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- [发明专利]半导体器件-CN201811227029.8有效
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金柱然;洪世基
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三星电子株式会社
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2018-10-22
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2023-09-29
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H01L27/088
- 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：基底，包括第一区域和第二区域；以及第一晶体管和第二晶体管，分别形成在第一区域和第二区域中。第一晶体管包括位于基底上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且接触第一栅极绝缘层的第一TiN层以及位于第一TiN层上的第一填充层。第二晶体管包括位于基底上的第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上且接触第二栅极绝缘层的第二TiN层以及位于第二TiN层上的第二填充层。第一晶体管的阈值电压绝对值小于第二晶体管的阈值电压，第二栅极绝缘层不包括镧基材料，第一TiN层的一部分的氧含量大于第二TiN层的氧含量。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN201811329444.4有效
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金辰昱;金柱然
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三星电子株式会社
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2018-11-09
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2023-08-25
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H01L29/78
- 一种半导体器件包括：衬底，其包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；在第一区域上的第一栅极结构；在第二区域上的第二栅极结构；在第三区域上的第三栅极结构；以及在第四区域上的第四栅极结构。第一栅极结构包括第一栅极绝缘层、第一材料层和第一栅电极层。第二栅极结构包括第二栅极绝缘层、第二材料层和第二栅电极层。第三栅极结构包括第三栅极绝缘层、第三材料层和第三栅电极层。第四栅极结构包括第四栅极绝缘层和第四栅电极层。第一材料层、第二材料层和第三材料层具有不同的厚度。第一材料层包括下金属层、上金属层、以及其间的多晶硅层。
- 半导体器件
- [发明专利]集成电路器件-CN201910022405.8有效
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李敏成;金柱然;尹智勋;金一龙;吕京奂;郑在烨
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三星电子株式会社
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2019-01-10
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2023-07-04
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H01L27/092
- 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：第一鳍分离绝缘部分，在基板的第一器件区域之上；一对第一鳍型有源区，彼此间隔开而使第一鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸；第一虚设栅极结构，与第一鳍分离绝缘部分垂直地重叠；第二鳍分离绝缘部分，与第一鳍分离绝缘部分间隔开并布置在基板的第二器件区域之上；以及多个第二鳍型有源区，在第二器件区域中彼此间隔开而使第二鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸，其中第二鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度等于或低于第一鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度。
- 集成电路器件
- [发明专利]半导体装置-CN202210979529.7在审
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金柱然;姜尚廷;金真雨;成有梨
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三星电子株式会社
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2022-08-16
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2023-06-09
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H01L27/092
- 提供了半导体装置，其包括：基底，包括PMOSFET区域和NMOSFET区域；以及PMOSFET区域上的第一晶体管和NMOSFET区域上的第二晶体管，第一晶体管包括：第一栅极介电层，在基底上；第一下金属图案，在第一栅极介电层上；第二下金属图案，在第一下金属图案上；以及第一中间图案，在第一下金属图案与第二下金属图案之间，第二晶体管包括：第二栅极介电层，在基底上；第三下金属图案，在第二栅极介电层上；以及第二中间图案，在第二栅极介电层与第三下金属图案之间，第一中间图案和第二中间图案均包括镧，第一下金属图案至第三下金属图案均包括金属氮化物，并且第一下金属图案的厚度大于第三下金属图案的厚度。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202210016194.9在审
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徐明秀;姜尚廷;金柱然;尹智;洪世基
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三星电子株式会社
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2022-01-07
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2022-10-21
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H01L21/8234
- 一种半导体器件包括：有源图案，均从衬底突出并且沿与衬底的上表面基本上平行的第一方向延伸；隔离图案，设置在衬底上并且覆盖每个有源图案的下侧壁；栅极结构，在有源图案和隔离图案上沿第二方向延伸，其中，第二方向与衬底的上表面基本上平行并且与第一方向交叉；以及分离图案，设置在隔离图案上，其中，分离图案接触栅极结构的在第二方向上的端部。栅极结构包括顺序地堆叠的栅极绝缘图案、栅极阻挡物和栅电极。栅极绝缘图案和栅极阻挡物不形成在分离图案的侧壁上，并且栅电极接触分离图案的侧壁。栅极绝缘图案、栅极阻挡物和栅电极顺序地堆叠在隔离图案的与分离图案的侧壁相邻的部分的上表面上，并且栅极绝缘图案接触隔离图案的部分的上表面。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN201810524887.2有效
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金柱然
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三星电子株式会社
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2018-05-28
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2022-06-14
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H01L29/06
- 一种半导体装置包括：鳍，从衬底突出并在第一方向上延伸；源极/漏极区，位于所述鳍上；凹陷，位于所述源极/漏极区之间；装置隔离区，包括顶盖层和装置隔离层，所述顶盖层沿所述凹陷的内表面延伸，所述装置隔离层位于所述顶盖层上以填充所述凹陷；虚设栅极结构，位于所述装置隔离区上且包括虚设栅极绝缘层；外部间隔件，位于所述虚设栅极结构的相对侧壁上；第一内部间隔件，位于所述虚设栅极结构与所述外部间隔件之间；以及第二内部间隔件，位于所述装置隔离区与所述虚设栅极绝缘层之间。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN201611191848.2有效
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金柱然;朴起宽
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三星电子株式会社
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2016-12-21
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2022-01-11
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H01L27/092
- 一种半导体器件，包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域中的第一鳍型图案；在第二区域中的第二鳍型图案；交叉第一鳍型图案的第一栅结构，第一栅结构包括第一栅间隔物；交叉第二鳍型图案的第二栅结构，第二栅结构包括第二栅间隔物；形成在第一鳍型图案上的第一栅结构的相反侧上的第一外延图案，第一外延图案具有第一杂质；形成在第二鳍型图案上的第二栅结构的相反侧上的第二外延图案，第二外延图案具有第二杂质；第一硅氮化物膜，沿着第一栅间隔物的侧壁延伸；以及第一硅氧化物膜，沿着第一栅间隔物的侧壁延伸。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN202110393477.0在审
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金柱然;姜尚廷;金真雨;尹智
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三星电子株式会社
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2021-04-13
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2021-10-22
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H01L27/092
- 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一栅极结构，在基板的第一区域上沿第一方向延伸，该第一栅极结构包括第一栅极绝缘膜和设置在第一栅极绝缘膜上的第一功函数膜；以及第二栅极结构，在基板的第二区域上沿第一方向延伸，该第二栅极结构包括第二栅极绝缘膜和设置在第二栅极绝缘膜上的第二功函数膜，其中第一功函数膜在与第一方向交叉的第二方向上的第一厚度不同于第二功函数膜在第二方向上的第二厚度，以及其中第一功函数膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二功函数膜在第三方向上的第二高度。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN201710064371.X有效
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金柱然;朴起宽
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三星电子株式会社
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2017-02-04
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2021-08-24
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H01L29/06
- 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源区域和第二有源区域以及在第一有源区域与第二有源区域之间并且接触第一有源区域和第二有源区域的场绝缘膜；栅电极结构，横越第一有源区域和第二有源区域以及场绝缘膜，其中，栅电极结构包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分横跨第一有源区域和场绝缘膜设置，第二部分横跨第二有源区域和场绝缘膜设置，第三部分接触第一部分和第二部分。栅电极结构包括具有插入膜和在插入膜上的填充膜的栅电极，插入膜横越第一有源区域和第二有源区域以及场绝缘膜。在第三部分中的栅电极的厚度不同于在第一部分和第二部分中的栅电极的厚度。
- 半导体装置
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