专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]键合片的分离装置及其分离方法-CN202311062453.2有效
  • 张向鹏;王晓宇;郭超;母凤文 - 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
  • 2023-08-23 - 2023-10-20 - H10N30/01
  • 本发明公开了一种键合片的分离装置及其分离方法,涉及半导体芯片制造技术领域。键合片包括支撑衬底和压电材料衬底,压电材料衬底包括余料衬底和薄膜层,薄膜层位于支撑衬底和余料衬底之间,键合片的分离装置用于将余料衬底与薄膜层分离,键合片的分离装置包括分离器、支撑台和压杆,分离器内设有分离腔。支撑台设于分离腔内,支撑台内设置有加热器,支撑台用于支撑键合片,并对键合片加热。压杆可移动的设置于分离器上,压杆包括压头,压头与支撑台相对设置,且压头具有冷却功能,压杆能移动至压头与余料衬底抵接,压头用于对余料衬底施加压力和冷却。使用该键合片的分离装置实现了压电材料衬底的重复利用,降低了成本。
  • 键合片分离装置及其方法
  • [发明专利]一种集成式倒装LED芯片的制备方法-CN202310442549.5在审
  • 郭凯;王雪;张向鹏;李晋闽 - 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
  • 2023-04-23 - 2023-06-09 - H01L33/00
  • 本发明属于半导体制备技术领域,涉及一种集成式倒装LED芯片的制备方法,其包括以下步骤:1)、提供外延片;2)、形成n接触电极平台(201);3)、形成分割槽(202);4)、制备n接触电极(301);5)、制备p接触电极(401);6)、蒸镀DBR薄膜(501);7)、沉积第一绝缘钝化层(502);8)、暴露n接触电极(301);9)、制备n连接电极(601);10)、沉积第二绝缘钝化层(701);11)、暴露p接触电极(401);12)、制备p连接电极(702);13)、沉积第三绝缘钝化层(801);14)、暴露P连接电极(702)和n连接电极(601);15)、制备p焊盘电极(802)和n焊盘电极(901)。其能有效稳定产品性能及生产良率。
  • 一种集成倒装led芯片制备方法
  • [实用新型]一种深紫外LED芯片-CN202220476598.1有效
  • 李勇强;徐小红;张向鹏;张晓娜;李晋闽 - 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
  • 2022-03-04 - 2022-11-01 - H01L33/38
  • 本实用新型涉及一种深紫外LED芯片,其包括设置在深紫外LED外延片的n‑半导体层(102)上的n‑电极欧姆接触层(105)和设置在深紫外LED外延片的p‑半导体层(104)上的p‑电极欧姆接触层(106),n‑电极欧姆接触层(105)上设有n‑PAD金属层(108)且p‑电极欧姆接触层(106)上设有p‑PAD金属层(109),n‑PAD金属层(108)和p‑PAD金属层(109)的表面具有凹凸不平的结构,且n‑PAD金属层(108)和p‑PAD金属层(109)上分别具有金锡共晶层(110)。其通过使得n‑PAD金属层和p‑PAD金属层表面具有凹凸不平的结构来提升其与金锡共晶层之间的粘附性和散热,从而提高深紫外LED芯片的可靠性。
  • 一种深紫led芯片

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