[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010357586.2 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111554738A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 冯荣杰 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上；轻掺杂区，位于外延层中；以及导电层，位于绝缘层中，通过引线与轻掺杂区连接。该半导体器件通过设置轻掺杂区和导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上；轻掺杂区，位于外延层中；以及导电层，位于绝缘层中，通过引线与轻掺杂区连接。该半导体器件通过设置轻掺杂区和导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。
- 半导体器件-202020692358.6
- 冯荣杰 - 杭州士兰微电子股份有限公司
- 2020-04-29 - 2021-03-09 - H01L29/735
- 本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上，具有多个接触孔；隔离区，位于外延层中，从外延层的上表面延伸至衬底的上表面；第一轻掺杂区，位于外延层中并且从隔离区内部横向延伸至外延层中，第一轻掺杂区超出隔离区第一预定长度；以及第一导电层，位于绝缘层上，并且位于第一轻掺杂区上方，横向超出第一轻掺杂区第三预定长度，其中，第一引线经由接触孔与第一轻掺杂区相连。该半导体器件通过设置第一轻掺杂区和第一导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。
- 保护装置-202010794409.0
- O·奥里 - 意法半导体(图尔)公司
- 2020-08-10 - 2021-02-09 - H01L29/735
- 本公开的实施例提供了一种保护装置。本公开提供了一种包括衬底的电子装置。衬底包括阱和横向地围绕该阱的外围绝缘壁。在阱中形成至少一个横向双极型晶体管，并且至少一个晶体管具有在平行的集电极区域和发射极区域下延伸的基极区域。外围绝缘壁在平行于集电极区域和发射极区域的第一方向上被加宽，使得基极区域穿透到外围绝缘壁中。
- 专利分类
