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[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202310075111.8在审
发明人：张添舜;陈国儒;刘书豪;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括：在一基板的一第一区上方形成一第一虚设栅极结构且在该基板的一第二区上方形成一第二虚设栅极结构，该基板的该第一区及该第二区具有一第一复合物，该第一复合物具有一第一蚀刻速度；侧向相邻于该第一虚设栅极结构通过掺杂剂对该基板的该第一区进行布植，其中在该对该第一区进行布植之后，该第一区具有一第二复合物，该第二复合物具有一第二蚀刻速度，该第二蚀刻速度不同于该第一蚀刻速度；在该基板的具有该第二复合物的该第一区中蚀刻一第一凹部，及在具有该第一复合物的该第二区中蚀刻一第二凹部；及在该第一凹部中磊晶生长一第一源极/漏极区及在该第二凹部中磊晶生长一第二源极/漏极区。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]掺杂具有导电部件的半导体器件-CN201810392917.9有效
发明人：刘书豪;张惠政;陈佳政;陈亮吟;陈国儒;吴浚宏;刘昌淼;杨怀德;谭伦光;游伟明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明通常涉及半导体器件中的导电部件的掺杂。在实例中，结构包括晶体管的有源区域。有源区域包括源极/漏极区域，并且源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定。源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，第二掺杂剂的浓度分布具有从源极/漏极区域的表面至源极/漏极区域的深度的一致浓度。一致浓度大于第一掺杂剂浓度。该结构还包括在源极/漏极区域的表面处接触源极/漏极区域的导电部件。本发明的实施例还涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。
掺杂具有导电部件半导体器件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910511115.X有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈国儒;王立廷;陈亮吟;张惠政;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法以及一种半导体结构。在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202210474737.1在审
发明人： 陈国儒;邱士翔;周孟翰;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本公开提供制造半导体装置的方法。方法包括将中性元素布植进介电层、蚀刻停止层和金属特征，其中介电层设置在蚀刻停止层上方，且金属特征设置穿过介电层和蚀刻停止层。方法进一步包括使用锗气体作为中性元素的来源，且使用高于6.75mA的射束电流布植中性元素。
制造半导体装置方法

[发明专利]通过注入减小导电特征之间的间隔-CN202110304424.7在审
发明人： 陈国儒;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳;周孟翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及通过注入减小导电特征之间的间隔。一种方法包括在源极/漏极区域之上形成第一电介质层，以及在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触插塞并将该源极/漏极接触插塞电连接至源极/漏极区域。源极/漏极接触插塞的顶部具有第一横向尺寸。执行注入工艺以将掺杂剂注入到第一电介质层中。该注入工艺使得源极/漏极接触插塞具有小于第一横向尺寸的第二横向尺寸。该方法还包括在蚀刻停止层之上形成第二电介质层，以及形成与源极/漏极接触插塞相邻的栅极接触插塞。
通过注入减小导电特征之间间隔

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110626605.1在审
发明人： 陈国儒;邱士翔;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及方法。公开了用于改善接触插塞和相邻的介质层层之间的密封的方法及其形成的半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：第一电介质层，位于导电特征之上，该第一电介质层的第一部分包括第一掺杂剂；金属特征，电耦合到导电特征，该金属特征包括：第一接触件材料，与导电特征接触；第二接触件材料，位于第一接触件材料之上，第二接触件材料包括与第一接触件材料不同的材料，第二接触件材料的第一部分还包括第一掺杂剂；以及电介质衬里，位于第一电介质层和金属特征之间，电介质衬里的第一部分包括第一掺杂剂。
半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011628053.X在审
发明人：周孟翰;刘书豪;陈国儒;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：形成金属性特征；在金属性特征之上形成蚀刻停止层；用掺杂剂注入金属性特征；在蚀刻停止层之上形成电介质层；执行第一蚀刻工艺以蚀刻电介质层和蚀刻停止层，以形成第一开口；执行第二蚀刻工艺以蚀刻金属性特征，并在金属性特征中形成第二开口，其中第二开口与第一开口接合；以及用金属性材料填充第一开口和第二开口以形成接触插塞。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]使用注入防止金属损失-CN201910211336.5有效
发明人：吴历杰;张棠贵;魏国修;陈科维;王英郎;刘书豪;陈国儒;陈亮吟;张惠政;张庭魁;李佳璇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。
使用注入防止金属损失

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110384428.0在审
发明人： 陈国儒;黄俊贤;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：第一电介质层，设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，设置在第一电介质层之上；第一金属部分，设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。掺杂剂被键合到该贵金属材料。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]连接结构及其形成方法-CN202110373397.9在审
发明人： 陈国儒;黄俊贤;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及连接结构及其形成方法。一种连接结构，包括：第一电介质层，其设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，其设置在第一电介质层之上；第一金属部分，其设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，其设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。
连接结构及其形成方法

[发明专利]阿苯达唑纳米微粉及其制备方法-CN201810307256.5有效
发明人：赵军;陈蓓;王建华;温浩;高惠静;巩月红;张玉欣;陈国儒;文丽梅;卢帅;陈渤松 -专利权人：新疆医科大学第一附属医院
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： A61K9/19 文献下载
摘要：本发明涉及阿苯达唑加工技术领域，是一种阿苯达唑纳米微粉及其制备方法，该阿苯达唑纳米微粉，联合球磨、高速剪切、高压均质和喷雾干燥技术制备阿苯达唑纳米微粉。本发明采用球磨、高速剪切、高压均质联合喷雾干燥技术制备阿苯达唑纳米微粉的工艺稳定可行，重复性好，所制备的阿苯达唑纳米微粉外观、流动性和水化后再分散性良好；并且，相比于阿苯达唑原料，本发明的阿苯达唑纳米微粉的溶解性和吸收性显著提高，即本发明的阿苯达唑纳米微粉更适于制成口服制剂，可以被胃肠道吸收，生物利用度更高，并且阿苯达唑纳米微粉具有更好的抗包虫药效，为阿苯达唑纳米微粒制剂的后期研究与发展奠定了一定的基础。
阿苯达唑纳米及其制备方法

[发明专利]半导体结构-CN202010825708.6在审
发明人：王朝勋;李振铭;赵高毅;王美匀;周沛瑜;陈国儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：源极/漏极部件，设置于半导体层中、金属栅极堆叠，设置于第一层间介电层中并邻近源极/漏极部件、第二层间介电层，设置于金属栅极堆叠上方、以及源极/漏极接触件，设置于源极/漏极部件上方。所述半导体结构还包括气隙，设置于源极/漏极接触件的底部的侧壁与第一层间介电层之间，其中源极/漏极接触件的顶部的侧壁与第二层间介电层直接接触。
半导体结构

[发明专利]FINFET器件和方法-CN202010883722.1在审
发明人：刘书豪;陈国儒;李凯璇;翁翊轩;杨正宇;陈亮吟;张惠政;杨育佳;章勋明;周孟翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请公开了FINFET器件和方法。一种器件，包括从半导体衬底延伸的鳍；在鳍之上的栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上的第一间隔件；在与第一间隔件相邻的鳍中的源极/漏极区域；在栅极堆叠、第一间隔件和源极/漏极区域之上延伸的层间电介质层(ILD)，ILD具有第一部分和第二部分，其中ILD的第二部分比ILD的第一部分更靠近栅极堆叠；延伸穿过ILD并接触源极/漏极区域的接触插塞；在接触插塞的侧壁上的第二间隔件；以及第一隔离件和第二隔离件之间的气隙，其中，ILD的第一部分延伸穿过气隙并与第二间隔件物理接触，其中，ILD的第一部分密封气隙。
finfet 器件方法

[发明专利]半导体制程的方法-CN201910385287.7在审
发明人：刘书豪;陈国儒;吴濬宏;陈佳政;陈亮吟;张惠政;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体制程的方法。此处所述的实施例一般关于形成超浅接面于p型源极/漏极区中，且超浅接面具有高掺质浓度与低接点电阻。在一实施例中，方法包括形成源极/漏极区于基板上的主动区中，且源极/漏极区包含锗；进行采用镓的离子布植制程，以形成非晶区于源极/漏极区中；进行采用掺质的离子布植制程至非晶区中；以及对非晶区进行热制程。
源极/漏极区非晶区制程布植掺质接面离子半导体制程接点电阻漏极区主动区基板

[发明专利]半导体结构-CN201811132555.6在审
发明人： 陈国儒;刘书豪;龚俊豪;陈亮吟;张惠政;陈科维;黄惠琪;廖高锋;陈志宏;黄玠瑝;谭伦光;游伟明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供半导体结构，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、介电层、接触插塞。栅极结构位于鳍结构上方，源极/漏极结构位于鳍结构中且与栅极结构相邻，介电层位于栅极结构和源极/漏极结构上方，接触插塞穿透介电层，接触插塞包含第一金属化合物，第一金属化合物包含第III族元素、第IV族元素、第V族元素的其中一者或其组合。
栅极结构半导体结构源极/漏极接触插塞介电层金属化合物鳍结构第III族元素第IV族元素第V族元素穿透

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