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[发明专利]高保持电压双极结器件-CN202310197258.4在审
发明人： P·马哈詹 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请涉及高保持电压双极结器件，所公开的半导体结构实施例包括被配置为具有高保持电压的双极结器件。所述器件包括基极、集电极和发射极端子。由于独特配置的发射极端子，实现了高保持电压。具体地，所述器件包括具有第一类型导电性的基极阱区。发射极端子包括邻近基极阱区(例如，在基极阱区内和/或在基极阱区上)的发射极接触区和辅助发射极区，所述发射极接触区具有第二类型导电性，所述辅助发射极区邻接所述发射极接触区并具有比所述基极阱区更高导电性水平的第一类型导电性。实施例根据发射极接触区和辅助发射极区的形状而变化。实施例还根据用于将集电极端子与发射极端子隔离的结构以及由硅化物层覆盖的区域而变化。
保持电压双极结器件

[发明专利]半导体装置-CN202010115755.1有效
发明人：梅本康成;大部功;井手野馨;小屋茂树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。
半导体装置

[发明专利]一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路-CN202110934402.9有效
发明人：金冬月;刘圆圆;张万荣;贾晓雪;潘永安;曹路明;雷鑫 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO2埋氧层(2107)、和Si衬底(2108)构成的晶体管(21)和模式控制端(22)。在第一模式(高压模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中晶体管的击穿电压(BVCBO和BVCEO)高达7.5V和2.0V以上。在第二模式(高增益模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中的晶体管(21)的峰值电流增益高达150以上。模式控制端(22)通过控制供应给晶体管(21)中衬底电极(2112)处的模式控制信号来切换所述高频横向双极晶体管电路的工作模式。
一种具有高压增益模式高频横向双极晶体管电路

[发明专利]栅控横向双极结/异质结晶体管-CN202011072209.0有效
发明人： M·杨;J·辛格;A·马丁;J·J·埃利斯-莫纳甘 -专利权人：格芯公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及栅控横向双极结/异质结晶体管。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及栅控晶体管及制造方法。该结构包括：发射极区；集电极区；基极区，其位于发射极区和集电极区的相对侧；以及栅极结构，其由主体区和支脚区组成，主体区位于发射极区和集电极区的相对侧上的基极区之间，并且支脚区将基极区与发射极区和集电极区两者隔离。
横向双极结结晶体

[发明专利]三极管及其形成方法-CN202011039072.9有效
发明人：顾培楼 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请公开了一种三极管及其形成方法，该三极管包括：衬底，其中形成有集电区、发射区和基区；介质层，其形成于衬底上，介质层中形成有第一金属连线、第二金属连线和第三金属连线，第一金属连线的底端与集电区连接，第二金属连线的底端与发射区连接，第三金属连线的底端与基区连接；第二金属连线的特征尺寸小于第一金属连线，第二金属连线的特征尺寸小于第三金属连线，第二金属连线的特征尺寸小于0.18微米。本申请通过将三极管中与发射区连接的金属连线的特征尺寸降低至0.18微米以下，从而增加了发射区的发射效率，在不改变三极管的结构的基础上，提高了三极管的放大倍数。
三极管及其形成方法

[发明专利]具有水平宽度变化的基极层的横向双极型晶体管结构及其形成方法-CN202211056908.5在审
发明人：余鸿;Z·胡;亚历克斯·德里克森;王海艇 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有水平宽度变化的基极层的横向双极型晶体管结构及其形成方法。本公开的实施例提供了一种具有水平厚度变化的基极层的横向双极型晶体管以及形成该晶体管的相关方法。横向双极型晶体管可以包括位于半导体层上的发射极/集电极(E/C)层。第一基极层位于半导体层上且与E/C层水平相邻。第一基极层具有下部，该下部具有距E/C层的第一水平宽度。第一基极层还具有位于下部上的上部，该上部具有距E/C层的大于第一水平宽度的第二水平宽度。第二基极层位于第一基极层上且与间隔物相邻。第一基极层的上部将第二基极层的下表面与E/C层分隔。
具有水平宽度变化基极横向双极型晶体管结构及其形成方法

[发明专利]一种双极型晶体管结构及其制作方法-CN202310163050.0在审
发明人：刘尧;刘海彬;刘筱伟;陈达伟;舒刚剑;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型晶体管结构及制作方法，包括P型衬底、深N阱、N型外延层、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，电极引出端注入区包括依次间隔排列的第一基极引出端注入区、第一集电极引出端注入区、发射极引出端注入区、第二集电极引出端注入区及第二基极引出端注入区，第一栅极结构横跨第一集电极引出端注入区与发射极引出端注入区，第二栅极结构横跨发射极引出端注入区与第二集电极引出端注入区。本发明的双极型晶体管通过在发射区与集电区之间增加栅极以调控横向PNP基区的电势，形成其与发射区、集电区构成的并联MOS管，通过周期性施加栅极端的电压，可以形成正反馈，使PNP管在大电流下稳定工作且不会发生击穿现象。
一种双极型晶体管结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211709862.2在审
发明人：吴健 -专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，一种半导体器件，包括：衬底；埋层，设于衬底内；第一阱区，设于埋层的上表层；第二阱区，设于埋层的上表层且部分区域与衬底接触，第二阱区位于第一阱区的外围；多个发射极引出区和基极引出区，设于第一阱区的上表层内且两两之间间隔设置；栅极结构，设于衬底的上表面上，且包括栅极，栅极在第一阱区上的正投影与发射极引出区呈交错布设；集电极引出区，形成于第二阱区的上表层内；其中，多个发射极引出区并联连接，以引出发射极；栅极与集电极引出区并联连接，以引出集电极。可以通过改变集电极的输入电压，进而控制半导体器件的增益电流和发射极引出区的有效掺杂浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有背栅极的横向双极结型晶体管-CN202211104007.9在审
发明人：宇宏;S·M·潘迪 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及具有背栅极的横向双极结型晶体管，揭示双极结型晶体管的结构以及形成双极结型晶体管的结构的方法。该结构包括：具有阱的衬底，包括第一凸起半导体层的第一端子，包括第二凸起半导体层的第二端子，以及在该第一端子的该第一凸起半导体层与该第二端子的该第二凸起半导体层间沿横向方向设置的基极层。该基极层与该阱具有重叠布置。该结构还包括在该第一端子与该衬底、该第二端子与该衬底、以及该基极层与该衬底间沿垂直方向设置的介电层。
具有栅极横向双极结型晶体管

[发明专利]具有到掺杂半导体阱的发射极/集电极接触的双极型晶体管结构和相关方法-CN202211159566.X在审
发明人：余鸿;V·杰恩 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种具有到掺杂半导体阱的发射极/集电极(E/C)接触的横向双极型晶体管结构和相关方法。根据本公开的双极型晶体管结构可以包括位于半导体衬底上方的掺杂半导体阱。绝缘区位于掺杂半导体阱上。基极层位于绝缘区上，以及发射极/集电极(E/C)层位于绝缘区上并且与基极层的第一侧壁相邻。到掺杂半导体阱的E/C接触包括与绝缘区相邻的下部和与E/C层相邻并电耦合的上部。
具有掺杂半导体发射极集电极接触双极型晶体管结构相关方法

[发明专利]环形双极型晶体管-CN202210955715.7在审
发明人： A·M·德里克森;马乐言;J·辛格;M·杨;J·R·霍尔特 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及环形双极型晶体管和制造方法。该结构包括：衬底材料；集电极区，其平行于衬底材料并位于衬底材料上方；内基极区，其围绕集电极区；发射极区，其位于内基极区上方；以及外基极区，其接触内基极区。
环形双极型晶体管

[发明专利]具有内外间隔物的横向双极型晶体管结构及其形成方法-CN202211035142.2在审
发明人：亚历克斯·德里克森;J·L·莱蒙;王海艇;J·R·霍尔特 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了具有内外间隔物的横向双极型晶体管结构和相关方法。横向双极型晶体管结构可以具有位于绝缘体上方的发射极/集电极E/C层。E/C层具有第一掺杂类型。第一基极层位于绝缘体上且邻近E/C层。第一基极层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。第二基极层位于第一基极层上且具有第二掺杂类型。第二基极层的掺杂浓度大于第一基极层的掺杂浓度。内间隔物位于E/C层上且邻近第二基极层。外间隔物位于E/C层上且邻近内间隔物。
具有内外间隔横向双极型晶体管结构及其形成方法

[发明专利]横向双极型晶体管-CN202210997998.1在审
发明人：王海艇;A·德里克森;J·辛格;V·杰恩;A·克诺尔;A·马丁;J·R·霍尔特;Z·胡 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及一种横向双极型晶体管和制造方法。一种结构包括：内基极，其包括位于半导体衬底的沟道区中的半导体材料；外基极，其竖直位于内基极上方；升高的集电极区，其位于半导体衬底上并横向连接到内基极；以及升高的发射极区，其位于半导体衬底上并横向连接到内基极。
横向双极型晶体管

[发明专利]具有栅控集电极的横向双极型晶体管-CN202210915316.8在审
发明人： A·德里克森;V·杰恩;J·R·霍尔特;J·辛格;杨满圭 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有栅控集电极的横向双极型晶体管和制造方法。该结构包括：外基极区，其竖直地位于半导体衬底上方，并且包括位于外基极区的相反侧壁上的非对称侧壁间隔物；集电极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的至少第一间隔物与外基极区分隔开；以及发射极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的第二间隔物与所述外基极区分隔开。
具有集电极横向双极型晶体管

[发明专利]横向双极型半导体器件-CN202210420614.X在审
发明人：朱丽霞 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种横向半导体器件。横向双极型半导体器件包括：衬底，衬底中形成基区，基区从衬底的上表面向下延伸；基区中形成有发射区，位于发射区外周的基区中形成有集电区，发射区与集电区之间被基区横向漂移部间隔；介质层，介质层覆盖在衬底的上表面上，介质层中形成有多晶硅化物阻挡层，多晶硅化物阻挡层覆盖在基区横向漂移部上；介质层中还形成有发射极金属层，发射极金属层通过第一接触孔与发射区接触；发射极金属层覆盖多晶硅化物阻挡层，并通过第二接触孔与多晶硅化物阻挡层接触。基区的导电类型为第一导电类型，发射区和集电区的导电类型为第二导电类型。
横向双极型半导体器件

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