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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]操作化学机械平坦化用具的方法-CN202010848750.X有效
发明人：陈东楷;王上瑜;潘婉君;魏民忠;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种操作化学机械平坦化用具的方法。方法包括使用一粘着剂，将一研磨垫附接至一化学机械平坦化用具的一平台的一第一表面，从平台移除研磨垫，其中在移除研磨垫之后，粘着剂的多个残余部分残留在平台的第一表面上，使用一荧光材料来识别平台的第一表面上的粘着剂的残余部分的多个位置，并且从平台的第一表面移除粘着剂的残余部分。
操作化学机械平坦化用方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910203695.6有效
发明人：龚俊豪;陈东楷;张智桀;廖高锋;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：此处说明化学机械研磨的研磨液的形成方法，以及在含有金属结构的基板上进行化学机械研磨工艺的方法。化学机械研磨的研磨液的形成方法，可采用螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，此比例取决于基板的金属材料电位。可依据化学机械研磨的研磨液的螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，在基板上进行化学机械研磨工艺。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种抗微生物组合物及其制备方法-CN202111326749.1在审
发明人： 黄惠琪;陈伟伟;莫晋文 -专利权人：惠州华阳医疗器械有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： A61K33/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种抗微生物组合物及其制备方法。本申请所提供的抗微生物组合物包括银离子化合物、聚醚、阴离子基材、水和甘油。所述聚醚包括聚乙二醇、聚丙二醇、泊洛沙姆、聚氧化丙烯甘油醚或聚氧化乙烯甘油醚中的至少一种。通过上述方法，能够避免银离子化合物与阴离子基材反应，提高抗微生物组合物的光稳定性、热稳定性和生物相容性。
一种微生物组合及其制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201810438880.9有效
发明人：龚俊豪;陈科维;蔡晴翔;廖高锋;陈东楷;池芳仪;黄惠琪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。
半导体装置制造方法

[发明专利]晶边移除方法-CN202011554939.4在审
发明人： 黄惠琪;林政锜;苏品全;王健名;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：公开一种晶边移除方法。晶边薄膜移除工具包括套叠在外马达内的内马达，以及固定至外马达的晶边刷具。晶边刷具可在径向上向外调整，以容许晶圆被插入晶边刷具中且固定至内马达。晶边刷具可在径向上向内调整，以接合晶边刷具的一或多个区域，且使晶边刷具与晶圆的晶边部位接触。一旦接合，一溶液可被分配至晶边刷具的接合区域，且内马达及外马达可旋转，使得晶边刷具靠着晶圆旋转，使得晶圆的晶边薄膜被化学地及机械地移除。
晶边移方法

[发明专利]研磨设备、检测装置以及半导体基板的研磨方法-CN201810151144.5有效
发明人：蔡晴翔;许加融;陈科维;黄惠琪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本公开提供一种研磨设备、检测装置以及半导体基板的研磨方法，研磨设备包含一旋转平台、一研磨垫、一研磨浆提供器以及至少一检测装置。研磨垫是固定地设置于旋转平台上，研磨垫是被配置以被旋转平台旋转。研磨浆提供器是被配置以提供一研磨浆于研磨垫上。至少一检测装置是设置于研磨垫中，检测装置是被配置以检测研磨浆的成分与相对应的浓度。
研磨设备检测装置以及半导体方法

[发明专利]化学机械研磨的方法-CN202010977945.4在审
发明人：王上瑜;龚俊豪;蔡晴翔;陈科维;黄惠琪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种化学机械研磨的方法包括将研磨头放置在平台上，此研磨头包括第一磁铁组，以及控制第二磁铁组以在平台上旋转研磨头，其中控制第二磁铁组包括反转第二磁铁组中的至少一个第二磁铁的极性，以在第一磁铁组的至少一个第一磁铁上产生磁力，其中第二磁铁组在研磨头的外部。
化学机械研磨方法

[发明专利]研磨垫-CN202010848776.4在审
发明人：苏品全;林政锜;李冠谊;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本公开一实施例公开一种研磨垫，包括一顶垫以及一子垫。子垫在顶垫之下，并与顶垫接触。顶垫包括多个顶凹槽以及多个微通道。顶凹槽沿着一顶表面。微通道从顶凹槽延伸至顶垫的底表面。子垫包括多个子凹槽。子凹槽沿着子垫的顶表面。
研磨

[发明专利]化学机械平坦化工具-CN202010542306.5在审
发明人：龚俊豪;王上瑜;蔡晴翔;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种施行化学机械平坦化工具，包括通过附接到载体的保持环来固持晶片、将晶片压靠在研磨垫的第一表面、以第一速度旋转研磨垫，分配浆料到研磨垫的第一表面上以及在研磨垫处产生振动。
化学机械平坦化工

[发明专利]化学机械研磨方法-CN201811273778.4有效
发明人：陈东楷;蔡晴翔;廖高锋;张智桀;龚俊豪;池芳仪;何信颖;许加融;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
化学机械研磨方法

[发明专利]用于清洁研磨垫的方法-CN201911054011.7在审
发明人：张智桀;陈彦廷;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本文提供用于清洁研磨垫的方法。本文提供减少修整盘及研磨垫上的金属颗粒污染的化学机械平坦化系统及方法。所述方法可包括将修整盘及至少一导电元件接触电解液接触，并施加直流功率到修整盘及所述至少一导电元件。
用于清洁研磨方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910276622.X在审
发明人：何信颖;池芳仪;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构的形成方法。装置的导电结构中的多重金属化方案，采用第一金属层中的离子布植，使第一金属层的一部分可溶于湿式清洁剂。接着以湿式清洁工艺移除可溶部分，再沉积第二金属层于第一金属层上。第二离子布植可形成额外层于第二金属层中，而额外层可用于产生第二金属层溶于湿式清洁剂的可控部分。可由湿式清洁工艺移除第二金属层的可溶部分。可重复沉积金属层、布植离子、与移除可溶部分的工艺，直到提供所需数目的金属层。
第二金属层可溶第一金属层移除清洁剂湿式清洁额外层布植湿式离子半导体结构沉积金属层布植离子导电结构多重金属金属层可重复再沉积可控可用

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN201910589961.3在审
发明人：龚俊豪;张智桀;廖高锋;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供半导体装置结构的形成方法。方法包含在基底上形成第一金属层，在第一金属层上形成介电层。方法包含在介电层内形成沟槽，以及实施表面处理工艺以在沟槽的侧壁表面上形成疏水层。疏水层是形成在介电层的侧壁表面上。方法还包含在沟槽内和疏水层上沉积金属材料以形成导孔结构。
介电层疏水层第一金属层侧壁表面半导体装置结构表面处理工艺沉积金属材料导孔基底

[发明专利]化学机械研磨工艺所用的研磨组合物-CN201910702328.0在审
发明人：池芳仪;张智桀;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：化学机械研磨工艺所用的研磨组合物含有多个研磨粒子、至少一化学添加剂、与非水溶剂。
化学机械研磨工艺化学添加剂研磨组合物研磨粒子水溶剂与非

[发明专利]化学机械研磨系统-CN201910695391.6在审
发明人：陈彦廷;龚俊豪;陈东楷;黄惠琪;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本公开提供一种化学机械研磨系统，包括一头部、一研磨垫以及一磁系统。化学机械研磨工艺中所使用的浆料含有可磁化的磨料。通过磁系统施加以及控制一磁场，允许精准控制浆料中的可磁化的磨料可如何被拉朝向晶片或被拉朝向研磨垫。
磨料磁系统可磁化研磨垫浆料化学机械研磨工艺化学机械研磨系统精准控制晶片磁场施加

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