首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果42个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体装置-CN202010115755.1有效
  • 梅本康成;大部功;井手野馨;小屋茂树 - 株式会社村田制作所
  • 2020-02-25 - 2023-10-13 - H01L29/735
  • 本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201910574024.0有效
  • 大部功;小屋茂树;梅本康成;筒井孝幸 - 株式会社村田制作所
  • 2019-06-28 - 2023-10-03 - H01L27/082
  • 本发明提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布多个第一双极晶体管和至少一个以上的第二双极晶体管而配置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]功率放大器以及化合物半导体装置-CN201811389121.4有效
  • 大部功;田中聪;筒井孝幸;梅本康成 - 株式会社村田制作所
  • 2018-11-20 - 2023-08-22 - H03F1/02
  • 本发明提供一种能够抑制耗电的功率放大器以及化合物半导体装置。功率放大器具备初级放大电路、输出级放大电路、初级偏置电路和输出级偏置电路。初级放大电路包括：第一高电子迁移率晶体管，源极与基准电位电连接，栅极被输入高频输入信号；和第一异质结双极晶体管，发射极与第一高电子迁移率晶体管的漏极电连接，基极交流地与基准电位电连接，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频信号。输出级放大电路包括第二异质结双极晶体管，该第二异质结双极晶体管的发射极与基准电位电连接，基极被输入从第一异质结双极晶体管输出的高频信号，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频输出信号。
  • 功率放大器以及化合物半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201811453223.8有效
  • 大部功;梅本康成;柴田雅博;小屋茂树;近藤将夫;筒井孝幸 - 株式会社村田制作所
  • 2018-11-30 - 2023-08-18 - H01L29/08
  • 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201910221467.1有效
  • 近藤将夫;大部功;梅本康成;山本靖久;柴田雅博;筒井孝幸 - 株式会社村田制作所
  • 2019-03-22 - 2023-05-12 - H01L23/367
  • 一种半导体装置，在印刷电路基板安装半导体芯片。半导体芯片在基板的与印刷电路基板对置的第一面形成有源元件。在与有源元件不同的位置设置由热传导率比基板高的材料构成的热传导膜。在第一面上配置覆盖有源元件以及热传导膜的绝缘膜。在绝缘膜上设置与热传导膜电连接的凸块。设置从与第一面相反侧的第二面到达热传导膜的贯通导通孔。从在俯视时与有源元件重叠的第二面的区域到贯通导通孔的内面连续地配置由热传导率比基板高的材料构成的热传导部件。半导体芯片的凸块与印刷电路基板的连接盘连接，半导体芯片被密封树脂密封。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体芯片-CN201810684173.8有效
  • 柴田雅博;德田大辅;黑川敦;德矢浩章;梅本康成 - 株式会社村田制作所
  • 2018-06-27 - 2022-10-28 - H01L23/498
  • 本发明提供一种不依赖于焊料的涂敷量的控制而使凸块高度对齐的半导体芯片。半导体芯片具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在半导体基板的主面上；第二电极，形成在半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在第一电极的一部分上；第一凸块，形成在第一电极的另一部分以及第一绝缘层上，并且与第一电极电连接；以及第二凸块，形成在第二电极上，并且在半导体基板的主面的俯视下具有比第一凸块的面积大的面积，通过第一绝缘层对半导体基板的主面的法线方向上的从半导体基板的主面到第一凸块的上表面的距离进行调整。
  • 半导体芯片
  • [发明专利]半导体装置-CN202110901169.4在审
  • 梅本康成;马少骏;小屋茂树;佐佐木健次 - 株式会社村田制作所
  • 2021-08-06 - 2022-02-25 - H01L27/06
  • 本发明提供能够提高负载变动损坏耐性的半导体装置。在基板的表面沿第一方向排列配置的多个单元分别包含至少一个单位晶体管。在相互相邻的两个单元之间分别配置有集电极电极。作为多个单元中的至少一个单元的第一单元包含沿第一方向排列的多个单位晶体管。多个单位晶体管相互并联连接。在第一单元中，多个单位晶体管各自的基极电极和发射极电极沿第一方向排列配置，并且基极电极和发射极电极的排列顺序在多个单位晶体管之间相同。在注目于一个第一单元时，在所注目的第一单元内相互相邻的两个单位晶体管的发射极电极的第一方向上的距离的最大值比所注目的第一单元与和其相邻的单元之间的第一方向上的距离中较短距离的1/2短。
  • 半导体装置
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top