专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种P型PbSe光电薄膜的敏化方法-CN202111436517.1有效
  • 刘军林;蒋志远;吕全江;刘桂武;乔冠军 - 江苏大学
  • 2021-11-29 - 2023-09-26 - C01B19/04
  • 本发明涉及光电薄膜,特指一种P型PbSe光电薄膜的敏化方法。首先将沉积于衬底上的P型PbSe薄膜置入强氧化剂溶液中进行氧化处理,在P型PbSe光电薄膜表面形成PbSexO1‑x,0.2≤x≤0.8化合物,其次将氧化处理后的P型PbSe光电薄膜浸入含碘化合物溶液中进行碘化处理,使得P型PbSe光电薄膜表面的PbSexO1‑x化合物转化成碘化物,完成碘元素的引入,最后在含氧气氛中进行退火处理,使得P型PbSe光电薄膜表面形成n型的PbSexO1‑xIy化合物,0.2≤x≤0.8,0.3≤y≤0.7,完成敏化处理。本发明很好地解决了现有PbSe敏化处理工艺存在的问题,同时简单方便,可重复性好。
  • 一种pbse光电薄膜方法
  • [发明专利]一种Zn-CuO/Cu2-CN202310549359.3在审
  • 刘桂武;倪敏杰;乔冠军;侯海港;刘军林 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2023-05-16 - 2023-09-19 - C01G9/02
  • 本发明涉及一种Zn‑CuO/Cu2O三元异质结复合气敏材料,所述Zn‑CuO/Cu2O三元异质结复合气敏材料是由CuO、Cu2O、ZnO纳米相组成的,其中Zn、Cu的原子体积比为1.5‑2.6%,在所述Zn‑CuO/Cu2O三元异质结复合气敏材料的界面处,存在Zn‑CuO/Cu2O三元异质结。本发明通过对CuO/Cu2O复合材料进行Zn2+掺杂后,得到Zn‑CuO/Cu2O三元异质结复合气敏材料,Zn2+的掺杂,使得材料表面的吸附氧位点增多,为目标气体分子提供更多的活性吸附位点,有助于气体分子的吸附和解吸;表面形成大量的吸附氧位点和三元异质结的协同作用,提高了对NO2的选择性、灵敏度和稳定性,实现室温下检测NO2,并且在室温下对2ppbNO2具有较高的响应。
  • 一种zncuocubasesub
  • [发明专利]一种用于制备氮化物材料的装置-CN201711006984.4有效
  • 江风益;刘军林;张建立;徐龙权;丁杰;全知觉 - 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
  • 2017-10-25 - 2023-08-04 - C23C16/34
  • 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置,包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统,其中:腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成,金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置,金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成,真空系统包括干泵、分子泵和低温泵,样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置,传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式,具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
  • 一种用于制备氮化物材料装置
  • [发明专利]数据重传方法、电子设备及存储介质-CN202310335272.6在审
  • 温文坤;李亮;闵铁锐;刘军林;郑凛;马凤鸣;任后文 - 广州技象科技有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-07-18 - H04L1/1809
  • 本发明公开数据重传方法、电子设备及存储介质,方法包括:基于预设的解扩频调制算法对接收到的重传信号进行解扩频调制,得到多个软解调信息,并获取重传信号的重传次数;根据预设的重传缓存对多个软解调信息进行信息合并,得到译码码块;对译码码块进行CRC校验,得到校验信息;在校验信息为校验失败的情况下,根据校验信息生成负向反馈信息;当重传次数小于等于预设的目标重传次数,向第一通信设备发送负向反馈信息以接收第一通信设备根据负向反馈信息发送的重传信号。在本发明实施例中,能够在解扩频调制时进行重传合并,提高解调正确率以及重传增益。
  • 数据方法电子设备存储介质
  • [发明专利]一种BP-Au-WS2-CN202310297774.4在审
  • 刘桂武;梁智萍;乔冠军;刘军林;侯海港 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2023-03-24 - 2023-07-04 - G01N27/12
  • 本发明属于气体敏感材料领域,具体涉及一种BP‑Au‑WS2三元气敏复合材料及其应用。其中,BP‑Au‑WS2是一种含有金、黑磷和过渡金属硫化物的三元复合材料。制备方法如下:(1)将过渡金属盐、草酸以及硫脲在酸性条件下混合均匀;(2)将反应体系在高温条件下反应得到过渡金属硫化物;(3)通过氯金酸在过渡金属硫化物表附着金颗粒。(4)以含金的过渡金属硫化物、红磷,固体碘和硒粉末为原料,通过高温真空烧结得到目标产物。目标物是一种对不同浓度NO、NO2或NH3具有高度敏感性常温气敏材料,其具有敏感度高,可常温使用、稳定性好氧化性强的优点。适合制备各类气敏元件、气体检测仪或警报器。本发明克服了黑磷材料稳定性差,敏感性不足的缺陷。
  • 一种bpauwsbasesub
  • [发明专利]一种锰酸镧陶瓷基光吸收体及其应用与制备方法-CN202211403156.5有效
  • 刘桂武;侯海港;刘军林;乔冠军 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2022-11-10 - 2023-07-04 - C04B35/50
  • 本发明属于光电技术领域,具体涉及一种锰酸镧陶瓷基光吸收体,该光吸收体的应用,以及锰酸镧陶瓷基光吸收体的制备方法。该光吸收体包括陶瓷基体、抗激光损伤薄膜和纳米过渡层。陶瓷基体包括五个结构层;包括位于中间层的锂掺杂锰酸镧陶瓷层;位于锂掺杂锰酸镧陶瓷层两侧的钙掺杂锰酸镧陶瓷层;以及位于钙掺杂锰酸镧陶瓷层两侧的致密的锰酸镧陶瓷层。陶瓷基体中的孔隙尺寸从中间向两侧呈梯度递减的分布状态。抗激光损伤薄膜位于锰酸镧陶瓷层的外表面。纳米过渡层由陶瓷基体和抗激光损伤薄膜中的相邻结构层经高温热处理后生成在二者的界面处。本发明克服了现有光吸收体无法在吸收光谱、吸收率、耐热抗震和耐激光损伤等性能上达到均衡的问题。
  • 一种锰酸镧陶瓷吸收体及其应用制备方法

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