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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种新能源车用电机控制器壳体-CN202321185654.7有效
发明人：刘世超;沈黎吉;王立廷 -专利权人：广家院威凯（上海）检测技术有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新能源车用电机控制器壳体，包括电机控制器壳体本体和上盖，所述上盖上方设有散热板，所述电机控制器壳体本体底部设有冷却系统；所述冷却系统包括若干个依次连接的直管冷却管、连接管和弯管冷却管；所述连接管位于直管冷却管和弯管冷却管之间，并分别与直管冷却管、弯管冷却管连通。本实用新型的电机控制器壳体采用风冷和水冷的方式对电机控制器进行散热，效果更佳，速度更快；风冷采用散热板不需要额外消耗电能，更加节能；水冷采用标准结构的零部件进行拼装，能够适用不同型号及尺寸的电机控制器壳体，维护和保养简单，操作便捷，可以实现快速配型安装，使用范围更广，对于售后保养更加友好。
一种新能源用电控制器壳体

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210810748.2在审
发明人：李溢芸;黄才育;王立廷;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其形成方法。一种方法包括在衬底上形成鳍结构。鳍结构包括交替堆叠的多个第一纳米结构和多个第二纳米结构。沿着鳍结构的侧壁和顶表面形成虚设栅极。使鳍结构的被虚设栅极暴露的部分凹陷，以形成第一凹部。在第一凹部中形成外延源极/漏极区域。将外延源极/漏极区域内的掺杂剂原子驱动到多个第二纳米结构中。去除虚设栅极和多个第一纳米结构。形成包绕多个第二纳米结构的替换栅极。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202210344566.0在审
发明人：陈资宪;王立廷;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括：判定晶圆上第一退火区域的第一反射率；判定晶圆上第二退火区域的第二反射率，在第一退火区域上执行第一激光发射，量测第一退火区域的第一温度，且在第二退火区域上执行第二激光发射。根据第一反射率设定第一激光发射的功率。根据第二反射率设定第二激光发射的功率。
制造半导体装置方法

[发明专利]量测基板温度的设备、系统及方法-CN202210173755.6在审
发明人：陈资宪;王怡超;陈文彦;王立廷;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：一种量测基板温度的设备、系统及方法。将发射例如激光脉冲的光信号的发光源施加至基板上。发光源另一侧上的侦测器接收反射激光脉冲。侦测器亦接收与从基板的表面辐射的温度或能量密度相关联的发射信号。温度量测系统使用所接收的激光脉冲及发射信号来确定热制程期间基板的温度。为了提高反射激光脉冲的讯杂比，可以使用偏振器来偏振激光脉冲以具有S偏振。也可以控制偏振激光脉冲朝向基板施加的角度，以提高侦测器端的讯杂比。
量测基板温度设备系统方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910511115.X有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈国儒;王立廷;陈亮吟;张惠政;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法以及一种半导体结构。在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201910700892.9有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈利恒;王立廷;陈亮吟;张惠政;杨育佳;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：在半导体衬底的第一部分上形成栅极堆叠；移除半导体衬底的位于栅极堆叠的一侧上的第二部分以形成凹槽；从凹槽开始生长半导体区域；用杂质注入半导体区域；以及在半导体区域上执行熔化退火，其中，半导体区域的至少一部分在熔化退火期间熔化。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体制造设备-CN202210818135.3在审
发明人： 王立廷;陈俊仁;游明华;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：半导体制造设备包括第一高温计和第二高温计，分别配置为监测来自基座上的晶圆背侧上的第一点和第二点的热辐射。半导体制造设备包括位于外延成长腔室的第一区域中的第一加热源以及位于外延成长腔室的第二区域中的第二加热源，其中第一控制器配置为基于监测到的来自第一点和第二点的热辐射来调整第一加热源和第二加热源的输出。导体制造设备包括第三高温计和第四高温计，配置为监测来自晶圆前侧上的第三点和第四点的热辐射，其中第二控制器配置为基于监测到的来自晶圆第一点、第二点、第三点和第四点的热辐射来调整注入到外延成长腔室中的一或多种前驱物的流率。
半导体制造设备

[实用新型]一种用于放桩的脚架组件-CN202221025141.5有效
发明人： 王立廷;孙洪会;王存淼;严容;邢修权 -专利权人：北京地矿工程建设有限责任公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于放桩的脚架组件，涉及工程测量设备技术领域，该装置包括：定点装置、调节装置以及支撑装置；所述调节装置包括：调节环和调节杆；所述定点装置滑动连接于所述调节杆上；所述调节杆的两端与所述调节环滑动连接；所述调节环固定连接于所述支撑装置的顶端。优选地，所述调节环内设有滑槽，所述调节杆的两端设有滑块，所述滑块嵌入所述滑槽内，并与所述滑块滑动配合。本实用新型可实现方便调节定位点的技术效果。
一种用于脚架组件

[发明专利]晶体管源极/漏极接触件及其形成方法-CN202110908867.7在审
发明人：简薇庭;陈文彦;王立廷;刘书豪;陈亮吟;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开总体涉及晶体管源极/漏极接触件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：栅极结构，位于衬底的沟道区域上；栅极掩模，位于栅极结构上，栅极掩模包括第一电介质材料和杂质，栅极掩模中的杂质的浓度沿着从栅极掩模的上部区域向栅极掩模的下部区域延伸的方向减小；栅极间隔件，位于栅极掩模的侧壁和栅极结构的侧壁上，栅极间隔件包括第一电介质材料和杂质，栅极间隔件中的杂质的浓度沿着从栅极间隔件的上部区域向栅极间隔件的下部区域延伸的方向减小；以及源极/漏极区域，与栅极间隔件以及沟道区域相邻。
晶体管接触及其形成方法

[实用新型]钢尺型水位计自动制动装置-CN202220847140.2有效
发明人： 王立廷;严容;邢修权;王存淼;孙洪会 -专利权人：北京地矿工程建设有限责任公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G01F23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钢尺型水位计自动制动装置，涉及工程测量设备领域，包括：支架；绕线盘，绕线盘与支架通过转动轴转动连接；制动组件，包括制动杆、弹簧和制动片；制动杆可滑动地设置在支架上；弹簧套设在制动杆上，弹簧的一端与支架连接，弹簧的另一端与制动杆连接；制动杆靠近转动轴的一端与制动片连接；制动片在弹簧的作用力下与转动轴接触，以实现绕线盘的制动；其中，对制动杆的提拉操作，能够使得制动片与转动轴分离。本实用新型通过设置有制动组件，将制动杆通过弹簧滑动连接在支架上，支架靠近转动轴的一端设置制动片，通过弹簧推动制动杆向靠近制动片的方向运动，使制动片与转动轴摩擦，实现对绕线盘的制动。
钢尺水位计自动制动装置

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN202110418889.5在审
发明人：陈思颖;薛森鸿;王立廷;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，一种方法包括形成相邻于基板的多个鳍片，这些鳍片包含第一鳍片、第二鳍片及第三鳍片；形成相邻于鳍片的第一绝缘材料；减少第一绝缘材料的厚度；在减少第一绝缘材料的厚度以后，形成相邻于第一绝缘材料及鳍片的第二绝缘材料；以及使第一绝缘材料与第二绝缘材料凹陷以形成第一浅沟槽隔离区域。
半导体装置与其形成方法

[实用新型]一种高稳定的定位移动测绘塔架-CN202121945802.1有效
发明人：严容;王立廷;王存淼;孙洪会;邢修权 -专利权人：北京地矿工程建设有限责任公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： F16M11/42 文献下载
摘要：本申请涉及一种高稳定的定位移动测绘塔架，其包括固定盘，所述固定盘顶面转动连接有调节筒，所述调节筒内穿设有调节螺杆，所述调节螺杆与所述调节筒螺纹连接，所述调节螺杆远离所述固定盘的一端固定连接有安装盘，所述固定盘与所述安装盘之间固设有多根伸缩杆，所述固定盘底面固设有支腿。本申请具有提高测绘塔架高度适用范围效果。
一种稳定定位移动测绘

[实用新型]一种用于地下洞桩放样的棱镜组件-CN202121945854.9有效
发明人： 王立廷;严容;王存淼;孙洪会;邢修权 -专利权人：北京地矿工程建设有限责任公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01C15/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于地下洞桩放样的棱镜组件，其包括棱镜、支架，所述棱镜顶端固定安装有上激光灯，所述棱镜底端固定安装有下激光灯，所述上激光灯与所述下激光灯同轴设置，所述上激光灯与所述下激光灯连接有电源，所述棱镜安装在所述支架上，所述支架上固定连接有安装杆，所述安装杆连接有对中杆。本申请具有能够对地下洞桩放样点位进行保护的效果。
一种用于地下洞桩放样棱镜组件

[发明专利]通过回流填充材料进行沟槽填充-CN202011190662.1在审
发明人：陈文彦;王立廷;谢宛蓁;卢柏全;黄泰钧;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及回流填充材料进行沟槽填充。一种方法，包括在基底结构上方形成第一突出鳍和第二突出鳍，其中，沟槽位于第一突出鳍和第二突出鳍之间，沉积延伸到沟槽中的沟槽填充材料，以及对沟槽填充材料执行激光器回流工艺。在回流工艺中，沟槽填充材料的温度高于沟槽填充材料的第一熔点，并且低于第一突出鳍和第二突出鳍的第二熔点。在激光器回流工艺之后，沟槽填充材料被凝固。该方法还包括对沟槽填充材料进行图案化，其中，沟槽填充材料的剩余部分形成栅极堆叠件的部分，以及在栅极堆叠件的一侧上形成源极/漏极区域。
通过回流填充材料进行沟槽

[实用新型]一种具有安全防护的全站仪-CN202021892706.0有效
发明人：严容;邢修权;王存淼;王立廷;孙洪会;刘云广 -专利权人：北京地矿工程建设有限责任公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G01C15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有安全防护的全站仪，包括固定底板，所述固定底板为截面呈凸字形的圆柱形结构，所述固定底板上端面开设第一安装槽，所述第一安装槽内侧开设第二安装槽，所述第一安装槽底端与防尘结构下端滑动连接，所述防尘结构上端与连接板下端开设的第一安装槽滑动连接，所述连接板上端通过连接杆与全站仪主体相连接固定，所述全站仪主体两端开设卡接孔，所述卡接块环形外端连接固定经卡接支架，所述卡接支架上端通过阻尼转轴与遮光板转动连接，与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果；遮光效果好，拆装难度低。
一种具有安全防护全站仪

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