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- [发明专利]发光二极管-CN202310776650.4在审
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朱秀山;包志豪;李燕;荆琪;李俊贤;蔡吉明;凃如钦;张中英
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厦门三安光电有限公司
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2023-06-28
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2023-09-05
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H01L33/12
- 本申请提供了发光二极管,该发光二极管包括外延结构、第一绝缘层、第一连接电极和第二连接电极,外延结构又包括第一半导体层、有源层、第二半导体层,第一连接电极通过贯穿第一绝缘层与第一半导体层电连接。其中,第一绝缘层内还设有金属缓冲层,金属缓冲层至少位于第一连接电极与第二半导体层之间。本申请通过利用设置在第一绝缘层内的金属缓冲层,有效阻断了第一绝缘层内裂纹或孔洞等缺陷在竖直方向的扩展,使第一连接电极与第二半导体层之间的保持电绝缘,避免了现有技术中第一绝缘层破损直接导致的第一连接电极与第二半导体层出现电连接的情况发生,降低发光二极管局部短路现象的发生率。
- 发光二极管
- [发明专利]一种发光二极管-CN202211694028.0在审
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朱秀山;刘小亮;李燕;荆琪;李俊贤;蔡吉明;凃如钦;张中英
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厦门三安光电有限公司
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2022-12-28
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2023-08-18
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H01L33/38
- 本发明提出一种发光二极管,包括:半导体叠层;第一绝缘层,所述第一绝缘层具有一系列第一开口部;连接电极,形成于所述金属层之上,包括第一连接电极和第二连接电极,所述第一连接电极环绕于所述第二连接电极,所述第一连接电极与所述第一半导体层电连接,所述第二连接电极与所述金属层电连接,所述第一连接电极具有靠近发光二极管边缘的外边缘与靠近第二连接电极的内边缘;焊盘电极,形成于所述连接电极之上,包括第一焊盘和第二焊盘,第一焊盘与所述第一连接电极电连接,所述第二焊盘与所述第二连接电极电连接;其中,在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上,所述第一连接电极的内边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
- 一种发光二极管
- [发明专利]半导体发光元件及发光装置-CN202310307788.X在审
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蓝永凌;卓佳利;蔡吉明;张中英;李志明
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厦门三安光电有限公司
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2023-03-27
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2023-08-08
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H01L33/14
- 本发明提供一种半导体发光元件及发光装置,该发光元件的外延结构至少包括由下至上叠置的第一半导体层结构、超晶格结构层、有源层以及第二半导体层结构,有源层为多重量子阱结构,第二半导体层结构为P型掺杂层,P型掺杂物扩散至所述有源层及所述超晶格结构层,P型掺杂物在有源层中形成一骤降区及一缓降,并且P型掺杂物在有源层及超晶格结构层中的扩散深度不大于500nm。Mg原子扩散浓度的最大值出现在距离有源层表面20nm~35nm的范围内。通过控制Mg原子的扩散深度以及扩散浓度的变化,可以有效降低Mg原子对MQW的影响,提高MQW的质量,进而提高有源层中电子空穴的复合效率,提高外延层的内部量子效率,实现发光二极管的高发光效率。
- 半导体发光元件装置
- [发明专利]发光装置-CN202310352322.1在审
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何安和;刘鹏;曾明俊;黄少华;蔡吉明;张中英;林科闯
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厦门三安光电有限公司
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2023-04-04
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2023-06-27
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H01L33/60
- 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光装置,其包括基板、至少二个发光结构、绝缘层、第二电极、反射结构和垂直电互连结构,至少二个发光结构间隔设置在基板的上表面上,各发光结构包括外延结构和第一电极,外延结构包括在基板上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,第一电极连接第一半导体层,绝缘层覆盖基板和发光结构,并于各发光结构的上表面形成开口,第二电极覆盖绝缘层,并通过绝缘层的开口电连接第二半导体层,反射结构设置在相邻二个发光结构之间,垂直电互连结构连接第一电极和基板。借此,可以有效避免光串扰现象的发生,提升发光装置的发光性能。
- 发光装置
- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211574380.0在审
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陈思河;臧雅姝;曾明俊;蔡吉明;张中英;黄少华;江宾
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厦门三安光电有限公司
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2022-12-08
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2023-06-23
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H01L33/36
- 本发明涉及半导体制造技术领域,涉及一种发光二极管,其包括半导体叠层,半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,半导体叠层具有多个通孔,各通孔自第二半导体层向下延伸至第一半导体层;从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视,以半导体叠层的中心为原点建立xy坐标系,向x轴两侧偏移第一距离和向y轴两侧偏移第二距离围成第一图形,向x轴两侧偏移第三距离和向y轴两侧偏移第四距离围成第二图形,位于第一图形内的通孔间的第一间距大于位于第一图形和第二图形间的通孔间的第二间距。借此增强载子传导能力,使得局域电流密度均等化,避免集中区电流带来的热效应,避免直下的电损伤击穿PN结,提升发光二极管的抗ESD性能。
- 发光二极管发光装置
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