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[发明专利]一种量子点色转换层图案化制作方法-CN202210393467.1在审
发明人：李飞;金宏;钟海政 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点色转换层图案化制作方法，所述量子点色转换层包括像素层，所述像素层上设有红色像素孔、绿色像素孔、蓝色像素孔，所述制作方法如下步骤：所述的量子点材料由光固化胶水或者热固化胶水混合制作。同时转印的模板表面经过疏水层处理，转印的模板凹槽采用通孔，方便待转印的材料很好的转移到对应的背光板的像素孔里，依次转印红、绿、扩散粒子等材料，通过此转印的方法制作量子点色转换层。色转换层图案化制作问题，规避了喷墨打印、光刻工艺等图案化制作对材料的严苛的性能要求，使得图案化制作工艺对材料的工艺要求更低。
一种量子转换图案制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202310637100.4在审
发明人：刘伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过灰度掩膜光刻板对所述外延叠层进行曝光、显影、蚀刻，同步形成若干个隔离槽及若干个对应设置的凹槽和发光台面，以获得通过所述隔离槽相互间隔排布的若干个子外延叠层，且所述凹槽和发光台面对应设置于各所述子外延叠层；其中，所述灰度掩膜光刻板通过采用透光率不同的掩膜以形成不同曝光量的选择性曝光，通过后续光刻、刻蚀使所述外延叠层同步形成所述隔离槽及对应设置的凹槽和台面。从而，仅需一步光刻、一次刻蚀来完成发光台面刻蚀和隔离槽的深刻蚀，其工艺简单、制作成本低。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种LED外延芯片制备方法及装置-CN202310053981.5在审
发明人：黄祥恩;陈春明;谈勇;王波 -专利权人：桂林光隆科技集团股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及切割技术领域，具体涉及一种LED外延芯片制备方法及装置，LED外延芯片制备装置包括工作台、调整组件、驱动组件、夹持组件和刀片，调整组件包括两个立板、两个导轨、滑动座和第一螺杆，工作台用于放置外延片，转动第一螺杆可以驱动滑动座水平滑动，并随时锁定滑动座的位置，夹持组件用于夹持安装刀片，驱动组件可以带动刀片上下移动，实现切割动作，使用时，将外延片放置在工作台上，转动第一螺杆，水平移动滑动座，从而水平调整刀片，使得刀片移动到外延片需要切割的位置上方，然后驱动组件带动刀片下移，对外延片进行切割，由于可以左右调节刀片的位置，从而可以方便的对外延片进行切割。
一种 led 外延芯片制备方法装置

[发明专利]一种具备核壳结构的转移印章及其制备方法-CN202310326456.6在审
发明人：严群;郎太福;林畅;林鑫;卢玉;潘魁;孙捷;黄忠航;杨天溪;张恺馨;郭太良 -专利权人：闽都创新实验室;福州大学;晋江市博感电子科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备核壳结构的转移印章，包括软壳、硬核和基板层；所述软壳为耐高温高压力的粘弹性高分子材料层，包覆于具有高机械强度的硬核之外，构成转移头；所述转移头在基板层上构建结构阵列。本发明有效解决弹体性印章使用时刚性不足容易变形的问题。
一种具备结构转移印章及其制备方法

[发明专利]一种带有布线的集成LED芯片的制备方法-CN202311149294.X在审
发明人：郭文平;邓群雄;韩奎 -专利权人：元旭半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种带有布线的集成LED芯片的制备方法，解决了如何制备获得一种带有布线的集成LED芯片的技术问题，该方法包括：在第一衬底正面制备阵列分布的LED芯片单元，在LED芯片单元正面沉积第一金属层，在第二衬底正面沉积第二金属层，第一金属层与第二金属层热压键合形成键合金属层，去除第一衬底，在键合金属层形成列向间隔分布的第二电极，在第二衬底背面沉积第二绝缘层、第三金属层，在第三金属层中形成行向间隔分布的第一电极，第二绝缘层用于防止第一电极与第二电极产生导通。
一种带有布线集成 led 芯片制备方法

[发明专利]LED芯片的制备方法及LED芯片-CN202310916033.X在审
发明人：张卡;曹丹丹;康龙;胡瑶;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，其中，所述方法包括：将待蒸镀晶圆放置于镀锅上；将所述镀锅相对于水平面的角度调整至预设角度，并在预设环境条件下，金属靶材以蒸汽的形式附着于所述待蒸镀晶圆的表面，得到初始电极，其中，所述预设角度为30°‑50°；对所述初始电极进行剥离，得到所需的目标电极。通过本申请，能够改善现有金属蒸镀过程中金属包覆效果不好的问题，有利于提升产品良率，延长产品使用寿命。
led 芯片制备方法

[发明专利]高光效LED光源的固晶方法-CN202310814123.8在审
发明人：刘建强;谢睛睛;王福东;饶金芳;王兴;陈永华 -专利权人：深圳市中顺半导体光电有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED光源的技术领域，公开了高光效LED光源的固晶方法，包括以下步骤：1)、提供支架，支架上设有发光区域，布置外周反光条及内部反光条，内部发光条将发光区域分割为多个子区域；2)、固晶多个LED芯片，LED芯片的侧部发光面与内部反光条之间具有发光间隔；3)、子区域中的多个LED芯片通过内导线电性连接，相邻的子区域的LED芯片之间通过外导线电性连接，外导线横跨越过内部反光条；先在发光区域上布置外周反光条以及内部反光条，再在子区域中固晶多个LED芯片，再进行内导线以及外导线的连接，内部反光条的布置不会影响后续LED芯片的固晶操作，增强LED光源的光效，降低LED芯片的温度。
高光效 led 光源方法

[发明专利]一种Micro-LED芯片的自组装及巨量转移的方法、装置和显示背板-CN202310975987.8在审
发明人：周圣军;施浪;崔思远;孙月昌 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED芯片的自组装及巨量转移的方法、装置和显示背板，所述方法包括提供具有不同形状和电极结构的红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片以及基板，所述基板表面带有与所述红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片的形状和电极匹配的键合孔；将基板置于斜面上，将红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片输送至基板表面，根据键合孔与红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片的形状和电极匹配，将红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片组装至基板上；未键合的红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片从倾斜的基板掉落后重复输送至基板表面，至基板的键合孔组装完全，随后转移基板。本发明利用了斜面、设计了不同形状和电极结构的红绿光蓝Micro‑LED芯片和特制基板实现了自组装，提高了组装效率，降低了转移成本。
一种 micro led 芯片组装巨量转移方法装置显示背板

[发明专利]一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法-CN201810010913.X有效
发明人：贺龙飞;陈志涛;赵维;张康;吴华龙;何晨光 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。此器件的外延结构包括衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中0.01≤xy≤1，发光有源区包括多个量子阱层与多个量子垒层，多个量子阱层与多个量子垒层交替设置，最后一个AlGaN量子垒层为铝组分渐变层。在紫外器件中引入铝组分渐变的最后一个AlGaN量子垒层，优化器件的能带结构，能有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，从而提高半导体紫外器件的量子效率和发光效率。
一种提高 algan 半导体紫外器件及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202310815426.1在审
发明人：肖和平;任关涛;杨永杰;刘康 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。所述制备方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成第一半导体层、发光层和第二半导体层；在所述第二半导体层远离所述发光层的表面键合第二衬底，并去除所述第一衬底；制作贯穿所述第一半导体层、所述发光层并延伸至所述第二半导体层的台阶结构；制作覆盖所述台阶结构和所述第一半导体层表面的氧化层，所述氧化层具有连通所述第一半导体层的表面的第一通孔和连通所述台阶结构的台阶面的第二通孔；在高温环境下抽真空，以使腔内含氧量低于阈值；在所述第一通孔处制作第一电极，在所述第二通孔处制作第二电极。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种过滤黄光的LED材料生产工艺-CN202311017231.9在审
发明人：吴勇;叶信旺 -专利权人：北京市京方泰科技有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种过滤黄光的LED材料生产工艺，具体涉及LED材料生产技术领域，包括以下步骤：步骤一：选择蓝宝石作为衬底材料；步骤二：将蓝宝石表面清洁干净，去除蓝宝石表面的杂质和污染物，以确保生长出的LED晶体质量；步骤三：使用化学气相沉积(CVD)方法在衬底上生长LED材料的晶体，在这个过程中，将所需的原始材料气体引入反应室，通过热解和激发，形成晶体结构的成分。本发明采用蓝宝石作为衬底材料，制成的LED材料具有优异的过滤黄光的功能，同时本发明工艺流程所产生的废水可以得到三重处理，针对于有机物和金属离子可以有效去除，最后进行超滤，过滤后的水可以回收再利用，有效减免了废弃液排放污染环境的问题。
一种过滤 led 材料生产工艺

[发明专利]一种LED芯片制备方法、LED芯片-CN202310915470.X在审
发明人：周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一LED芯片制备方法、LED芯片，提供一包含电流阻挡层的半成品芯片，利用电子束蒸镀方式在电流阻挡层上制备ITO膜层，将半成品芯片浸入酸性溶液中，以使酸性溶液透过ITO膜层对电流阻挡层进行侵蚀，采用电子束蒸镀的方式制备ITO膜层的方式，此方式制备的ITO膜层相较磁控溅射获取的膜层在未退火之前更加疏松，正因为ITO膜层在未退火之前致密性较差，因此可依靠未退火ITO膜层疏松特性，在电流阻挡层上方镀ITO膜层，使其浸泡在HF溶液中，通过疏松膜层的扩散作用，HF酸渗透ITO膜层刻蚀底部电流阻挡层，刻蚀效果为多孔结构，从而达到电流阻挡层层表面的粗化目的。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]平杯LED灯珠制作方法及平杯LED灯珠-CN202310688678.2在审
发明人：龚文;钱一昶 -专利权人：苏州晶台光电有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种平杯LED灯珠制作方法及平杯LED灯珠，制作方法包括如下步骤：第一步骤、制作壳形支架，在壳形支架的腔壁上加工磨砂表面；第二步骤、安装发光芯片组件，将发光芯片组件安装在壳形支架的腔底；第三步骤、制作凹透镜，第一次点胶的胶体没过发光芯片组件并且能够沿磨砂表面向上爬升，第一次固化，形成内凹曲面朝上的凹透镜；第四步骤、制作凸透镜，第二次点胶结束后进行第二次固化，第二次固化后形成外凸曲面朝下的凸透镜。本发明中，第一次点胶的胶体沿着磨砂表面爬升，获得凹透镜，第二次点胶的胶体以内凹曲面为仿形面，获得凸透镜，从而制作出平杯LEDE灯珠，该平杯LED灯珠制作方法具有简单、易于操作且良品率高的优点。
平杯 led 制作方法灯珠

[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件-CN202280017286.7在审
发明人：延斯·埃贝克;克里斯蒂娜·舍勒斯托;马库斯·格劳尔;汉斯-约阿希姆·迈耶;理查德·弗勒特尔 -专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法，所述方法包括以下步骤：A)提供半导体本体(10)，所述半导体本体沿竖直方向(Y)相继跟随地包括第一传导类型的第一层(101)，构成为量子阱结构的有源层(103)，量子阱结构设为用于发射电磁辐射，和第二传导类型的第二层(102)；和B)用聚焦的电磁辐射(E)照射半导体本体(10)，使得电磁辐射(E)的焦点区域(E1)位于有源层(103)之内并且与量子阱结构重叠，其中电磁辐射(E)具有如下强度，所述强度在焦点区域(E1)中足够大，以便引起量子阱结构中的点缺陷(201)，使得形成缺陷区域(20)，并且点缺陷(201)的产生限于焦点区域(E1)。此外，提出一种光电子半导体器件(1)。
用于制造光电子半导体器件方法

[发明专利]一种GaAs基LED外延片的老化方法-CN202210347223.X在审
发明人：李晓明;郑波;黄寿东;智友臻;王彦丽 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基LED外延片的老化方法，通过在GaAs基发光二极管外延片制作一个未完全分割开的正方形切割图形，再通过P面放在导电金属板、N面放在导电铜板上的方式，形成通电老化，将老化测试的过程选择在制备芯片的过程之前，从根本上解决了需制造GaAs基LED芯片造成的老化反馈周期长的问题，该老化方法操作简单，老化反馈周期可缩短80％以上，能有效的完成GaAs基LED外延片的老化，减少不必要的制造浪费。
一种 gaas led 外延老化方法

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