露的前体以经由气相沉积过程在一个或多个基材上沉积含第4族过渡金属的膜的方法。
锆前体铪前体钛前体使用沉积

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