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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN202010115755.1有效
  • 梅本康成;大部功;井手野馨;小屋茂树 - 株式会社村田制作所
  • 2020-02-25 - 2023-10-13 - H01L29/735
  • 本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201910574024.0有效
  • 大部功;小屋茂树;梅本康成;筒井孝幸 - 株式会社村田制作所
  • 2019-06-28 - 2023-10-03 - H01L27/082
  • 本发明提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布多个第一双极晶体管和至少一个以上的第二双极晶体管而配置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]放大模块-CN202110399315.8有效
  • 小屋茂树;竹之内好光;佐佐木健次;近藤将夫 - 株式会社村田制作所
  • 2021-04-14 - 2023-09-29 - H05K1/02
  • 本发明提供能够将放大IC稳定地安装于模块基板，并且能够提高从放大IC向模块基板的散热性的放大模块。安装于层叠基板的放大IC具备输入端子、输出端子及共用端子。层叠基板具备基板侧的共用端子、输入端子及输出端子。这些端子经由凸块与元件侧的对应的端子连接。在层叠基板的下表面，在俯视时与共用端子重叠的位置配置有下表面共用端子。从共用端子朝向下表面共用端子依次配置有第一、第二、第三共用导通孔导体。在基板侧的输入端子连接有输入导通孔导体。第一共用导通孔导体的俯视时的面积比第二、第三共用导通孔导体以及输入导通孔导体中的任何一个的俯视时的面积大。共用端子的凸块的俯视时的面积比输入端子的凸块的俯视时的面积大。
  • 放大模块
  • [发明专利]半导体装置-CN201811453223.8有效
  • 大部功;梅本康成;柴田雅博;小屋茂树;近藤将夫;筒井孝幸 - 株式会社村田制作所
  • 2018-11-30 - 2023-08-18 - H01L29/08
  • 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201910018835.2有效
  • 小屋茂树;筒井孝幸;中井一人;田中佑介 - 株式会社村田制作所
  • 2019-01-09 - 2022-12-06 - H01L27/06
  • 本发明提供能够抑制发射极电阻的增大且具有适合于高输出动作的构成的半导体装置。多个单位晶体管在基板的表面沿第一方向排列地配置。与单位晶体管对应地配置输入电容元件。在单位晶体管的发射极层连接发射极共用布线。在与发射极共用布线重叠的位置设置从发射极共用布线到达至基板的背面的导通孔。在单位晶体管的集电极层连接集电极共用布线。多个输入电容元件、发射极共用布线、多个单位晶体管以及集电极共用布线按上述记载顺序沿第二方向排列地配置。将多个输入电容元件与对应的单位晶体管的基极层连接的基极布线与发射极共用布线不物理性接触地交叉。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202111273521.0在审
  • 高桥新之助;青池将之;筒井孝幸;小屋茂树 - 株式会社村田制作所
  • 2021-10-29 - 2022-05-20 - H01L27/02
  • 本发明提供一种包含多个半导体元件，且适合小型化的半导体装置。在基板的一个面上在一个方向上排列配置多个晶体管，各晶体管相互并联连接。多个晶体管分别包含从基板侧开始依次层叠的集电极层、基极层以及发射极层。在多个晶体管中相互相邻的两个晶体管之间的区域中的至少一个区域分别配置有无源元件。在多个晶体管中的每个晶体管的集电极层与基板之间配置有与集电极层电连接的集电极电极。
  • 半导体装置
  • [发明专利]功率放大电路-CN202110951931.X在审
  • 小屋茂树;筒井孝幸 - 株式会社村田制作所
  • 2021-08-18 - 2022-04-05 - H03F3/213
  • 本发明提供一种在输入频率不同的两个信号的结构中，能够抑制频率所引起的放大率的下降的功率放大电路。功率放大电路具备：第1布线，被供给具有第1频率的第1信号；第2布线，被供给具有与所述第1频率不同的第2频率的第2信号；第1放大电路，对通过所述第1布线被供给的所述第1信号进行放大，将第1放大信号供给到所述第2布线；和第2放大电路，对通过所述第2布线被供给的信号进行放大，输出第2放大信号。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]半导体装置-CN202110901169.4在审
  • 梅本康成;马少骏;小屋茂树;佐佐木健次 - 株式会社村田制作所
  • 2021-08-06 - 2022-02-25 - H01L27/06
  • 本发明提供能够提高负载变动损坏耐性的半导体装置。在基板的表面沿第一方向排列配置的多个单元分别包含至少一个单位晶体管。在相互相邻的两个单元之间分别配置有集电极电极。作为多个单元中的至少一个单元的第一单元包含沿第一方向排列的多个单位晶体管。多个单位晶体管相互并联连接。在第一单元中，多个单位晶体管各自的基极电极和发射极电极沿第一方向排列配置，并且基极电极和发射极电极的排列顺序在多个单位晶体管之间相同。在注目于一个第一单元时，在所注目的第一单元内相互相邻的两个单位晶体管的发射极电极的第一方向上的距离的最大值比所注目的第一单元与和其相邻的单元之间的第一方向上的距离中较短距离的1/2短。
  • 半导体装置
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