“淮安澳洋顺昌光电技术有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果205个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]图形化磁性复合衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片-CN202111415006.1有效
发明人：郭园;吕腾飞;宋长伟;程志青;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种图形化磁性复合衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片，包括衬底本体（110），以及设置于该衬底本体上的周期性的凸起结构（120），凸起结构包括底部图案层（121）、顶部图案层（123），以及位于两者之间的磁性插入层（122），且磁性插入层的材料不同于顶部图案层和底部图案层的材料。本发明中的图形化磁性复合衬底一方面能够避免在LED芯片生产过程中加入磁性材料导致的LED晶体质量变差、发光效率低下的问题；另一方面，由于包含该磁性复合衬底的LED芯片具有磁性，在微型LED巨量转移时，磁力转移装置加磁吸取磁性衬底，完成微型LED的转移。
图形磁性复合衬底包含 led 外延结构芯片

[发明专利]一种具有N型电流拓展层的发光二极管外延结构-CN202210294401.7有效
发明人：刘康;展望;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有N型电流拓展层结构的发光二极管外延结构，包括由下耳上生长的衬底、缓冲层、U型半导体层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，N型半导体层包括由下而上生长的N型半导体层一、N型电流拓展层、N型半导体层二，N型电流拓展层包括由下而上生长的轻掺杂Si的AlxGa1‑xN层、超重掺杂Si的N型GaN层、低掺杂Si的AlxInyGa(1‑x‑y)N/GaN超晶格层。通过加入轻掺杂Si的AlxGa1‑xN层，使此层中Al的高能级的屏障作用约束电子的流动方向，促使其横向扩展。解决了N型半导体层在做芯片电极的存在电流扩展不足，电压偏高，漏电偏大的问题。起到了增加电流扩展，降低电压的效果。
一种具有电流拓展发光二极管外延结构

[发明专利]图形化衬底的制备方法及具有空气隙的LED外延结构-CN202210636079.1有效
发明人：付星星;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种图形化衬底的制备方法及具有空气隙的LED外延结构，该方法为：在衬底本体上制备出第一光刻窗口，形成图案化的牺牲层；在牺牲层以及衬底本体表面沉积形成凸起结构的材料层；在材料层上制备出图案化的第二光刻窗口；且各第二光刻窗口的部分或全部外沿线位于牺牲层中至少一个图案的外沿线以内；刻蚀掉位于第二光刻窗口内的材料层形成顶部图案层；腐蚀掉没有被顶部图案层完全包裹在内的牺牲层中的图案，形成悬空部和底部图案层；去除正性光刻胶得到具有凸起结构的图形化衬底。外延结构中空气隙的存在，会使得其发出的光在该区域内发生更多的折射和反射，能够增加出光反射，提升出光效率和亮度。
图形衬底制备方法具有空气 led 外延结构

[发明专利]复合图形化衬底的制备方法及具有空气隙的外延结构-CN202210631067.X有效
发明人：付星星;孙帅;刘鹏;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种复合图形化衬底及其制备方法和外延结构，在衬底本体的表面先后沉积材料层一和材料层二；然后涂布正性光刻胶，制备出具有周期性排布的光刻窗口；使用第一步干法刻蚀工艺依次刻蚀掉光刻窗口内的材料层二、材料层一以及部分衬底本体，形成间隔沟槽；使用第二步干法刻蚀工艺蚀刻掉被正性光刻胶覆盖的部分材料层二，暴露出部分材料层一，形成凸起结构，得到复合图形化衬底。本方法制备的衬底中的凸起结构在后续生长外延结构时，能够在N型层与各凸起结构之间形成较大的空气隙，在该空气隙的位置，会使得LED发出的光在该区域内发生更多的折射和反射，能够增加LED出光的反射，提升出光效率，提升亮度。
复合图形衬底制备方法具有空气外延结构

[发明专利]一种复合图形化衬底的制备方法及具有空气隙的外延结构-CN202210630620.8有效
发明人：付星星;孙帅;刘鹏;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种复合图形化衬底及其制备方法和外延结构，在衬底本体的表面沉积材料层；在材料层上涂布正性光刻胶，然后在衬底本体上制备出具有周期性排布的光刻窗口；使用第一步干法刻蚀工艺刻蚀掉光刻窗口内的材料层并进一步刻蚀掉部分衬底本体，形成间隔沟槽；使用第二步干法刻蚀工艺刻蚀掉被正性光刻胶覆盖的部分材料层，形成凸起结构，得到复合图形化衬底。本方法制备的衬底中的凸起结构在后续生长外延结构时，能够在N型层与各凸起结构之间形成较大的空气隙，在该空气隙的位置，会使得LED发出的光在该区域内发生更多的折射和反射，能够增加LED出光的反射，提升出光效率，提升亮度。
一种复合图形衬底制备方法具有空气外延结构

[发明专利]一种氮化物半导体发光元件及其制作方法-CN202210712155.2有效
发明人：刘康;展望;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光元件，包括衬底，以及在该衬底上依次层叠设置的缓冲层、三维生长层、U型半导体层、N型半导体层、有源层及P型半导体层；所述三维生长层包括两个子层堆叠的多个复合生长结构，每个复合结构包含第一子层和第二子层，第一子层材料为GaN，优选的为U型GaN；所述第二子层为InAlN，其组分配比范围为InxAl1‑xN，其中0.05＜x＜0.5，优选的组分配比为In0.17Al0.83N。本发明通过生长新型的三维生长层，为成核小岛纵向三维生长形成大岛，最终大岛合并，为后续生长平整高长晶质量低缺陷密度的GaN层铺垫，能够改善减少现有技术中外延片结构中的缺陷位错，改善长晶质量，提高ESD抗静电能力和发光效率。
一种氮化物半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管-CN202310036188.4有效
发明人：郭园;王淑姣;吕腾飞;宋长伟;展望;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管，该外延结构将第二缓冲层分为二段，第二段的Si掺杂浓度低于第一段的Si掺杂浓度，且多量子阱层包括第一多量子阱层及置于其上的第二多量子阱层，所述第一多量子阱层的Si掺杂浓度低于所述第二多量子阱层的Si掺杂浓度且高于所述第二缓冲层的Si掺杂浓度。本发明通过调整N型半导体层至P型半导体层之间Si浓度曲线的变化，既改善LED的电性能又可以减少对MQW晶体质量的影响，从而提升LED发光效率。
一种具有缓冲外延结构包含发光二极管

[发明专利]有源垒层掺Mg的外延结构及制备方法和芯片-CN202310059892.1有效
发明人：吕腾飞;郭园;展望;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种有源垒层掺Mg的外延结构及制备方法和芯片，其外延结构包括衬底，以及依次位于其上的缓冲层，未掺杂U型GaN层，GaN层，有源层，p型GaN层及p型接触层；所述有源层从下至上依次为有源阱层和有源垒层交替生长形成，其中，有源垒层包括掺Si有源垒层和至少一层的掺Mg有源垒层。本发明利用阱层和垒层交替层叠而成的有源层结构，并至少在其中一个量子垒中通入一定量的Mg，让有源垒层中的空穴向两侧量子阱中迁移，改善只有后几个阱发光的情况，从而提升内量子效率，提升发光效率。
有源垒层掺 mg 外延结构制备方法芯片

[发明专利]检验金属薄膜应力的方法-CN202210932232.5有效
发明人：李明;李冬梅;王思博;廖汉忠;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检验金属薄膜应力的方法，其特征在于，包括A：选择至少两种金属叠层结构的金属沉积层；B：准备与金属叠层结构数量相同的衬底，衬底上匀光刻胶；C：根据对应的金属叠层结构分别在衬底上沉积出对应的金属沉积层；D：在沉积完金属的衬底经过撕蓝膜工艺，撕掉蓝膜及与蓝膜粘合的金属沉积层，分离出与每个金属叠层结构相对应的带有残胶的衬底；E：将与每个金属叠层结构相对应的带有残胶的衬底之间相互对比，衬底上的残胶越多，则对应该衬底对应的金属沉积层应力越小。本发明的检验方法简单，能够便捷判断新电极结构应力的相对大小，并以其为依据对电极结构进行优化。
检验金属薄膜应力方法

[发明专利]一种具有大出光角度的芯片级发光二极管封装件-CN202310793286.2在审
发明人：芦玲;黄静;陈锴 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有大出光角度的芯片级发光二极管封装件，包括LED芯片；荧光膜，覆盖在LED芯片的顶面；第一反射层，围设于所述LED芯片的四周，并暴露出LED芯片的电极；透光层，设置在所述荧光膜和第一反射层的上方；以及遮光层，设置在所述透光层上方。能够增大芯片的出光角度，减少背光应用LED使用颗粒数，降低成本，能够对荧光膜进行保护，实现器件的高色域。
一种具有大出光角度芯片级发光二极管封装

[发明专利]一种倒装高压发光二极管-CN202210834610.6有效
发明人：李冬梅;蒋从康;王思博;廖汉忠;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种倒装高压发光二极管。本发明通过在其中一发光单元上设计具有朝向倒装高压发光二极管中心位置的凸起部，避免顶针顶在隔离槽的薄弱处，同时避免了因膜层断裂导致的漏电情况，从而提高了可靠性。
一种倒装高压发光二极管

[发明专利]一种发光二极管-CN202210146631.9有效
发明人：朱涛;程志青;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管。该发光二极管包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；应力释放层包括在N型半导体层上至少一个周期层叠设置的第一子层和第二子层；第一子层包括掺杂第一杂质的GaN层、未掺杂的GaN层和InGaN层中的至少两种；第二子层为AlGaN层。本发明通过设置AlGaN层，能提高应力释放层的禁带宽度，提高势垒，极大降低在大电流密度下空穴从V型坑底部穿透到应力释放层的概率；高势垒的存在使得电子进入多量子阱发光层时，电流分布更加均匀；且更高的势垒还增加了对位错屏蔽的效果，降低非辐射复合概率，提高光效。
一种发光二极管

[发明专利]一种芯片级LED封装元件-CN202310793297.0在审
发明人：芦玲;黄静;陈锴 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片级LED封装元件，包括倒装LED芯片；波长转换层，覆盖在LED芯片的上表面；第一反射层，围设于所述LED芯片的侧壁四周，并暴露出LED芯片的电极；透光层，设置在所述波长转换层和第一反射层的上方；以及遮光层，设置在所述透光层上方。本发明提供的芯片级封装元件的光分布角度达到180°，相对光强不小于50%，在实现芯片级封装的同时实验大角度出光，避免中心“亮点”，强化四周的出光强度。
一种芯片级 led 封装元件

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202111651209.0有效
发明人：王淑姣;郭园;展望;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层包括高温多量子阱层和低温多量子阱层，低温多量子阱层包括第一子层、超晶格结构层和第二子层；超晶格结构层包括呈周期性依次交替层叠设置的AlGaN层、GaN层和AlInGaN层。该发光二极管中的V形坑浅而小，可有效抑制电子泄漏，减缓效率衰减及改善漏电性能；且还可扩大发光横截面积，增加电子空穴的有效交叠，促进载流子在阱间交互，从而提升LED的发光效率。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延结构及发光二极管-CN202211302665.9有效
发明人：朱涛;宋长伟;芦玲 -专利权人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种发光二极管外延结构及发光二极管。发光二极管外延结构，包括：衬底，以及依次设置于所述衬底上的N型半导体层、中间层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述中间层中掺杂有n型杂质，所述n型杂质的掺杂浓度≤4×1018atoms/cm3。在本发明的具体实施方式中，所述n型杂质为Si，所述中间层为掺杂有Si的GaN层。
发光二极管外延结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
下一页»
尾页
共 205 条