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[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210389394.9在审
发明人：王晶;杨洋;张昀 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极以及高阻层，外延结构自下表面至上表面依次包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，第一接触电极与第二接触电极均位于外延结构的上表面上，且分别电连接第一半导体层和第二半导体层，高阻层是自外延结构的上表面向下延伸至第一半导体层，外延结构内具有渗透电区，渗透电区至少与发光层和第二半导体层处于同一水平面，渗透电区的边界接触高阻层，第一接触电极位于渗透电区上，并通过渗透电区电连接第一半导体层。借此，可以使得第一接触电极和第二接触电极处于同一水平面，消除二者的高低差，得到平衡对称结构的发光二极管，提升产品良率。
发光二极管发光装置

[实用新型]一种发光装置-CN202320658567.2有效
发明人：林秋霞;黄森鹏;李达诚;余长治;徐宸科 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光装置，发光装置包括封装基板及发光元件，封装基板的表面设置有固晶区及包围固晶区的封装区，封装区包括内轮廓及外轮廓，内轮廓包括四个第一直边，相邻两个第一直边互相连接以在周向上形成闭合。相邻两个第一直边的连接位置设置有第一连接部。外轮廓设置于内轮廓的外围，外轮廓包括四个第二直边，相邻两个第二直边的连接位置设置有第二连接部，第二连接部与第一连接部一一对应，第一连接部的两个端点之间的直线长度大于或等于第二连接部的两个端点之间的直线长度，第一连接部的两个端点之间的直线长度小于或等于第一直边的长度。本实用新型能够提高封装气密性，避免封装盖板因与封装基板接触面积较小导致的脱落的现象。
一种发光装置

[发明专利]发光二极管-CN202310858343.0在审
发明人：黄秀丽;王月娇;于艳玲;吴佳楠;张中英;蔡吉明;黄少华 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光二极管，该发光二极管包括外延结构、反射结构、连接电极、中间电极以及焊盘电极。其中，连接电极包括第一连接电极和第二连接电极，中间电极包括第一中间电极和第二中间电极，焊盘电极包括第一焊盘和第二焊盘。本申请通过在第一连接电极与第一焊盘之间设置第一中间电极，以及在第二连接电极与第二焊盘之间设置第二中间电极，利用中间电极提高焊盘电极与外部电极进行热压焊固晶过程中的稳定性，有效降低了现有技术中发光二极管在热压焊固晶过程中金锡合金与连接电极合金化导致发光二极管失效的风险。
发光二极管

[发明专利]发光元件及发光装置-CN202310952815.9在审
发明人：黄秀丽;于艳玲;王月娇;黄少华;蔡吉明;张中英 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，特别是提供一种发光元件及发光装置。发光元件包括：半导体结构，其包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一绝缘层位于半导体结构上且覆盖半导体结构的部分表面和侧壁区域，至少裸露出第一半导体层的部分表面；连接电极位于第一绝缘层上，覆盖第一绝缘层中裸露的第一半导体层的部分表面；第二绝缘层位于连接电极上，至少裸露出连接电极的部分表面；以及焊盘电极，位于第二绝缘层上，包括相互分离的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中，第一焊盘电极通过连接电极和第一半导体层电性连接，第二焊盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。
发光元件装置

[发明专利]一种多彩微型发光二极管及显示装置-CN202310571781.9在审
发明人：王彦钦;陈劲华;郭桓卲;彭钰仁 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种多彩微型发光二极管及显示装置。所述多彩微型发光二极管包括：基底；位于所述基底上的下部电极层；层叠于所述下部电极层上的若干发光外延结构；若干所述发光外延结构为红光外延结构、绿光外延结构、蓝光外延结构中的至少一种；若干透明导电层，每一发光外延结构上均层叠有所述透明导电层，且所述透明导电层与所述发光外延结构电连接；键合于相邻所述发光外延结构之间的若干连接层；位于至少一所述透明导电层上的上部电极层。通过上述层叠发光外延结构的方式实现多彩显示，不仅能够简化工艺过程、降低转移难度，还能增强亮度的同时提高多彩发光性能。
一种多彩微型发光二极管显示装置

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202310753897.4在审
发明人：王晶;郭桓邵;吴俊毅 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制作方法，包括：发光外延层，自下而上依次包括第一半导体层（110）、发光层（120）和第二半导体层（130）；透明介质层（200），至少形成在第二半导体层（130）上，透明介质层（200）具有平台（210）和一系列开口（220）；透明介质层（200）的开口（220）内具有欧姆接触层（310），欧姆接触层（310）与第二半导体层（130）之间具有过渡层（320），过渡层（320）的热迁移率低于欧姆接触层（310），解决了欧姆接触区域材料选择的难题，有效控制了开口面积，减小欧姆接触区域的吸光。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种LED封装结构及发光模组-CN202310768121.X在审
发明人：林秋霞;黄森鹏;李达诚 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本申请提供一种LED封装结构及发光模组。LED封装结构通过封装层将多个LED芯片封装为一个封装结构，封装结构中在相邻LED芯片的侧面之间填充第一遮光层，每一个LED芯片上方均形成出光层，在相邻LED芯片的出光层之间填充第二遮光层，由于相邻LED芯片之间只有第一遮光层，减少了相邻LED芯片之间的间距，节省了LED封装结构所占的空间。第一遮光层可以防止LED芯片从侧面出光，提高出光效果；同时，可以通过控制相邻LED芯片的出光层之间的宽度，来控制第二遮光层的宽度，在满足第二遮光层的遮光效果的前提下，获得最小宽度的第二遮光层，由此能够进一步减小相邻LED芯片之间的间距。
一种 led 封装结构发光模组

[发明专利]一种多彩微型发光二极管及显示装置-CN202310729103.0在审
发明人：王彦钦;陈劲华;郭桓卲;彭钰仁 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种多彩微型发光二极管及显示装置。所述多彩微型发光二极管包括：基底；位于所述基底上的下部电极层；层叠于所述下部电极层上的若干发光外延结构；若干所述发光外延结构为红光外延结构、绿光外延结构、蓝光外延结构中的至少两种；发光外延结构的至少部分区域包含有离子布植区；若干透明导电层，每一发光外延结构上均层叠有所述透明导电层，且所述透明导电层与所述发光外延结构电连接；键合于相邻所述发光外延结构之间的若干连接层；位于至少一所述透明导电层上的上部电极层。通过上述设置方式可有效实现多彩显示，不仅能够简化工艺过程、提升制作良率，还能增强亮度的同时提高多彩发光性能。
一种多彩微型发光二极管显示装置

[发明专利]发光装置及发光元件-CN202310680595.9在审
发明人：朱秀山;陈吉;李燕;荆琪;张中英;蔡吉明;卢志龙 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，包括：发光元件和波长转换层，所述发光元件发出的第一波长的光经所述波长转换层转换成第二波长的光和第三波长的光；其中，所述发光元件包括第一接触层，所述第一接触层对第三波长的反射率大于85%，从而可以增加经过波长转换层转换的第二波长的光、第三波长的光反射到发光元件表面上的光线的反射率，从而提高发光装置的白光转换效率和光取出效率。
发光装置元件

[发明专利]倒装发光二极管-CN202111057539.7有效
发明人：黄敏;詹宇;夏章艮;洪灵愿;林素慧;张中英 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管，包括半导体堆叠层，以及位于半导体堆叠层上的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极均为无金叠层结构；无金叠层结构包括铝反射层、以及位于铝反射层上表面的至少一层铂金属层。本申请通过将第一金属电极和第二金属电极设置成无金叠层结构，能够避免第一金属电极和第二金属电极中的金层所导致的异常现象，且厚度较小，能够提升在电极表面上方的绝缘层的覆盖连续性以及焊盘的覆盖连续性，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管

[发明专利]一种LED发光装置-CN202310675043.9在审
发明人：白文华;陈顺意;黄森鹏;刘健;余长治;黄永特;徐宸科 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED发光装置，包括：封装基板、第一LED芯片、至少一个第二芯片和封装层，其特征在于，所述封装基板第一表面可以限定为x方向和y方向，并且垂直于所述第一表面的方向为z方向，所述第一LED芯片在所述x方向或所述y方向上与所述封装基板边缘的最短距离大于至少一个所述第二芯片在同一方向上与所述封装基板边缘的最短距离，其中，至少一个所述第二芯片上表面设置有缓冲层。本申请通过在一个至少一个第二芯片上表面设置缓冲层，第二芯片与封装层不完全直接接触，使LED发光装置在老化过程中封装层存留的应力释放时，缓冲层可以起到缓解在第二芯片上的应力作用，从而降低第二芯片和被拔晶的风险，提高LED发光装置的可靠性。
一种 led 发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310609174.7在审
发明人：张丽明;唐荷映;马全扬;陈星榕;杨人龙;张中英 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、透明导电层、第一电极和第二电极，半导体叠层由下到上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，透明导电层位于第二半导体层上，第一电极位于第一半导体层上，第二电极位于透明导电层上，俯视来看，半导体叠层具有尺寸x的最短侧边，透明导电层具倒角部，半导体叠层具有倒角边，倒角部的曲率半径大于倒角边的曲率半径，当70≤x300微米，倒角部的曲率半径为15~x/2‑20微米；当x≥300微米，倒角部的曲率半径为15~x/3+30微米。借此，可以使得透明导电层的电流横向扩散能力所带来的有益出光效果是大于遮光所带来的负面出光效果，进而提升发光二极管的外量子效率，加强出光性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310483861.9在审
发明人：王志贤;张清坡;江军;彭钰仁 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构、第一粗化结构和第二粗化结构，外延结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，发光层位于第一半导体层和第二半导体层之间，第一粗化结构设置在第二半导体层的远离发光层的出光面，第二粗化结构设置在第一粗化结构的侧表面。通过在第一粗化结构的侧表面上设置第二粗化结构，能够有效提高发光二极管的光提取效率，增强发光二极管的出光性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管和发光装置-CN202310859619.7在审
发明人：吴志伟;王燕云;熊伟平;郭桓卲;彭钰仁 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体外延叠层，所述半导体外延叠层具有相对的第一表面和第二表面，沿第一表面到第二表面的方向依次包括第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体远离有源层的一侧设置有复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层自第一表面至第二表面的方向至少包括第一子层和第二子层，所述复合欧姆接触层的带隙宽度大于1.8eV。通过复合欧姆接触层的设置，可减少欧姆接触层的吸光，提升欧姆接触层和接触电极的界面的平整度，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310545138.9在审
发明人：柯汉清;黄敏;邓有财;庄曜玮;吴嘉文;梁瑞清;胡信;柯霖伟 -专利权人： 泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括衬底和半导体发光堆叠层，半导体发光堆叠层设置在衬底上，衬底具有四个侧壁、上表面和下表面，至少一个侧壁上具有第一激光打点区域和第二激光打点区域，第一激光打点区域包括多个第一激光点，第二激光打点区域包括多个第二激光点，第一激光打点区域与第二激光打点区域之间具有应力纹，其中，第一激光打点区域与应力纹之间具有一第一距离D1，第二激光打点区域与应力纹之间具有一第二距离D2，0.7D2D11.3D2。通过将应力纹层限制在第一激光打点区域与第二激光打点区域之间的相对偏向中间的位置，可以有效避免发光二极管出现闪电状侧壁和背面波浪边的形成，提升发光二极管的品质，提升产品良率。
发光二极管发光装置

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