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[发明专利]MEMS陀螺仪启动过程和电路-CN202310352531.6在审
发明人： Y·胡;N·K·萨霍;P·纳拉莫苏;D·方;D·麦克卢尔;M·加巴里诺 -专利权人： 意法半导体公司;意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01C19/5776 文献下载
摘要：本公开涉及MEMS陀螺仪启动过程和电路。在微机电系统(MEMS)陀螺仪的启动时，驱动信号被抑制，并且任何残余机械振荡的相位、频率和幅度被感测并被处理以确定用于启动的过程路径。在残余机械振荡的感测频率是杂散模式频率并且残余机械振荡的品质因数足够的情况下，将反相信号作为MEMS陀螺仪驱动信号来施加，以便实现残余机械振荡的主动衰减。然后可以执行突跳阶段以发起振荡。此外，在残余机械振荡的感测频率是具有足够驱动能量的谐振模式频率的情况下，将具有锁相环频率控制和由驱动能量控制的幅度的正交相位信号作为MEMS陀螺仪驱动信号来施加，以便引发受控振荡。
mems 陀螺仪启动过程电路

[发明专利]晶体管和用于制作晶体管的方法-CN201811419446.2有效
发明人： J·H·张 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管和用于制作晶体管的方法。在提供有掩埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)半导体晶片上，例如FD‑SOI和UTBB器件，构造具有部分凹陷栅极的晶体管。外延生长的沟道区域放松了对掺杂源极和漏极分布的设计的约束。部分凹陷栅极和抬升的外延的源极和漏极区域的形成允许进一步地改善晶体管性能和降低比如漏极致势垒降低(DIBL)的短沟道效应，以及控制特有的亚阈值斜率。由先进工艺控制协助，可以变化栅极凹陷以相对于掺杂分布将沟道置于不同的深度。部分凹陷栅极具有最初与栅极的三个侧面相接触地形成的相关的高k栅极电介质。随后去除高k侧壁以及用更低k的氮化硅封料替代降低了在栅极与源极和漏极区域之间的电容。
晶体管用于制作方法

[发明专利]通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法-CN202310978953.4在审
发明人： P·莫林;N·卢贝 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法。描述了用于形成衬底的局域化的应变区域的方法和结构。沟槽可以在衬底的局域化区域的边界处形成。在局域化区域处的侧壁的上部部分可以由覆盖层覆盖，并且在局域化区域处的侧壁的下部部分可以不被覆盖。转变材料可以被形成为与局域化区域的下部部分和加热的衬底接触。加热可以将来自转变材料的化学种类引入到下部部分中，这在局域化区域中产生应力。所述方法可以用于形成应变沟道finFET。
通过使用凝聚形成局域衬底方法

[发明专利]通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知-CN202310679601.9在审
发明人： M·乔达里;A·库马;G·辛格;R·巴勒 -专利权人： 意法半导体公司;意法半导体国际有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F18/24 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知。分布式计算系统用于自主地了解智能装置的环境情境中的人工智能。原始情境数据由与智能装置相关联的传感器检测。原始情境数据由智能装置预处理，并且然后被提供至基于云的服务器以进行进一步处理。在基于云的服务器处，各种特征数据集合从经预处理的情境数据而获得。各种特征数据集合被与对应的分类参数相比较，以确定在情境中发生的连续事件的分类和/或瞬态事件的分类(如果有的话)。连续事件和瞬态事件的所确定的分类将被用于自主地配置智能装置或者另一相关智能装置，以适应情境。
通过瞬态事件连续智能装置情境感知

[发明专利]具有表面安装结构的扁平无引线封装体-CN202310634835.1在审
发明人： R·罗德里奎兹;A·M·阿谷唐;M·G·马明 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开涉及具有表面安装结构的扁平无引线封装体。表面安装结构的端部包括凹陷构件，表面安装结构特别是通过凹陷构件的侧壁被耦合至扁平无引线半导体封装体的引线。
具有表面安装结构扁平引线封装

[发明专利]具有交叠的引线和管芯焊盘的半导体封装件-CN202310178698.5在审
发明人： J·S·塔利多 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及具有交叠的引线和管芯焊盘的半导体封装件。本公开涉及一种封装件，该封装件在具有第一部分和第二部分的管芯焊盘上具有管芯，第二部分在第一方向上大于第一部分。该封装件包括多个引线，其中至少第一引线具有与管芯焊盘的第一部分的第一下表面共面的第一表面。第一引线具有横向于第一引线的第一表面的第二表面。第二表面是引线和封装件的外表面。管芯焊盘的第二部分是与第一引线交叠的延伸部。
具有交叠引线管芯半导体封装

[发明专利]具有互锁引线的封装件及其制造-CN202310634916.1在审
发明人： A·卡达格;L·J·贝拉洛;E·M·卡达格 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。利用多个蚀刻步骤所形成的半导体封装件包括引线框架、管芯和模塑料。引线框架包括引线和管芯焊盘。引线和管芯焊盘通过多个蚀刻步骤由第一导电材料形成。更具体地，引线框架的引线和管芯焊盘通过至少三个蚀刻步骤形成。至少三个蚀刻步骤包括第一蚀刻步骤、第二底切蚀刻步骤和第三背面蚀刻步骤。第二底切蚀刻步骤在每根引线的端部处形成互锁部分。引线的端部被包裹在模塑料中。具有互锁部分的引线的端部的这种包裹允许互锁部分与模塑料机械地互锁以避免引线拉出。另外，通过利用至少三个蚀刻步骤，引线可以被形成为具有比引线框架的管芯焊盘更大的高度。
具有互锁引线封装及其制造

[发明专利]用于集成电路晶体管器件的背侧源极-漏极接触及其制作方法-CN201810483416.1有效
发明人： J·H·张;W·克利迈耶 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及用于集成电路晶体管器件的背侧源极‑漏极接触及其制作方法。集成电路晶体管形成在衬底上和在衬底中。用金属材料至少部分地填充在衬底中的沟槽，以形成埋置在衬底中的源极(或者漏极)接触。衬底进一步包括外延生长在源极(或者漏极)接触上方的源极(或者漏极)区域。衬底进一步包括与源极(或者漏极)区域相邻的沟道区域。在沟道区域的顶上设置栅极电介质并且在栅极电介质的顶上提供栅极电极。衬底优选地是绝缘体上硅(SOI)类型。
用于集成电路晶体管器件背侧源极接触及其制作方法

[发明专利]安全固件提供和设备绑定机制-CN201811460171.7有效
发明人： M·根蒂利;M·潘齐卡 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：本公开涉及安全固件提供和设备绑定机制。电子计算设备提供一种用于更新固件的方法。方法包括在电子设备处接收固件图像，电子设备具有处理器和被布置为存储由处理器执行的指令的存储器。在电子设备中，检索唯一设备标识符并且生成随机数。所生成的随机数被安全地存储。在计算上组合随机数和唯一设备标识符的表示以创建设备绑定值，并且从设备绑定值生成地址偏移。固件图像被存储在存储器中在地址偏移处。
安全提供设备绑定机制

[发明专利]用于增强电荷载流子的迁移率的方法和设备-CN201910194828.8有效
发明人： J·H·张;牛成玉;杨珩 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明用于增强电荷载流子的迁移率的方法和设备。一种集成电路可以包括两个类型的半导体器件。第一类型的器件可以包括金属栅极和以第一方式应变的沟道。第二类型的器件可以包括金属栅极和以第二方式应变的沟道。栅极可以共同地包括三种或者更少金属材料。栅极可以共享相同金属材料。一种在集成电路上形成半导体器件的方法可以包括分别在集成电路的与第一和第二栅极对应的第一和第二区域中沉积第一和第二金属层。
用于增强电荷载流子迁移率方法设备

[发明专利]碳化硅静电感应晶体管以及用于制作碳化硅静电感应晶体管的工艺-CN201910419476.1有效
发明人： J·H·张;P·莫林 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种静电感应晶体管被形成在掺杂有第一导电类型的碳化硅衬底上。在碳化硅衬底的顶表面中的第一凹陷区域由原位掺杂有第二导电类型的外延生长栅极区域填充。原位掺杂有第一导电类型的外延生长沟道区域被定位在邻近的外延沟道区域之间。原位掺杂有第一导电类型的外延生长源极区域被定位在外延沟道区域上。碳化硅衬底的底表面包括与沟道区域纵向对准并且被硅化以支持形成漏极接触的第二凹陷区域。源极区域的顶表面被硅化以支持形成源极接触。栅极引线被外延生长并且电耦合到栅极区域，其中栅极引线被硅化以支持形成栅极接触。
碳化硅静电感应晶体管以及用于制作工艺

[发明专利]用于改善半导体裸片拐角上的粘合剂圆角部的引线框-CN201910124926.4有效
发明人： R·罗德里奎兹;M·G·马明;J·塔利多 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及包括具有空腔的裸片焊盘的引线框和用于将半导体裸片附接到引线框的方法。空腔允许在半导体裸片的拐角处在裸片焊盘上形成附加粘合剂，并且防止附加粘合剂溢出到半导体裸片的有源区域上。
用于改善半导体拐角粘合剂圆角部引线

[发明专利]具有表面安装结构的扁平无引线封装体-CN201811271350.6有效
发明人： R·罗德里奎兹;A·M·阿谷唐;M·G·马明 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及具有表面安装结构的扁平无引线封装体。表面安装结构的端部包括凹陷构件，表面安装结构特别是通过凹陷构件的侧壁被耦合至扁平无引线半导体封装体的引线。
具有表面安装结构扁平引线封装

[发明专利]通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知-CN201910072433.0有效
发明人： M·乔达里;A·库马;G·辛格;R·巴勒 -专利权人： 意法半导体公司;意法半导体国际有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06F18/24 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知。分布式计算系统用于自主地了解智能装置的环境情境中的人工智能。原始情境数据由与智能装置相关联的传感器检测。原始情境数据由智能装置预处理，并且然后被提供至基于云的服务器以进行进一步处理。在基于云的服务器处，各种特征数据集合从经预处理的情境数据而获得。各种特征数据集合被与对应的分类参数相比较，以确定在情境中发生的连续事件的分类和/或瞬态事件的分类(如果有的话)。连续事件和瞬态事件的所确定的分类将被用于自主地配置智能装置或者另一相关智能装置，以适应情境。
通过瞬态事件连续智能装置情境感知

[发明专利]高电压比较器-CN201810564349.6有效
发明人： P·纳拉莫苏 -专利权人： 意法半导体公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本公开提供了高电压比较器。一种电子设备包括功率开关，该功率开关具有被耦合到第一节点的控制端子、被耦合到第二节点的第一传导端子以及被耦合到第三节点的第二传导端子。监控电路具有被耦合到第一节点的第一输入和被耦合到第二节点的第二输入，监控电路根据在其第一输入和第二输入处所接收到的第一电压和第二电压来生成指示功率开关上的栅极氧化物应力的监控信号。当监控信号指示功率开关上的栅极氧化物应力时，保护电路驱动以保护功率开关免受栅极氧化物应力。监控信号是基于以下电流的比较而生成的：基于第一节点和第二节点处的电压而生成的电流、以及基于可编程参考电压而生成的电流。
电压比较

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