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[发明专利]制品及其制备方法-CN202310710475.9在审
发明人： 王绘凝;栗伟;韩艺蕃;郝亚磊;龚逸品;梅劲;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开提供了一种制品及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制品包括衬底、外延结构区域、调整电极和固定电极，外延结构区域排布于衬底上，调整电极和固定电极均位于对应的外延结构区域的表面，且调整电极和固定电极间隔排布；多个外延结构区域包括第一外延结构区域和第二外延结构区域，第一外延结构区域对应的调整电极和固定电极之间的距离与第二外延结构区域对应的调整电极和固定电极之间的距离不同，和/或，第一外延结构区域对应的调整电极和第二外延结构区域对应的调整电极的横截面积不同，且在相同电压作用下，第一外延结构区域的亮度值为第二外延结构区域的亮度值的95％至105％。本公开实施例能提升LED器件亮度的均匀性。
制品及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202310675611.5在审
发明人：朱知音;王政卫;王绘凝;冯岩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延叠层、电极和焊球，所述电极位于所述外延叠层上，所述电极具有第一表面和与所述第一表面相连的侧壁，所述电极的侧壁具有增阻结构，所述增阻结构包括凹槽和/或凸起，所述焊球与所述第一表面和所述增阻结构相连。本公开能提升焊球与电极的连接可靠性，防止出现焊球从电极上脱落的问题。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]改善光效的发光二极管及其制备方法-CN202310530487.3在审
发明人： 王绘凝;栗伟;冯岩;韩艺蕃;张奕;梅劲;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善光效的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：第一电极、第二电极和外延结构；所述外延结构包括至少两个层叠的周期结构，每个周期结构包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述外延结构具有露出各个周期结构的第一半导体层的第一凹槽，以及露出各个周期结构的第二半导体层的第二凹槽；各个周期结构的第一半导体层通过第一电极电性相连，各个周期的第二半导体层通过第二电极电性相连。本公开实施例能提升发光二极管的发光面积，改善发光二极管的发光效果。
改善发光二极管及其制备方法

[发明专利]改善光提取效率的发光二极管及其制备方法-CN202310606628.5在审
发明人：李威;朱知音;王绘凝;冯岩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善光提取效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层和第一电极，所述外延层位于所述衬底的承载面上，所述第一电极与所述外延层电性连接；所述第一电极在所述承载面上的正投影为第一投影，所述外延层的发光区域在所述承载面上的正投影为第二投影，所述第一投影的至少部分位于所述第二投影之外。本公开实施例能改善电极遮光的问题，提升发光二极管的光提取效率。
改善提取效率发光二极管及其制备方法

[发明专利]改善晶格失配的发光二极管及其制备方法-CN202310573184.X在审
发明人： 王绘凝;栗伟;冯岩;王顺;陆香花;梅劲;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善晶格失配的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延叠层，所述外延叠层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面具有露出所述多量子阱层的至少两个第一凹槽，所述至少两个第一凹槽中的每个内填充有透明绝缘材料。本公开实施例能改善多量子阱层之间存在晶格失配的问题，提升外延叠层的晶体质量。
改善晶格失配发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202111395331.6有效
发明人：曹林华;陈婉君;王绘凝;唐荷映;贺春兰;江莉莉;张丽明;杨人龙;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极位于外延结构上且电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构上且电连接第二半导体层，第二电极包括起始部和连接于起始部的延伸部，延伸部具有弧形部，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，弧形部具有第一弧形边与第二弧形边，第一弧形边的第一曲率半径小于第二弧形边的第二曲率半径，第一弧形边和第二弧形边朝向同一方向，第一弧形边的圆心到第二弧形边的圆心的距离小于等于5μm。借此，可加宽转角处弧形部的宽度，改善弧形区域的电流拥堵状况，增加载流子的注入面积，避免转角处烧伤。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管芯片-CN202310042108.6在审
发明人： 王绘凝;夏宏伟;马全扬;卓佳利;史伟斌;林素慧;杨人龙;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片，包括衬底、半导体发光序列层、第一电极和第二电极，所述第一电极电连接第一导电型半导体层；所述第一电极包括反射层,所述反射层包括Al金属、Ti金属层组成的多对重复叠层，所述反射层中的Al金属层/Ti金属层的厚度从发光二极管芯片出光侧往电极侧方向依序减小。本发明可以增加发光二极管芯片的出光效率。
一种发光二极管芯片

[发明专利]一种发光二极管芯片-CN202110820138.6有效
发明人： 王绘凝;夏宏伟;马全扬;卓佳利;史伟斌;林素慧;杨人龙;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及种发光二极管芯片，包括衬底、半导体发光序列层、第一电极和第二电极，所述第一电极电连接第一导电型半导体层；所述第一电极包括反射层、中间层和导电层，反射层用于反射来自发光层的光；所述的中间层包括阻挡层，阻挡层至少包括第一层和第二层，第一层比第二层更接近导电层，第一层和第二层均包括有Pt金属层，且第一层中Pt金属层的厚度大于第二层中Pt金属层的厚度，以解决电极结构中金属互溶的问题。
一种发光二极管芯片

[实用新型]正装发光二极管和显示装置-CN202220931439.6有效
发明人：夏宏伟;王庆;王绘凝;刘鹏;卢超;洪灵愿;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：正装发光二极管，包括衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm，可作为背光显示装置的光源，保证背光显示的光源较高的光均匀性。可替代传统的小尺寸的倒装的发光二极管，可以降低整个背光显示装置的成本。
发光二极管显示装置

[发明专利]发光二极管模组、背光模组和显示模组-CN202210584573.8在审
发明人：林素慧;王绘凝;何安和;彭康伟;黄禹杰 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：发光二极管模组，包括：位于同一衬底上的多个台面结构，所述台面结构的边长为250μm以下，所述台面结构包括位于所述衬底上的第一导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上的有源层，以及位于所述有源层上的第二导电型半导体层；不同所述台面结构之间具有沟槽；第一保护层，所述第一保护层覆盖所述沟槽底面和侧面，所述第一保护层还覆盖所述台面结构；第一并联结构，所述第一并联结构贯穿所述第一保护层，以实现与多个所述台面结构的所述第一导电型半导体层电连接；第二并联结构，所述第二并联结构贯穿所述第一保护层，以实现与多个所述台面结构的所述第二导电型半导体层电连接。所述发光二极管模组能耗低，不易损坏，且实现多点发光。
发光二极管模组背光显示

[发明专利]正装发光二极管和显示装置-CN202210423283.5在审
发明人：王庆;王绘凝;夏宏伟;刘鹏;卢超;洪灵愿;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：正装发光二极管，包括衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm，可作为背光显示装置的光源，保证背光显示的光源较高的光均匀性。可替代传统的小尺寸的倒装的发光二极管，可以降低整个背光显示装置的成本。
发光二极管显示装置

[发明专利]发光二极管模组、背光模组和显示模组-CN202010845753.8有效
发明人：林素慧;王绘凝;何安和;彭康伟;黄禹杰 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：发光二极管模组，包括：位于同一衬底上的多个台面结构，所述台面结构包括位于所述衬底上的第一导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上的有源层，以及位于所述有源层上的第二导电型半导体层；不同所述台面结构之间具有沟槽；每个所述台面结构上还具有电流扩展层，所述电流扩展层位于所述第二导电型半导体层上；第一保护层覆盖所述沟槽底面和侧面，所述第一保护层还覆盖所述电流扩展层；第一并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述第一导电型半导体层连接；第二并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述电流扩展层连接。所述LED模组能耗低，不易损坏，且实现多点发光。
发光二极管模组背光显示

[发明专利]一种半导体发光元件-CN202210249609.7在审
发明人：陈思河;王锋;王绘凝;贺春兰;洪灵愿;彭康伟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件，包括：第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；第一电极和第二电极，分别配置于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，并位于半导体发光元件的同一面侧；至少一条第二电极引线，包括与所述第二电极连接的连接段和从所述连接段向第一电极延伸的延伸段；其特征在于：所述第二电极引线延伸段具有自所述第二电极引线连接段延伸至逐渐靠近第一电极的第一部分和自第一部分延伸逐渐靠近第一电极的第二部分，所述第一部分的宽度自延伸方向呈递减变化的，所述第二部分的宽度是固定不变的。本发明第二电极引线延伸段的第一部分的宽度自延伸方向呈递减变化，可提升半导体发光元件的过电压冲击性能（EOS性能）。
一种半导体发光元件

[发明专利]发光二极管-CN202210138792.3在审
发明人：夏宏伟;马全扬;王绘凝;林雅雯;张平;林素慧;杨人龙;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请公开的发光二极管包括：半导体叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层以及位于两者之间的有源层；第一电极和第二电极，分别形成于所述第一半导体层或所述第二半导体层上，所述第一电极和第二电极具有与所述第一半导体层或所述第二半导体层接触的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面之间的侧面；绝缘层，包括形成于所述第一电极或第二电极的所述第二表面和所述侧面上，所述绝缘层具有多个裸露出所述第一电极或第二电极部分所述第二表面的第一开口；保护电极，通过所述第一开口与所述第一电极或第二电极的所述第二表面接触，并覆盖形成于所述第一电极或第二电极所述侧面的所述绝缘层上。
发光二极管

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210063980.4有效
发明人： 王绘凝;夏宏伟;马全扬;刘士伟;卓佳利;杨硕;林素慧;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、透明电流扩展层、第一电极和第二电极，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，透明电流扩展层位于第二半导体层上，第一电极和第二电极分别电连接第一半导体层和透明电流扩展层，其中，透明电流扩展层包括依次层叠的第二透明电流扩展层和第一透明电流扩展层，第一透明电流扩展层中掺杂Al金属。借此设置，可有效提升发光二极管的静电防护能力，使得发光二极管具有高抗ESD能力。
发光二极管发光装置

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