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[发明专利]沟槽中薄膜沉积的方法-CN202080027992.0有效
发明人： 郭津睿;卢多维克·戈代;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;徐永安;杨政翰;陈建安 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体涉及在沉积、蚀刻和/或固化工艺期间利用掩模来处理含有基板的工件，以在工件上具有局部的沉积。将掩模放置在工件的第一层上，所述掩模保护复数个沟槽免受第二层的沉积的影响。在一些实施方式中，在第二层的沉积之前放置掩模。在其他实施方式中，在沉积掩模之前使第二层固化。在其他实施方式中，在沉积掩模之后蚀刻第二层。本文中所公开的方法允许在工件中所存在的沟槽中的一些中沉积第二层，而同时至少部分地防止在工件中所存在的其他沟槽中沉积第二层。
沟槽薄膜沉积方法

[发明专利]依赖于CD的间隙填充和保形膜-CN202280011650.9在审
发明人： J·C·李;P·P·杰哈;梁璟梅;郭津睿;李文慧 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种沉积含硅材料的方法。本公开的一些实施例提供填充窄CD特征而没有接缝或空隙的膜。本公开的一些实施例提供在具有更宽CD的特征上保形地形成的膜。本公开的实施例还提供具有低粗糙度、低缺陷和有利地低沉积速率的优质膜。
依赖于 cd 间隙填充保形膜

[发明专利]用于高质量间隙填充方案的循环可流动沉积和高密度等离子体处理处理-CN201880031479.1有效
发明人：梁璟梅;Y·孙;郭津睿;P·P·杰哈;J·C·李;T-J·龚;M·斯利尼瓦萨恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。
用于质量间隙填充方案循环流动沉积高密度等离子体处理

[发明专利]纳米结构光学装置的气隙封装-CN202180047524.4在审
发明人：赛捷·托克·加勒特·多莎;大野贤一;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;卢瑟·振毅·泰欧;郭津睿 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本文描述的实施方式涉及封装的光学装置及形成具有可控气隙封装的光学装置的方法。在一个实施方式中，围绕多个光学装置结构在支撑层中形成有多个开口，以在光学装置结构、支撑层、及开口之间产生高折射率对比。在另一实施方式中，牺牲材料设置在光学装置结构之间并且随后封装层设置在光学装置结构上。牺牲材料被移除，从而形成由封装层、基板、及每个光学装置结构限定的空间。在又一实施方式中，封装层设置在光学装置结构上方，从而形成由封装层、基板、及每个光学装置结构限定的空间。
纳米结构光学装置封装

[发明专利]为衍射光学制造2D楔形和局部封装的方法-CN202180051647.5在审
发明人： 郭津睿;卢多维克·戈代;张代华;罗康;拉米·胡拉尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：一种从材料表面向内形成三维特征的方法包括：提供包括出口的液滴分配器，该液滴分配器被构造为分配其中具有反应物的液体材料的离散液滴，该反应物能够与液滴所接触的材料层的部分反应并且由此移除该部分；提供被构造为在其上支撑材料的支撑件，支撑件及液滴分配器相对于彼此是可移动，使得液滴分配器的出口可定位在材料表面的不同离散区域上方；以及将材料表面定位于液滴分配器下方，并且将液滴分配到材料表面的期望区域中的离散部分，以移除期望区域中的材料的至少一部分并且由此从材料表面向内形成三维凹陷。
衍射光学制造楔形局部封装方法

[发明专利]掩模定向-CN202080090426.4在审
发明人：徐永安;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;郭津睿;卢多维克·戈代 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供了一种在基板上形成图案化特征的方法。该方法包括以下步骤：将布置在掩模布局中的多个掩模定位在基板上方。基板定位在第一平面中，且多个掩模定位在第二平面中，掩模布局中的多个掩模具有多个边缘，多个边缘各自平行于第一平面且平行或垂直于基板上的对准特征延伸，基板包括多个分区，多个分区被配置为被引导通过布置在掩模布局中的掩模的能量图案化。该方法进一步包括以下步骤：通过基板上方的掩模布局中布置的多个掩模向多个分区引导能量，以在多个分区的各者中形成多个图案化特征。
定向

[发明专利]可流动CVD膜的表面粗糙度-CN202080052952.1在审
发明人： 郭津睿;梁璟梅;P·P·杰哈;L·张 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：用于在沉积可流动CVD膜之前在基板表面上进行表面处理来形成平滑的超薄可流动CVD膜的方法可改进均匀性和整体的膜平滑度。可透过任何合适的固化工艺来固化可流动CVD膜，以形成平滑的可流动CVD膜。
流动 cvd 表面粗糙

[发明专利]多晶硅衬垫-CN202080015255.9在审
发明人： K·尼塔拉;程睿;K·嘉纳基拉曼;P·P·杰哈;郭津睿;梁璟梅 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开案的方面提供一种方法，包括在基板上沉积包含氧化硅的下层，在下层上沉积多晶硅衬垫，以及在多晶硅衬垫上沉积非晶硅层。本公开案的方面提供一种装置中间物，包括基板、包含形成于基板上的氧化硅的下层、布置于下层上的多晶硅衬垫、以及布置于多晶硅衬垫上的非晶硅层。
多晶衬垫

[发明专利]用于氮化硅薄膜的处理方法-CN201980010113.0在审
发明人： 郭津睿;梁璟梅;P·P·杰哈;T·阿肖克;T-J·龚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文的实施例提供使用可流动化学气相沉积(FCVD)工艺沉积的氮化硅层的基于自由基的处理。该FCVD沉积的氮化硅层的基于自由基的处理期望地增加层中稳定的Si‑N键的数目，从该层移除不期望的氢杂质，且期望地提供所得的氮化硅层中的进一步交联、致密化、及氮化(氮的并入)。在一个实施例中，形成氮化硅层的方法包括：将基板定位在基板支撑件上，该基板支撑件设置在处理腔室的处理容积中；以及处理沉积在该基板上的氮化硅层。处理该氮化硅层包括：使第一气体的一种或多种自由基物质流动，该第一气体包括NH3、N2、H2、Ar、He、或前述气体的组合；以及将氮化硅层暴露于该自由基物质。
用于氮化薄膜处理方法

[发明专利]用于形成高质量薄膜的循环连续工艺-CN201680011251.7在审
发明人：梁璟梅;J·C·李;郭津睿;M·斯利尼瓦萨恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：描述用于循环的沉积和固化工艺的方法。本文描述的实施方案提供用于填充形成在基板上的特征的循环连续沉积和固化工艺。填充特征以确保在形成在基板上的集成电路中的特征的电绝缘。本文描述的工艺使用的可流动膜沉积工艺可有效减小在形成在基板上的特征中产生的空隙或接缝。然而，使用可流动膜的传统缝隙填充方法通常包含具有不良物理和电性质的电介质材料。特别是，膜密度是不均匀的，横跨膜厚度的膜介电常数不同，膜稳定性不理想，膜折射率不一致，而且传统的可流动膜中的耐稀释氢氟酸(DHF)性并不理想。循环连续沉积和固化工艺解决本文描述的问题以形成质量较高且寿命增长的膜。
用于形成质量薄膜循环连续工艺

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