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[发明专利]LED芯片的制备方法及LED芯片-CN202310916033.X在审
发明人：张卡;曹丹丹;康龙;胡瑶;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，其中，所述方法包括：将待蒸镀晶圆放置于镀锅上；将所述镀锅相对于水平面的角度调整至预设角度，并在预设环境条件下，金属靶材以蒸汽的形式附着于所述待蒸镀晶圆的表面，得到初始电极，其中，所述预设角度为30°‑50°；对所述初始电极进行剥离，得到所需的目标电极。通过本申请，能够改善现有金属蒸镀过程中金属包覆效果不好的问题，有利于提升产品良率，延长产品使用寿命。
led 芯片制备方法

[发明专利]一种氮化镓基晶体管的外延结构及制备方法-CN202311188656.6在审
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基晶体管的外延结构及制备方法，所述氮化镓基晶体管的外延结构包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、改善层及半导体层；所述改善层包括依次沉积在所述缓冲层上的第一子层、第二子层及第三子层；所述第一子层包括元素掺杂GaN层及沉积在所述元素掺杂GaN层上的Ga2O3层，所述第二子层包括周期性交替生长的P‑AlGaN层和AlGaO3层，所述第三子层为n‑AlGaN层，其中，所述元素掺杂GaN层为碳掺杂GaN层、铁掺杂GaN层及锌掺杂GaN层中的任意一种，提升器件的性能。
一种氮化晶体管外延结构制备方法

[实用新型]一种LED干法刻蚀机排气装置-CN202321330993.X有效
发明人：刘德林;徐吉红;段良飞;胡瑶;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED干法刻蚀机排气装置，包括工作台、加热除湿机构、过滤机构和净化机构；加热除湿机构包括长形盒、加热组件和送气组件，长形盒上设有第一进气口，气体经第一进气口和送气组件输送至过滤机构；过滤机构的一端与长形盒连接，其另一端与净化机构连接；净化机构包括净化盒体、净化组件和排气组件，净化盒体通过净化组件隔出至少两个独立空间，净化盒体上设有第二进气口，第二进气口和排气组件分别与不同独立空间连通。通过本申请，不仅实现了对气体的过滤和净化，以保证气体无害后排至外界大气中，避免对空气造成污染，还能够对装置进行加热除湿，改善该装置中各箱体内部容易发霉的问题，提高了装置的实用性。
一种 led 刻蚀排气装置

[发明专利]红光Micro-LED芯片及其制备方法-CN202311037314.4在审
发明人：杨燕;吕守贵;郭磊;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种红光Micro‑LED芯片及其制备方法，其在现有红光Micro‑LED芯片制备方法的基础上，改变P电极和N电极的结构，达到了减少接触欧姆电阻从而降低电压的目的，改善了红光Micro‑LED芯片在常规工作电流2mA应用下电压高于2.0V的问题，并且所述第一N电极或第二N电极的最外层金属结构为PT后，可以减少电极结构里AU的厚度，降低芯片成本。
红光 micro led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种芯片测试方法及系统-CN202310748498.9有效
发明人： 文国昇;樊洋;王晓明;赵晓明;董国庆;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片测试方法及系统，该方法通过获取产线中可进行测试程序切换的机台，并确定机台数量；获取待测试的各测试类型的芯片数量，并根据各测试类型的芯片数量比，将机台数量进行分配；控制各测试类型芯片上片至对应的目标机台上，并识别出芯片信息，以匹配对应的目标测试程序；获取目标测试程序的目标名称，以及当前机台上一次使用的测试程序的历史名称，并判断目标测试程序与当前机台上一次使用的测试程序是否为同一类型；若是，则将目标名称与白名单中的预设名称进行比对，判断目标名称是否存在于白名单中；若是，则控制机台开始芯片测试作业，可以有效改善人工逐一确认机台状况，减少机台待机时间，提升稼动率。
一种芯片测试方法系统

[发明专利]复合缓冲层及其制备方法、外延片、高电子迁移率晶体管-CN202310850811.X有效
发明人： 文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合缓冲层及其制备方法、外延片、高电子迁移率晶体管，复合缓冲层包括依次层叠的第一缓冲第一子层以及第一缓冲第二子层组成的第一缓冲层，第二缓冲第一子层以及第二缓冲第二子层周期性交替组成的第二缓冲层，第三缓冲第一子层以及第三缓冲第二子层周期性交替组成的第三缓冲层；其中，第一缓冲第一子层为AlN层、第一缓冲第二子层为SiN层、第二缓冲第一子层为ScxAl1‑xN层、第二缓冲第二子层为AlGaN层、第三缓冲第一子层为ScyAl1‑yN子层、第三缓冲第二子层为碳掺杂的GaN层，ScxAl1‑xN层中的Sc组分低于ScyAl1‑yN子层的Sc组分。
复合缓冲及其制备方法外延电子迁移率晶体管

[实用新型]一种卡塞夹取总成-CN202321348420.X有效
发明人：杨伟峰;曾宪瑞;段良飞;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本实用新型提供一种卡塞夹取总成，该卡塞夹取总成包括两平行设置的夹爪、和设置在所述夹爪上方与所述夹爪顶部连接的固定块，所述固定块用于与机械臂连接，所述夹爪包括平行设置的第一竖管、第二竖管以及连接所述第一竖管和所述第二竖管的横管，所述横管用于支撑所述卡塞两侧的翻边，所述第一竖管的长度大于所述第二竖管，所述横管靠近所述第一竖管一端向下凹陷与所述第一竖管组成卡口，所述卡口与卡塞上的卡块适配。本实用新型中的卡塞夹取总成，解决了现有技术中的夹爪在抓取卡塞时无法限制卡塞的前后移动以及会挤压卡塞造成卡塞变形的问题。
一种卡塞夹取总成

[实用新型]一种用于提高晶圆清洗良率的清洗治具-CN202321202767.3有效
发明人：饶英;段良飞;刘剑荣;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于提高晶圆清洗良率的清洗治具，其在主体框架的腰部设置有承载平台，该承载平台上水平设置有限位杆，以在主体框架的侧壁与限位杆之间形成一承载空间，限位杆朝向主体框架的第一侧壁的面结构为斜面，且该斜面的底边与第一侧壁相距第一距离，顶边与第一侧壁相距第二距离，第一距离小于所述第二距离，置于该放置空间中的晶舟的底面尺寸大于第一距离，小于第二距离。本实用新型提供的用于提高晶圆清洗良率的清洗治具通过限位杆的斜面设计，简单有效的实现了置于承载空间的晶舟的倾斜置位，可使置于晶舟中的晶圆倾斜置位，降低了晶圆的置位状态受清洗治具的移动而变化的风险，提高了清洗良率。
一种用于提高清洗

[实用新型]一种底盘治具-CN202321150575.2有效
发明人：郭文凯;田晓强;林冠宏;崔思远;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种底盘治具，涉及半导体技术领域，包括下盘、设于下盘上的至少一个上盘，以及设于下盘和上盘之间的连接组件，上盘用于承载晶圆，连接组件包括连接件，上盘和下盘的其中一个上设有连接件，另一个上设有与连接件相对的卡槽，通过将连接件伸入卡槽内，以用于限制上盘相对于下盘的径向移动，其中，下盘的横截面积大于上盘的横截面积。通过将底盘治具分为下盘和至少一个上盘，当容纳晶圆的上盘出现破损时，可将破损的上盘从下盘中拆卸，从而可以降低整个底盘治具的成本，并且无需针对反应室进行适配，进一步降低了更换时的繁琐，保障位于上盘上的每个晶圆的正常加工。
一种底盘

[实用新型]一种真空源机械臂-CN202321173055.3有效
发明人：黎望望;徐吉红;段良飞;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B25J15/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种真空源机械臂，该真空源机械臂包括机械臂前叉和设置在所述机械臂前叉上的压力传感器，所述机械臂前叉一端设有气孔，另一端设有与所述气孔连通的真空源入口，所述真空源入口用于连接抽真空装置，以使所述气孔产生吸力吸附晶片，所述机械臂前叉设有所述气孔一端还设有安装槽用于安装所述压力传感器，所述压力传感器的厚度大于所述安装槽的深度。本实用新型中的真空源机械臂，解决了现有技术中的机械臂在没有吸附到晶片时，仍会进行晶片的取放操作，导致晶片取放生产流程异常的问题。
一种真空机械

[实用新型]一种便于机械开合的光罩版盒-CN202320965286.1有效
发明人：江晓军;郭玉峰;段良飞;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种便于机械开合的光罩版盒，其包括可盖设于盒衬上的盒盖，在盒盖的侧壁外设置有弹簧卡扣，在盒衬侧边的外延板上开设有卡口，在盒盖盖设于盒衬上时，弹簧卡扣可翻转卡入卡口中，同时弹簧卡扣下端的翻边延伸至外延板的板面下方，弹簧卡扣和卡口的匹配实现水平方向上的固定，以翻边的外延板的板面实现竖直方向上的固定，合盖结构稳固，开盖时，可以光刻机台中的机械勾爪勾住弹簧卡扣下端的翻边即可将弹簧卡扣翻起，接触锁定。本实用新型提供的光罩版盒的锁定结构开合方便，其开合便于在光刻机台内由机械实现，降低了放置于光罩版盒中的光罩版接触外部环境中的脏污的可能性，提高了生产的半导体器件的良品率。
一种便于机械光罩版盒

[实用新型]一种底盘治具-CN202320966271.7有效
发明人：牛俊涵;梁毅;林冠宏;崔思远;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种底盘治具，涉及半导体技术领域，包括底板本体、设于底板本体上的多个放置槽，以及设于底板本体上的多个导流槽，放置槽用于容纳晶圆，多个导流槽中有一部分导流槽、以底板本体的中心为圆心周向间隔设置，另一部分导流槽设于底板本体的中心，其中，放置槽与导流槽相对设置，且每相邻两个导流槽之间设有流通通道，流通通道用于使多个导流槽之间相互连通。通过多个导流槽以及流通通道之间的相互配合，使得氦气可以沿着流通通道的路径朝向导流槽的方向进行传输，从而针对放置槽的位置处进行冷却，实现了氦气在进行释放时，其可以第一时间对晶圆进行冷却，从而大大降低了晶圆的冷却时长。
一种底盘

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202310988197.3有效
发明人： 文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层，以及设置在所述P型半导体层上的P电极和设置在所述N型半导体层上的N电极；所述N型半导体层包括依次层叠在所述缓冲层上的N型电子层和N型调控层，所述N型电子层包括交替层叠的AlxGa1‑x‑yInyN层和AlαGa1‑α‑βInβN层，所述N型调控层包括交替层叠的AlaGa1‑aN层和AlbIn1‑bN层。本发明提供的发光二极管能够提高N型半导体层内的N型掺杂效率，降低其内部拉应力，提高发光效率。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种生瓷复合材料及用其制备晶圆搬运臂的制备方法-CN202310852247.5在审
发明人：赵元亚;崔思远;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：发明提供了一种生瓷复合材料及用其制备晶圆搬运臂的制备方法，生瓷复合材料包括：包括粘结剂、烧结助剂、增塑剂、分散剂、陶瓷粉末，其中，粘结剂包括P溶剂和O溶剂，P溶剂的含量为1wt％‑1.5wt％，粘度为60cps‑70cps，O溶剂的含量为3wt％‑6.5wt％，粘度不小于4800cps，烧结助剂的含量为3.5wt％‑5wt％，增塑剂的含量为2wt％‑10wt％，分散剂的含量为2wt％‑4wt％，其余部分为陶瓷粉末，本申请提供的生瓷复合材料硬度高、抗氧化性强，耐磨性强，制备的晶圆搬运臂可靠性高。
一种复合材料制备搬运方法

[发明专利]LED外延片及其制备方法、LED-CN202310836801.0在审
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。其中，LED外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、第一P型层和第二P型层；其中，第一P型层为周期性结构，周期数≥2，每个周期均包括依次层叠的第一P型AlGaN层和P‑ScYAlN层；第二P型层为周期性结构，周期数≥2，每个周期均包括依次层叠的第二P型AlGaN层和P‑AlInGaN层。实施本发明，可提升LED外延片的发光效率。
led 外延及其制备方法

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