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[发明专利]带反向放大作用的吸收二极管器件结构及制造方法-CN202210697050.4有效
发明人：许柏松;徐占勤;任艳炯;陈烨;赵飞;任晓塍;李泽炎 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了带反向放大作用的吸收二极管器件结构及制造方法。带反向放大作用的吸收二极管器件结构，包括重型掺磷衬底，重型掺磷衬底上方设有高阻区，高阻区的中间靠近外部区域开环形槽，环形槽作为形成结终端延伸区的终端区窗口；高阻区还开设有窄环形窗口，终端区窗口的内侧与窄环形窗口相邻设置；窄环形窗口填充有P形填充层；高阻区的正中间开设有P形掺杂区窗口，P形掺杂区窗口形成P型掺杂区；窄环形窗口与P型掺杂区存有间隙；P型掺杂区的内部以及高阻区的边缘开设N形掺杂区窗口，形成有源区N+型掺杂区和终端保护区；还包括短接P型掺杂区与N+型掺杂区的上层金属层，上层金属层覆盖在高阻区的上方。提高了芯片适应能力。
反向放大作用吸收二极管器件结构制造方法

[实用新型]一种改善晶圆表面质量的显影装置-CN202220791582.X有效
发明人：李志坚;顾军魏;马成鸿;陈兆萍;陈亮;任艳炯 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种改善晶圆表面质量的显影装置，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括喷头，所述喷头固定于支架上，所述支架上设有气管和液管，所述液管出口、气管出口和喷头进口通过三通接头连通，所述液管上设有液阀，所述气管上设有控制阀，打开所述液阀，关闭所述控制阀，所述液管导通、气管断开，使得显影液经液管流至喷头进行喷液；关闭所述液阀，打开所述控制阀，所述液管断开，气管导通，使得气体流入液管、喷头，对气管、喷头内的残液进行吹扫。所述气管上设有单向阀。本申请结构简单，操作便捷，既能杜绝液管内存在气泡，又能防止喷头处残液滴落在晶圆表面，提高了晶圆表面质量。
一种改善表面质量显影装置

[实用新型]一种适用于抛光垫坑深的测量装置-CN202220514791.X有效
发明人：任晓塍;王旭;徐占勤;孙岩;任艳炯;陶勇 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01B5/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种适用于抛光垫坑深的测量装置，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括测量平台，所述测量平台下方设有抛光垫，所述抛光垫放于放置台上，所述测量平台上设置竖向布置的测量仪，所述测量平台上开设多个平衡调节孔，所述平衡调节孔内分别穿设平衡螺丝，调节所述平衡螺丝的旋入长度，使得所述测量平台呈水平状态；所述抛光垫上设有多个硅片坑，所述硅片坑内设有硅片；所述平衡螺丝分别支撑于对应的硅片上，测量仪的探头对硅片坑的深度进行测量。本申请结构简单，操作便捷，测量装置能够重复使用，提高了测量装置的重复使用性；提高了抛光垫坑深测量精度，有利于监控采购的抛光垫质量，控制材料片加工质量的稳定性。
一种适用于抛光垫坑深测量装置

[发明专利]高温高压的钳位保护的器件结构及制造方法-CN202110307360.6有效
发明人：许柏松;陈晓伦;徐永斌;叶新民;沈晓东;朱瑞;赵飞;欧应辉;任艳炯 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了高温高压的钳位保护的器件结构及制造方法。高温高压的钳位保护的器件结构，包括重型掺磷衬底，重型掺磷衬底上方设有高阻区；高阻区的中央开设有主沟槽，主沟槽内形成结终端延伸区，结终端延伸区的右端底部开设有沟槽，沟槽内形成基区，基区内形成有发射区；高阻区的上方形成有氧化层；还包括左右设置的基区金属连接层以及发射区金属连接层，基区金属连接层与发射区金属连接层位于氧化层的上方，且基区金属连接层与基区短接，发射区金属连接层与发射区短接；还包括铝钳位保护结构，铝钳位保护结构与基区短接，且位于基区的外围。铝钳位保护可以将高温高压下的可动电荷屏蔽在基区主结外部，减小聚集的电荷对主结的影响。
高温高压保护器件结构制造方法

[发明专利]双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构及制造方法-CN202110308047.4有效
发明人：许柏松;陈晓伦;徐永斌;叶新民;沈晓东;朱瑞;赵飞;欧应辉;任艳炯 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构及制造方法。双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构，包括衬底；衬底的上方设有高阻区；高阻区上开设有第一窗口，第一窗口内形成有第一填充层；第一窗口与第二窗口相邻设置，第二窗口内形成有第二填充层；高阻区的边缘以及第二填充层内开设有第三窗口，第三窗口内形成有第三填充层；还包括一覆盖在高阻区上方的氧化层，氧化层内埋设有多晶硅条从内至外螺旋状设置的多晶硅层；第一金属层与位于高阻区边缘的第三填充层以及多晶硅层短接；第二金属层与多晶硅层以及第二填充层短接；第三金属层与位于第二填充层内的第三填充层短接。通过集成高压上电启动电阻，提高器件的集成度，降低电路的成本。
双极晶体管集成高压启动电阻器件结构制造方法