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[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202310819370.7在审
发明人：陈大钟;徐瑾;刘士伟;石保军;王水杰;刘可;王强;张中英;黄文嘉;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及发光装置，该倒装发光二极管包括半导体堆叠层、第一焊盘和第二焊盘；半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一焊盘或者第二焊盘设有缝隙，缝隙将第一焊盘或者第二焊盘划分成多个子焊盘。本申请将第一焊盘或者第二焊盘设置成具有缝隙的结构，在第一焊盘或者第二焊盘产生应力时，能够通过缝隙释放对应焊盘所产生的应力，避免对应焊盘在冷热环境转换过程中因应力较大而脱落，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202110782179.0有效
发明人：陈大钟;徐瑾;刘士伟;石保军;王水杰;刘可;王强;张中英;黄文嘉;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及发光装置，该倒装发光二极管包括半导体堆叠层、第一焊盘和第二焊盘；半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一焊盘或者第二焊盘设有缝隙，缝隙将第一焊盘或者第二焊盘划分成多个子焊盘。本申请将第一焊盘或者第二焊盘设置成具有缝隙的结构，在第一焊盘或者第二焊盘产生应力时，能够通过缝隙释放对应焊盘所产生的应力，避免对应焊盘在冷热环境转换过程中因应力较大而脱落，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310545138.9在审
发明人：柯汉清;黄敏;邓有财;庄曜玮;吴嘉文;梁瑞清;胡信;柯霖伟 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括衬底和半导体发光堆叠层，半导体发光堆叠层设置在衬底上，衬底具有四个侧壁、上表面和下表面，至少一个侧壁上具有第一激光打点区域和第二激光打点区域，第一激光打点区域包括多个第一激光点，第二激光打点区域包括多个第二激光点，第一激光打点区域与第二激光打点区域之间具有应力纹，其中，第一激光打点区域与应力纹之间具有一第一距离D1，第二激光打点区域与应力纹之间具有一第二距离D2，0.7D2D11.3D2。通过将应力纹层限制在第一激光打点区域与第二激光打点区域之间的相对偏向中间的位置，可以有效避免发光二极管出现闪电状侧壁和背面波浪边的形成，提升发光二极管的品质，提升产品良率。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202080006158.3有效
发明人：唐宏彬;邓有财;庄曜玮;吴霁圃;吴嘉文;黄文嘉;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管，其至少包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面；DBR反射层（108），设置在所述半导体外延叠层的第二表面之上，包括由a种不同折射率的材料层交替堆叠而成的M组材料层对，其中2≤a≤6；其特征在于：所述DBR反射层（108）的M组材料层对中有N组材料层对，所述N组材料层对中a种材料层间的界面的粗糙度大于其余（M‑N）组材料层对中a种材料层间的界面的粗糙度，其中M＞N≥1。通过对DBR反射层（108）中材料层间的界面进行粗化，可增加出光效率；同时可改善DBR反射层（108）的材料层间、DBR反射层（108）和衬底（101）间的附着力，改善切割背崩，推力剥落的现象，提升产品良率。
一种发光二极管

[发明专利]一种LED芯片-CN202310579771.X在审
发明人：杨人龙;张丽明;郑逸;张中英;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
一种 led 芯片

[发明专利]一种LED芯片-CN202310579709.0在审
发明人：杨人龙;张丽明;郑逸;张中英;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
一种 led 芯片

[发明专利]一种LED芯片-CN202110864342.8有效
发明人：杨人龙;张丽明;郑逸;张中英;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
一种 led 芯片

[发明专利]一种发光二极管及发光装置-CN202280006091.2在审
发明人：黄敏;陈志彬;王谢清;杨硕;唐宏彬;吴霁圃;庄曜玮;邓有财;吴嘉文;王春萍 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管芯片技术领域，特别涉及发光二极管及发光装置，包括半导体层序列，半导体层序列从下至上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极或者第二电极具有电极结构，电极结构包含第一金属层、第二金属层和第三金属层，第一金属层与第二半导体层序列电性连接，第二金属层设置在第一金属层之上；第三金属层设置在第二金属层之上；第二金属层包含镍磷合金或者镍磷化合物。与现有技术相比，本发明通过加入第二金属层的设计使得电极在焊接时增强焊接粘着性和可靠性,同时可以阻挡外部焊料扩散至第一金属层，以避免电极推力脱落的风险。
一种发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管、晶圆结构及发光装置-CN202310193346.7在审
发明人：黄敏;肖冰柔;陈志彬;郭义生;唐宏彬;王嘉乐;邓有财;庄曜玮;吴嘉文 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括衬底、半导体叠层、第一DBR结构和防黏层，衬底具有相对的正面和背面，半导体叠层设置在衬底的正面上，第一DBR结构设置在衬底的背面上，防黏层设置在第一DBR结构的远离衬底的一侧。借由防黏层作为第一DBR结构的最外层，来与UV膜进行接触，可以大幅降低第一DBR结构与UV膜之间的黏着力，有利于对发光二极管进行转移，进而提升封装厂的打件良率。
发光二极管结构发光装置

[发明专利]一种LED芯片及其制造方法、半导体发光器件及显示装置-CN202110676607.1有效
发明人：黄苡叡;林宗民;张中英;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制造方法、半导体发光器件及显示装置，LED芯片包括半导体外延层，半导体外延层的上方及侧壁上形成有反射结构，例如DBR结构。通过选择DBR结构中第一材料层和第二材料层，并合理设计第一材料层和第二材料层的光学厚度以及层数，使得该DBR结构对隐切激光的反射率30％，最优地，小于5％，接近0％，即几乎能够对隐切激光进行全吸收，或者使隐切激光在光波导结构内反复传输最后自光波导结构出射出去。通过上述反射结构的设计，隐切过程中散射的激光吸收或者自光波导结构出射，不会有激光进入衬底正面的半导体外延层中，从而避免半导体外延层被灼烧或者损伤，保护LED芯片不会出现漏电风险，增强器件的可靠性。
一种 led 芯片及其制造方法半导体发光器件显示装置

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202210964464.9在审
发明人：陈柏羽;邓有财;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包含：与发光二极管第一半导体层电连接的第一电极，与第二半导体层电连接的第二电极，第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层，第一反射层和/或第二反射层的材料的杨氏模量不小于150Gpa且体积模量不小于200Gpa，有利于提升发光二极管的光电特性，提升产品可靠性。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN201980006017.9有效
发明人：陈柏羽;邓有财;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包含：与发光二极管第一半导体层电连接的第一电极，与第二半导体层电连接的第二电极，第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层，第一反射层和/或第二反射层的材料的杨氏模量不小于150Gpa且体积模量不小于200Gpa，有利于提升发光二极管的光电特性，提升产品可靠性。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种倒装高压发光二极管及发光装置-CN202010343028.0有效
发明人：徐瑾;刘士伟;赖艺彬;温兆军;邓有财;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装高压发光二极管以及发光装置，其中倒装高压发光二极管包括衬底和n颗子芯片，其中n大于等于3，n颗子芯片位于衬底上且彼此之间通过沟槽而相互独立，每一子芯片包括一半导体发光堆叠层，每一子芯片的半导体发光堆叠层上以及沟槽内都覆盖有反射层；反射层上具有位于至少一其它子芯片上的至少一第一其它开口和/或至少一第二其它开口，该第一焊盘延伸至至少一其它子芯片上覆盖的反射层表面上，且填充反射层的第一其它开口，和/或第二焊盘延伸至至少一其它子芯片上覆盖的反射层表面上，同时填充第二其它开口，以提升倒装高压发光二极管整体的固晶能力。
一种倒装高压发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202180005917.9在审
发明人：刘士伟;徐瑾;张中英;王水杰;邓有财;王庆;石保军;吴霁圃;谢昆达;刘可;陈大钟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括外延层、第一绝缘反射层以及第二绝缘反射层，外延层包括依次堆叠的第一半导体层、用于发出光线的发光层以及第二半导体层，并具有相对的第一表面与第二表面；第一绝缘反射层设置于外延层的第一表面；第二绝缘反射层设置于外延层的第二表面；其中，第一绝缘反射层对于具有第一入射角的光线的反射率低于第二绝缘反射层对于具有第三入射角光线的反射率，第一入射角介于0～10°，第三入射角介于0～10°。借此设置，可大幅提升发光二极管的侧面出光角度，增大发光二极管的出光极致角度，满足市场需求。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202210178743.2在审
发明人：张中英;吴霁圃;唐宏彬;廖齐华;邓有财;张家豪;邱树添 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种发光二极管，包含：复合绝缘反射层（100）包括多个电介质对；至少其中一个电介质对包括具有第一折射率的第一材料层（110）、具有第二折射率的第二材料层（120）和位于二者之间的应力缓冲层（130），第一折射率大于第二折射率。利用缓冲层（130）降低反射膜层的制作应力，提供芯片工艺制作良率。
一种发光二极管

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