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[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202311016583.2在审
发明人：林志伟;李敏华;罗桂兰;曲晓东;杨克伟;陈凯轩;崔恒平 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为Au层，通过Al层中和Au层的价格，同时表面为化学性质稳定的Au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述Au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用Au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]红光Micro-LED芯片及其制备方法-CN202311037314.4在审
发明人：杨燕;吕守贵;郭磊;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种红光Micro‑LED芯片及其制备方法，其在现有红光Micro‑LED芯片制备方法的基础上，改变P电极和N电极的结构，达到了减少接触欧姆电阻从而降低电压的目的，改善了红光Micro‑LED芯片在常规工作电流2mA应用下电压高于2.0V的问题，并且所述第一N电极或第二N电极的最外层金属结构为PT后，可以减少电极结构里AU的厚度，降低芯片成本。
红光 micro led 芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管及发光模块-CN202310658661.2在审
发明人：朱秀山;李燕 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及光电模块，发光二极管包括：外延结构，含依序堆叠的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；台面的底面具有导电开孔；依序堆叠的具有第一通孔的透明导电层和具有第二通孔的第一绝缘层，第一绝缘层通过第一通孔与第二导电类型半导体层相接触；反射电极层通过第二通孔与透明导电层相接触；导电开孔的一端裸露出第一导电类型半导体层的部分表面，导电开孔与第二导电类型半导体层远离发光层的一侧表面的边缘之间的间距为大于等于1μm；距离反射电极层的侧壁的下表面的边缘最近的第二通孔位于第一绝缘层上表面的边缘与反射电极层的下表面的边缘之间的间距为大于等于5μm，小于等于50μm。
发光二极管发光模块

[发明专利]用于降低欧姆接触电阻的发光二极管外延片及其制造方法-CN202111023442.4有效
发明人：王群;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于降低欧姆接触电阻的发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括多孔氮化镓基底、以及依次层叠在所述基底上的未掺杂的GaN层、N型波导层、多量子阱层、复合P型波导层和P型接触层，所述P型接触层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和第三子层均为掺Mg的GaN层，所述第二子层为不掺杂的GaN层，且所述第二子层的与所述第三子层接触的一面均布有多个纳米颗粒。该发光二极管外延片可以降低P型接触层的欧姆接触电阻，提高LED的发光效率。
用于降低欧姆接触电阻发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]发光元件及发光装置-CN202310952815.9在审
发明人：黄秀丽;于艳玲;王月娇;黄少华;蔡吉明;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，特别是提供一种发光元件及发光装置。发光元件包括：半导体结构，其包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一绝缘层位于半导体结构上且覆盖半导体结构的部分表面和侧壁区域，至少裸露出第一半导体层的部分表面；连接电极位于第一绝缘层上，覆盖第一绝缘层中裸露的第一半导体层的部分表面；第二绝缘层位于连接电极上，至少裸露出连接电极的部分表面；以及焊盘电极，位于第二绝缘层上，包括相互分离的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中，第一焊盘电极通过连接电极和第一半导体层电性连接，第二焊盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。
发光元件装置

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202310753897.4在审
发明人：王晶;郭桓邵;吴俊毅 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制作方法，包括：发光外延层，自下而上依次包括第一半导体层（110）、发光层（120）和第二半导体层（130）；透明介质层（200），至少形成在第二半导体层（130）上，透明介质层（200）具有平台（210）和一系列开口（220）；透明介质层（200）的开口（220）内具有欧姆接触层（310），欧姆接触层（310）与第二半导体层（130）之间具有过渡层（320），过渡层（320）的热迁移率低于欧姆接触层（310），解决了欧姆接触区域材料选择的难题，有效控制了开口面积，减小欧姆接触区域的吸光。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]深紫外半导体发光器件、其制作方法及深紫外消杀装置-CN202310864724.X有效
发明人：李利哲;苏敏 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司;苏州市独墅湖医院（苏州大学附属独墅湖医院）
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外半导体发光器件、其制作方法及深紫外消杀装置。所述器件包括：半导体结构、P型电极和N型电极，半导体结构包括沿指定方向依次设置的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，缓冲层和N型层均具有孔洞结构；P型电极包括高功函数材料层和金属电极层，高功函数材料层与P型层电性接触，金属电极层设置在高功函数材料层上；N型电极与N型层电性接触；金属电极层包括沿指定方向依次设置在高功函数材料层上的反射金属层和保护金属层。本发明中的P型电极整体表现出来良好的深紫外反射性能，并显著降低了P型电极对紫外光的吸收，大幅提高了光提取效率，配合具有孔洞结构的缓冲层和N型层，最终获得了优异的深紫外发光效率。
深紫半导体发光器件制作方法外消杀装置

[实用新型]一种电极为双组分的LED晶片-CN202222289796.X有效
发明人：罗庚;周树斌 -专利权人：东莞中之科技股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电极为双组分的LED晶片，包括晶片和连接板；连接板上设有第一正极接口、第二正极接口、第一负极接口和第二负极接口；晶片包括正极和负极；且正极和负极最外层均由金层和金锡合金层组成；正极焊接有正极导线的第一端；所述负极焊接有负极导线的第一端；正极导线的第二端分支成两端，负极导线的第二端分支成两端；金层和金锡合金层在焊接时变成共晶层，增加导线和电极的结合力，避免使用焊线机过程中或日后使用LED灯过程中导线与电极脱焊的情况；当第一正极接口或第二正极接口损坏时，另一个正极接口保证LED灯继续使用，第一负极接口与第二负极接口同理，降低了LED灯报废的概率，延长了LED灯的使用寿命，节约资源。
一种极为组分 led 晶片

[发明专利]一种垂直结构LED芯片、反射电极及其制备方法-CN201811235636.9有效
发明人：陈芳;王光绪;刘军林;李树强;吴小明;杨梦琳;郭醒;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本发明还公开了该LED芯片的反射电极及其制备方法，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
一种垂直结构 led 芯片反射电极及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201880025956.3有效
发明人：朴德炫;郑炳学 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括：导电衬底；半导体结构，其被布置在导电衬底上并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极，其被布置在半导体结构上并且电连接到第一导电类型半导体层，其中，半导体结构还包括在第一导电类型半导体层和第一电极之间的1‑1导电类型半导体层；以及半导体结构的顶表面包括：在其上布置第一电极的平坦部以及围绕该平坦部的凹凸部，其中从半导体结构的底表面到接触平坦部的侧表面的凹凸部的底表面的第二距离可以在相对于从半导体结构的底表面到1‑1导电半导体层的顶表面的第一距离的70％或者更多与95％或者更少之间。本发明可以通过改善半导体器件的电流扩散现象来增强光通量。
半导体器件

[发明专利]半导体发光装置和包括半导体发光装置的发光装置组件-CN202310039587.6在审
发明人：李性郁;皇甫秀珉;金桑贤;金有正;李政昱;崔慜煜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：提供了一种半导体发光装置和一种发光装置组件。该半导体发光装置包括：基础层；发光结构，其包括具有第一导电性的第一半导体层、有源层、和具有与第一导电性不同的第二电导率的第二半导体层；发光结构上的波长转换层；分离壁，其设置为邻近于波长转换层的侧表面；第一电极金属层，其在第一半导体层的下表面上，第一电极金属层包括反射结构；以及第二电极金属层，其经由穿过第一电极金属层、第一半导体层和有源层并且暴露第二半导体层的通孔电连接至第二半导体层，其中，半导体发光装置被配置为基于调整第二半导体层的上表面上的发光结构、反射结构、分离壁和发光结构中包括的结构中的至少一个在第一方向上实施渐变。
半导体发光装置包括组件

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202180005045.6有效
发明人：江宾;龙思怡;臧雅姝;彭康伟;曾炜竣;陈思河;曾明俊 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。本发明所述发光二极管可以有效提效发光效率。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法-CN202310056275.6在审
发明人：曾江斌;何安和;彭康伟;林素慧;张中英;刘鹏;詹宇;卢超;王庆;洪灵愿 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本公开涉及一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片包括：衬底、外延结构、电极金属层和共晶金属层；其中，共晶金属层的延伸率大于电极金属层的延伸率，共晶金属层的硬度小于电极金属层的硬度。所述LED芯片能够提升LED芯片的柔韧性，以降低LED芯片中共晶金属层剥离的风险，提高LED芯片的使用可靠性；并且，还能增强LED芯片中电极金属层的抗电迁移能力，以避免电极金属层因长期工作发热而出现功能退化或失效的问题。
发光二极管芯片及其制备方法

[实用新型]电极、微型LED芯片阵列、发光模组及发光装置-CN202223506605.7有效
发明人：李晗光;谢锐 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种电极、微型LED芯片阵列、发光模组及发光装置，该电极包括浸润层、间隔层和至少两个铝层，间隔层包括第一层、至少一个中间层和第二层，浸润层覆盖于第一层，使得浸润层能够与其上的键合金属在界面处形成合金，以能够增强键合强度；由于至少两个铝层设置于第一层与第二层之间，且相邻的每两个铝层之间设置有中间层，能够抑制各铝层受热后产生的突起，从而提高产品的成品率。
电极微型 led 芯片阵列发光模组装置

[发明专利]发光显示设备-CN202211258892.6在审
发明人：吴世勋;朴泰翰;金容宰 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种发光显示设备包括：基板；像素驱动电路层，其设置在基板中；平坦化层，其设置在像素驱动电路层上；以及阳极电极，其设置在平坦化层上，其中，阳极电极连接到包括在像素驱动电路层中的驱动晶体管，像素驱动电路层包括第一主电极以及在其间具有绝缘层的情况下设置在第一主电极上的第二主电极，并且第一低反射电极设置在第一主电极下方，第二低反射电极设置在第二主电极下方。
发光显示设备

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