[发明专利]具有用于嵌入锗材料的成形腔的半导体器件及其双沟槽制造工艺有效
申请号: | 201510079521.5 | 申请日: | 2015-02-13 |
公开(公告)号: | CN105990343B | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 李芳;朱也方;陈锟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L29/08;H01L21/8238 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及半导体工艺及器件。更具体地,本发明的实施例提供一种半导体器件,该半导体器件包括由两个沟槽结构形成的成形腔,并且该成形腔填充有硅和锗材料。还提供了其他实施例。 | ||
搜索关键词: | 具有 用于 嵌入 材料 成形 半导体器件 及其 沟槽 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:提供基板,所述基板基本包括硅材料;形成覆盖所述基板的多个隔离物,所述多个隔离物包括第一隔离物、第二隔离物和第三隔离物,所述第一隔离物与所述第二隔离物由第一沟槽区域隔开,所述第二隔离物与所述第三隔离物由第二沟槽区域隔开;使用至少第一蚀刻剂执行第一蚀刻工艺以在所述第一沟槽区域处形成第一沟槽以及在所述第二沟槽区域处形成第二沟槽;移除所述多个隔离物;使用至少第二蚀刻剂执行第二蚀刻过程以形成成形腔,所述成形腔包括与所述基板交界的两个凸区域;以及用硅和锗材料填充所述成形腔。
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- 硅和硅锗纳米线的形成-201310594134.6
- 江国诚;卡洛斯·H·迪亚兹;让-皮埃尔·科林格 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2013-11-21 - 2019-06-11 - H01L27/092
- 本发明提供了一种或多种半导体布置以及用于形成这种半导体布置的技术。例如,利用一个或多个硅和硅锗叠层,以形成包括锗纳米线沟道的PMOS晶体管和包括硅纳米线沟道的NMOS晶体管。在一个实例中,氧化第一硅和硅锗叠层,以将硅转化为氧化硅区,去除氧化硅区以形成PMOS晶体管的锗纳米线沟道。在另一个实例中,去除第二硅和硅锗叠层内的硅锗层,以形成NMOS晶体管的硅纳米线沟道。具有锗纳米线沟道的PMOS晶体管和具有硅纳米线沟道的NMOS晶体管作为单次制造工艺的一部分而形成。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的