[实用新型]金锡焊盘以及具有金锡焊盘的LED结构有效
| 申请号： | 202222401780.3 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN218182241U | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;李飞;王思博 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 廖娜;李锋 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种金锡焊盘以及具有金锡焊盘的LED结构，该金锡焊盘包括从下至上依次设置的欧姆接触层、反射层、阻挡层、过渡层和金锡叠对层；金锡叠对层由若干对金膜层与锡膜层交替设置的金锡叠对子层组成，从下至上，各金锡叠对子层中的金膜层和锡膜层的厚度均递减；或者，从下至上，位于下方的各金锡叠对子层中的金膜层和锡膜层的厚度不变，位于最上方的至少两对所述金锡叠对子层中的金膜层和锡膜层的厚度减小。本申请中的金锡焊盘使用金锡叠对层作为焊盘，采用电子束方法单独蒸镀金膜层和锡膜层，通过改善电极结构，减少了焊盘色差，增加了焊盘的自动识别率。 | ||
| 搜索关键词： | 金锡焊盘 以及 具有 led 结构 | ||
【主权项】：
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- 罗轶;易斌;何军;席盟 - 北京创盈光电医疗科技有限公司
- 2022-09-09 - 2023-05-02 - H01L33/40
- 本申请涉及一种柔性LED芯片封装结构及其制备方法，柔性LED芯片封装结构包括芯片单体和多层第一绝缘薄膜；芯片单体包括外延层、p电极和n电极；外延层包括依次叠层设置的n型欧姆接触层、n型层、量子阱层、p型层和p型欧姆接触层；p电极设置在p型欧姆接触层背对p型层的一侧；n电极设置在n型欧姆接触层背对n型层的一侧，p电极和n电极形成正极和负极；芯片单体两侧分别层压覆盖有第一绝缘薄膜，以密封芯片单体，第一绝缘薄膜与正极、负极相对的位置设有穿孔，以使正极和负极外露。本申请形成垂直封装结构，使得电流分布均匀，产生的热量减少；利用薄膜封装，可使芯片呈柔性，便于其与柔性电路板的连接，同时实现芯片的轻薄化。
- 一种微型LED电极及其制备方法和微型LED芯片-202310004534.0
- 蔡政银;李晗光 - 深圳市思坦科技有限公司
- 2023-01-03 - 2023-04-25 - H01L33/40
- 本申请提供一种微型LED电极及其制备方法和微型LED芯片，涉及微型LED芯片技术领域。该微型LED电极包括依次层叠设置的Ti接触层、Al合金层、Ti阻挡层和顶层金属层；所述Al合金层包括含掺杂金属的Al金属层。该微型LED电极的制备方法包括：使用双枪电子束蒸发的方式来制备Al合金层；所述Ti接触层、Ti阻挡层和顶层金属层使用热蒸发、单枪电子束蒸发或者磁控溅射的方式来制备。本申请的微型LED芯片中包括微型LED外延片和上述微型LED电极。通过在Al金属层中添加掺杂金属，避免因Al层凸起而导致的芯片产品不合格，减少了膜层间的应力影响。
- 一种LED电极及倒装LED芯片-202222044645.8
- 李明;李冬梅;王思博;廖汉忠;芦玲 - 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
- 2022-08-04 - 2023-04-25 - H01L33/40
- 本实用新型公开了一种LED电极，电极结构至少包括反射层、阻挡层、Al复合层、保护层，所述Al复合层包括n个Al子层，以及分别设置于相邻Al子层之间的Ni子层，1≤n≤10。采用Al复合层替代Åu层制造LED电极以极大的降低成本，其中，Al复合层中采用Al、Cr、Ni的层式结构，Cr用于隔绝Al、Ni，避免后续高温工艺中Al、Ni互融现象的出现导致老化失效，保证整个电极的稳定性，从而使得整个LED芯片的老化稳定性得以保证。
- 半导体器件的电极制作方法及半导体器件-202111646390.6
- 李增林;王国斌;李利哲 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
- 2021-12-30 - 2023-04-11 - H01L33/40
- 本发明公开了一种半导体器件的电极制作方法及半导体器件。所述方法包括：对半导体器件的基础结构的表面进行平坦化处理后，在该基础结构表面形成硬质化合物层，之后对硬质化合物层进行刻蚀，从而使基础结构表面的局部区域暴露，再对暴露出的局部区域粗糙化处理，其后在该暴露出的局部区域上形成金属叠层，而后通过退火使金属叠层中的至少一个金属层热膨胀并抵推硬质化合物层，其后使金属叠层降温，从而在金属叠层与硬质化合物层之间形成间隙，最后利用该间隙在金属叠层的顶端面和侧壁上覆盖连续惰性金属层，形成金属堆叠结构，该惰性金属层能很好的保护金属叠层不被腐蚀。利用本发明方法制作形成的电极耐腐蚀性好，能有效保障半导体器件的性能。
- 紫外LED高反电极及其制备方法与应用-202110301894.8
- 徐厚强;蒋洁安;郭炜;叶继春 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2021-03-22 - 2023-04-11 - H01L33/40
- 本发明涉及光电材料与器件领域，特别是涉及一种紫外LED高反电极及其制备方法与应用。本发明通过采用功函数大于等于4.6eV的金属作为欧姆接触层，同时将金属欧姆接触层图形化，并将图形化率控制在5％～40％内，保证了电极的光学性能，且不会影响金属铝反射层与LED芯片层的欧姆接触。本发明提供的方案平衡了紫外LED高反电极对电学性能和光学性能的需求，避免现有技术中为改善光学性能需要将金属欧姆接触层做得尽可能薄带来的低良品率、较差的可控性以及器件开启电压的升高，同时在光学性能上较现有技术有明显的提升。此外，由于欧姆接触层仅部分覆盖高功函金属，较全覆盖的现有方案减少了高功函金属的用量，减少了生产成本。
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