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[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202311206427.2在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积外延层；在外延层上沉积第一欧姆接触层，在第一欧姆接触层上沉积多个光角转换层；在第一欧姆接触层上沉积第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层的边缘制备外延层凹部；对外延层凹部进行刻蚀处理，形成隔离槽；在第二欧姆接触层上依次涂覆多层光刻胶，在多层光刻胶上制备反射层开口；在光刻胶表面依次沉积Ag层和Ti层，保留反射层开口内的Ag层和Ti层，以形成反射镜层；在反射镜层上沉积绝缘保护层，并制备N型绝缘层通孔和P型绝缘层通孔；在绝缘保护层上沉积N型焊盘层和P型焊盘层。本发明能够有效减少反射镜层脱落的风险。
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202311206423.4在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法；包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积隔离层，对隔离层进行刻蚀形成第一容纳槽；在第一容纳槽内沉积外延层；在隔离层上沉积Ag环层；在Ag环层上沉积Ag环保护层，在外延层上沉积电流阻挡层；对部分外延层进行刻蚀形成N型导电台阶；在电流阻挡层上沉积电流扩展层；在N型导电台阶上沉积N型电极，在电流扩展层上沉积P型电极；在电流扩展层上沉积布拉格反射层；对衬底底部进行刻蚀形成第一斜坡及第二斜坡。本发明利用隔离层隔离外延层，无需制备隔离槽隔离外延层，有效避免了因外延层非辐射复合的增加，从而导致外延层材料内量子效率降低的问题。
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种垂直发光二极管及其制备方法、LED灯板-CN202311206421.5在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直发光二极管及其制备方法、LED灯板，该垂直发光二极管包括导电层以及依次沉积于导电层上的Ag金属反射镜、光角转换层、外延层、导电金属层；导电层包括芯片焊盘以及依次沉积于芯片焊盘上的导电基板、Au金属膜层、Au金属薄膜以及Ni金属薄膜，光角转换层的截面呈倒梯形结构，光角转换层为本征GaN层，本发明通过设置Ag金属反射镜以及光角转换层，使得垂直发光二极管内部大角度的光线通过Ag金属反射镜的反射转换为小角度的光线，防止大角度光线在垂直发光二极管内发生全反射无法释放，从而提升垂直发光二极管的发光效率。
一种垂直发光二极管及其制备方法 led 灯板

[发明专利]一种织构化基体填充阻尼材料圆锯片及其制备方法-CN202310819383.4在审
发明人：鲁洋;邓建新 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B23D61/02 文献下载
摘要：本发明属于机械切削加工制造技术领域，特别是涉及一种织构化基体填充阻尼材料圆锯片及其制备方法。该圆锯片直径为D，在基体两侧0.25‑0.75D之间各加工有密集分布的圆孔、径向、环向微织构，所述微织构的间距为100‑500μm，深度为10‑50μm，宽度为30‑100μm，间隔角度为1‑5°。在锯片微织构区域喷涂液态橡胶、聚氨酯等阻尼材料，使阻尼材料填充在微织构内，并在织构化区域形成1‑100μm厚的阻尼材料涂层。本发明创造性的提出了微织构基体填充阻尼材料圆锯片，解决了锯片开槽、开孔刚度降低，只在槽、孔内填充阻尼材料降噪效果不足等问题，微织构基体填充阻尼材料能够有效降低圆锯片振动和噪音，增加锯片刚度，减轻锯齿的磨损，延长锯片寿命，提高加工表面质量。
一种织构化基体填充阻尼材料圆锯及其制备方法

[发明专利]一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片-CN202310603579.X有效
发明人：李文涛;鲁洋;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，该方法通过提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，预融后的Ni金属靶材用于蒸镀至外延片上，其中，在预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率，后将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上，以得到附着于衬底上的超薄Ni金属，使得超薄Ni金属作为Ag反射镜的粘附层时，反射镜的反射率大幅提高。
一种电子束超薄 ni 金属方法倒装 led 芯片

[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202310855066.8有效
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，所述芯片包括衬底以及依次设于所述衬底上的第一半导体层、电流扩展层、电极层、布拉格反射层、第二半导体层；所述布拉格反射通孔具有第一底面、第二底面，所述电极层具有第一表面、第二表面；所述第一表面的投影圆直径大于所述第二表面的投影圆直径，所述第一底面的投影圆直径大于所述第二表面的投影圆直径、小于所述第一表面的投影圆直径，所述第二底面的投影圆直径大于所述第一表面的投影圆直径，本发明可去掉布拉格反射层置于电极层拐角处的凸块，避免点连接层金属在凸块上形成空洞，以提高芯片可靠性。
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种墨粉生产用混合装置-CN202311095186.9在审
发明人：李文良;邓建新;鲁洋;张洪涛;王杨;刘锴 -专利权人：天津市中环天佳电子有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B01F35/71 文献下载
摘要：本申请涉及一种墨粉生产用混合装置，属于墨粉生产加工设备的技术领域，其包括搅拌桶和开设在所述搅拌桶上端的进料口，所述搅拌桶下端开设有出料口，所述搅拌桶中设有多个搅拌杆，且所述搅拌桶内部靠近所述进料口的一端设有均匀分散原料的分料板，所述分料板上侧且与所述进料口相对的位置设置为均向靠近所述进料口的方向凸起的尖端，所述分料板边缘向远离所述进料口的方向倾斜，所述分料板上开设有多个均匀分布的漏料孔。本申请具有便于均匀混合原料，提高工作效率的效果。
一种生产混合装置

[发明专利]可剪切和密封的分离阀-CN202310986959.6有效
发明人：李一村;陈辰;于磊;陆勇;鲁洋 -专利权人：天津市玛特瑞科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： F16K5/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种可剪切和密封的分离阀，涉及油气田开发工具技术领域，解决了现有的分离阀在执行剪切动作后易发生损坏的问题。该分离阀包括壳体、密封剪切结构以及阀执行结构，壳体内形成有用于放置密封剪切结构的容置腔室，阀执行结构安装于壳体上且与密封剪切结构相连接；密封剪切结构包括球阀本体、密封球座、剪切球座和密封部，球阀本体上设置有剪切部，剪切球座固定设置于密封球座内，阀执行结构能带动球阀本体转动至剪切位置或者密封位置。在密封球面落入密封球座前与剪切球座无硬接触，从而降低了密封球面损坏可能。而阀执行结构将原有的线性驱动模式改为直接作用在密封剪切球阀上的旋转驱动模式，大幅提升了驱动球阀的剪切力。
剪切密封分离

[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202310887079.3在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，至少包括衬底及依次层叠在衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层，P型半导体层上层叠有电流扩展层，P型半导体层与电流扩展层之间设有P型电极，N型半导体层设有N型半导体导电台阶，N型半导体导电台阶上设有N型电极；P型电极包括沿芯片生长方向依次层叠的反射层、保护层、导电层、过刻蚀层、欧姆接触层，反射层为Al层，保护层为Ni层与Pt层或Ti层与Pt层周期性层叠的结构，导电层为Au层或者Cu层，过刻蚀层为Ni层、Ti层、Pt层中任意一种，欧姆接触层为Cr层或Ni层。本发明能够有效提高LED芯片的发光亮度，降低其工作电压。
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]动车组灵活编组时网络控制系统快速识别编组状态方法-CN202210278363.6在审
发明人：郁兆旺;薛宏佺;贲晓东;陈立;鲁洋;周正宇;王超 -专利权人：中车南京浦镇车辆有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B61B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了动车组灵活编组时网络控制系统快速识别编组状态方法，该方法包括以下步骤：利用单车电气控制单元对动车组单车进行功能配置；对动车组单车进行位置相对固定设备的配置，并对单车电气控制单元进行触摸屏或拨码器的配置；基于单车电气控制单元的触摸屏或拨码器设置单车的车厢号及车型代号；基于机械师室的列车级电气控制单元进行列车编组的物理状态的调整；将调整后的列车编组的物理状态进行固化保存，并实现列车控制逻辑及通信协议。本发明便于用户灵活运用动车组，提高车厢的使用率，减少车厢的空载浪费。
车组灵活编组网络控制系统快速识别状态方法

[发明专利]一种高良率倒装LED芯片及其制备方法-CN202310462449.9在审
发明人：李文涛;鲁洋;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种高良率倒装LED芯片及其制备方法，一种高良率倒装LED芯片的制备方法包括如下步骤：提供一衬底；在衬底上沉积外延层；在外延层上制备布拉格反射层，并在布拉格反射层中刻蚀贯穿形成布拉格反射层通孔；布拉格反射层通孔的截面由下至上依次增大、且在布拉格反射层的内壁上形成平缓的斜面，本发明中的高良率倒装LED芯片的制备方法，在制备布拉格反射层通孔时，通过控制其在布拉格反射层的内壁上形成平缓的斜面，以消除因斜面呈锯齿状而导致的焊盘在斜坡披覆时会出现空洞的技术问题，避免了空洞处ESD放电，提高了倒装LED芯片的良率。
一种高良率倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202310920711.X有效
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，包括衬底及依次层叠在衬底上的外延层、电流阻挡层、电流扩展层、电极层、布拉格反射层、连接层、第一绝缘保护层、金属保护层、第二绝缘保护层、焊盘层；连接层包括结构相同的多个P型连接层和多个N型连接层，P型连接层由依次层叠的高反射金属层、防护金属层及电流传输层组成，高反射金属层为Al层或Ag层；电流传输层包括依次层叠的至少两个传输子层，传输子层由多组周期性层叠的TiW层和Au层组成，沿芯片生长方向的不同传输子层中TiW层厚度占Au层厚度的比例呈线性增加。本发明的LED芯片电流均匀扩散，且可以增大LED芯片可使用的最大电流。
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

[实用新型]一种倒装mini LED芯片-CN202321288638.0有效
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装mini LED芯片，包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的外延层、导电电极层、布拉格反射层与焊盘层；所述布拉格反射层包括M个沿层叠方向周期性交替排布的SiO2层与TiO2层，所述布拉格反射层上设有第一沟槽，所述焊盘层靠近所述布拉格反射层的一侧设有Ti金属层，所述焊盘层的上方设有第二沟槽，本申请增强了焊盘层与PCB板的粘附力，使得该倒装mini LED芯片不易从PCB板上脱落。
一种倒装 mini led 芯片

[发明专利]一种河道淤泥固化土防裂最佳级配设计方法及系统-CN202310722588.0在审
发明人：王柳江;崔红斌;毛航宇;刘斯宏;吉田宪幸;鲁洋;臧耀辉;方斌昕;李瑞平;江朝华;范春贞 -专利权人：河海大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种河道淤泥固化土防裂最佳级配设计方法及系统，属于河道淤泥固化土开裂防控技术领域。方法包括：对疏浚河道进行分区，测定不同区域的淤泥级配和含水率，按照测定的级配对土体进行分类，估算不同类型土体的质量；根据不同类型土体的级配和含水率，建立混合土体的级配计算公式；基于河道淤泥固化土的干燥收缩试验，确定抑制固化土开裂的设计级配曲线；根据混合后土体级配曲线与设计级配曲线最接近原理，建立第一目标函数，根据混合土的质量小于混合前不同类型土体的质量之和以及混合后剩余土体质量最小原理，建立第二目标函数，寻找两个目标函数的最优解，确定不同类型土体的掺量。本发明实现河道淤泥固化土整体抗裂性能的提升。
一种河道淤泥固化土防裂最佳设计方法系统

[发明专利]晶圆级封装方法及晶圆级封装结构-CN202310587385.5有效
发明人：杨起;鲁洋;秦枫;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，该晶圆级封装方法包括：制备UBM结构晶圆；UBM结构晶圆包括芯片层、Al焊盘、粘结层、润湿层；将制备好的UBM结构晶圆进行刷锡工艺处理，形成凸焊点晶圆，凸焊点晶圆的下方形成金属间化合物层以及无铅钎料层；无铅钎料层掺杂有细小分散Ni颗粒；制备UBM结构基板，包括基板、Cu焊盘以及Ni‑P镀层；将UBM结构基板与凸焊点晶圆进行回流焊，使芯片固晶在基板上。本发明其通过对钎料中添加细小分散体Ni颗粒，改善钎料组织及性能，提高低温服役环境下的组织稳定性；使得凸焊点与UBM钎缝界面可靠性得到优化，提高产品可接受焊点良率。
晶圆级封装方法结构

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