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[发明专利]氧化物气化去除装置-CN201810840380.8有效
发明人：贾丽丽;李芳;朱也方 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物气化去除装置，涉及半导体集成电路制造技术，包括反应腔体，所述反应腔体内包括一承片台，用于承载一晶圆；进气装置，所述进气装置与所述反应腔体组接，所述进气装置包括盖板、多个进气管和多个气体流量控制阀门，所述多个进气管穿过所述盖板，以使外界气体可通过所述多个进气管进入所述反应腔体内，每一所述进气管上设置有一所述气体流量控制阀门，用于控制流过所述进气管的气体的量；以及排气装置，所述排气装置与所述反应腔体组接，用于排出氧化物气化去除过程中产生的气体，以实现对晶圆上特定区域的氧化物进行气化刻蚀去除，实现选择性刻蚀。
氧化物气化去除装置

[发明专利]去除晶圆表面静电荷的方法-CN202010195569.3在审
发明人： 朱也方 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H05F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除晶圆表面静电荷的方法，包括如下步骤：步骤S1，对以设定速度旋转的晶圆表面进行预处理，通过晶圆的旋转引流释放静电；步骤S2，对晶圆表面进行清洗。本发明可以避免晶圆清洗时清洗液瞬间接触晶圆表面且晶圆高速旋转而导致晶圆表面产生静电击穿效应，从而可以彻底去除晶圆表面的静电荷。
去除表面静电荷方法

[发明专利]具有用于嵌入锗材料的成形腔的半导体器件及其双沟槽制造工艺-CN201510079521.5有效
发明人：李芳;朱也方;陈锟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺及器件。更具体地，本发明的实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括由两个沟槽结构形成的成形腔，并且该成形腔填充有硅和锗材料。还提供了其他实施例。
具有用于嵌入材料成形半导体器件及其沟槽制造工艺

[发明专利]具有用于嵌入锗材料的成形腔的半导体器件及其制造工艺-CN201510079513.0有效
发明人：李芳;朱也方;陈锟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺及器件。更具体地，本发明的实施例提供后续将用SiGe材料填充的成形腔。该成形腔包括与基板交界的凸区域。还提供了其他实施例。
具有用于嵌入材料成形半导体器件及其制造工艺

[发明专利]硅片清洗装置及其清洗方法-CN201810768670.6在审
发明人：刘文燕;李芳;朱也方 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片清洗装置，包括：气体产生机构、保护机构、清洗腔体、固定机构和清洗液加注机构；硅片正面向下通过固定机构固定在清洗腔体中，气体产生机构连接保护机构，保护机构位于固定机构下方，保护机构能在清洗腔体中上下移动靠近或远离硅片，气体产生机构通过保护机构向硅片正面输送保护气体，清洗液加注装置设置在硅片上方；清洗腔体中气体产生机构输送保护气体所产生的压力与硅片背面的清洗液所产生的压力形成平衡，清洗液仅存在于硅片背面和硅片侧面，或清洗液仅存在于硅片背面。本发明还刚开了一种硅片清洗方法。本发明通过调节保护气体的流量能实现选择性清洗(硅片背面和或硅片侧面)，能提高硅片清洗效率。
清洗液硅片气体产生机构保护机构清洗腔体保护气体固定机构硅片背面硅片清洗装置硅片清洗硅片正面选择性清洗加注装置连接保护上下移动压力形成侧面加注清洗平衡

[发明专利]一种测定薄膜研磨速率的方法-CN201410710267.X有效
发明人：王从刚;朱也方;严钧华;丁弋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：一种使用一种测定薄膜研磨速率的方法，包含以下步骤提供一表面覆盖有预定厚度值的测试薄膜和底部薄膜的半导体衬底，且所述测试薄膜覆盖所述底部薄膜的上表面；利用扭矩研磨终点检测工艺获取研磨机台将所述测试薄膜研磨至所述底部薄膜的上表面的时间值；根据所述厚度值和所述时间值获取所述研磨机台研磨所述测试薄膜的研磨速率；其中，所述测试薄膜与所述底部薄膜在使用本发明所述的方法，简化了检测流程，避免了复杂流程各环节可能出现的不稳定造成的研磨速率测定偏差，提高了检测速度和检测稳定性。
一种测定薄膜研磨速率方法

[发明专利]用于FinFET多晶硅化学机械研磨的设备及方法-CN201410491272.6有效
发明人：丁弋;朱也方 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于FinFET多晶硅化学机械研磨的设备，包括研磨头；研磨头清洗及衬底装卸单元，所述研磨头清洗及衬底装卸单元具有套筒，所述套筒环绕所述研磨头清洗及衬底装卸单元外侧设置，所述套筒能够沿所述研磨头清洗及衬底装卸单元的外侧进行上升和下降运动，所述套筒上升时，能够与所述研磨头清洗及衬底装卸单元形成一个半封闭的清洗单元，所述清洗单元用于衬底的多晶硅层表面的自然氧化层进行清洗；所述套筒下降时，研磨头将衬底从所述研磨头清洗及衬底装载卸载单元移走。本发明在FinFET多晶硅层的化学机械研磨之前，去除多晶硅层表面的自然氧化层，以确保后续的多晶硅层化学机械研磨工艺正行进行。
用于 finfet 多晶化学机械研磨设备方法

[发明专利]一种FINFET结构的制备方法-CN201410060243.4有效
发明人：丁弋;陈锟;朱也方;李芳;王从刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FINFET结构的制备方法，包括研磨掉氮化硅2上的氧化硅1；通过低选择比研磨液继续研磨一定量的氧化硅1和氮化硅2，以减薄氮化硅2的厚度；湿法刻蚀去除氮化硅；湿法刻蚀去除部分氧化硅1，形成FinFET结构。本发明的技术方案简便易行，利用两次CMP制程，减薄氮化硅的厚度，增加氮化硅的宽度，即增加氮化硅与药剂的接触面积，有利于湿法对氮化硅的去除，最终达到氮化硅的完全去除，避免了氮化硅去除不完全的后果。
一种 finfet 结构制备方法

[发明专利]一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统-CN201410106660.8有效
发明人：丁弋;朱也方;严钧华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统，包括：一清理盘，其表面设置有凸出的若干钻石，且每个所述钻石暴露的表面均包裹有一层磁性材料；一研磨垫，其表面与所述清理盘的表面相对设置；一磁性感应器，设置于所述研磨垫的下方，以对所述研磨垫表面的磁性情况进行检测，另外该系统还包括报警装置。在研磨过程中，若清理盘上的磁性材料脱落至研磨垫上，就会被磁性感应器感应，触发报警装置，研磨垫停止研磨。该系统可以实时的监测钻石是否脱落而导致的晶圆刮伤的效果，防止了晶圆由于严重刮伤而报废的后果，大大提高了产品的良率，降低了成本。
一种防止研磨垫刮伤晶圆系统

[发明专利]一种化学机械研磨后的清洗装置-CN201410228259.1有效
发明人：丁弋;朱也方 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械研磨后的清洗装置，包括兆声波水槽和水槽中设置的用于夹持并固定晶圆的滚筒，滚筒包括法兰形的第一滚筒部分和第二滚筒部分，二个滚筒部分通过其法兰形的法兰管部相互活动套接，在二个滚筒部分的法兰管套接面设有轴向移动导向结构，第一滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接滚筒转动驱动单元，第二滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接移动驱动单元，使用于夹持晶圆的二个法兰口之间的间距可以调节，避免了在滚筒夹持变形晶圆时，因晶圆的平面高度变大而对晶圆造成侧向挤压，从而消除了清洗过程中晶圆破片的问题。
一种化学机械研磨清洗装置

[发明专利]用于清洗半导体晶圆的清洗槽-CN201410125553.X有效
发明人：李芳;陈锟;朱也方 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于清洗半导体晶圆的清洗槽，属于半导体晶圆工艺技术领域，包括清洗槽本体、喷淋装置,所述清洗槽本体的上方设有用于封闭所述清洗槽本体的槽盖，所述槽盖上设有用于清洗晶圆的喷淋装置；所述喷淋装置包括若干个喷淋管和若干个与其相连通的喷嘴，所述喷嘴在所述槽盖上呈矩阵状均匀分布且可调节喷淋角度，所述喷淋管上设有用于控制清洗液通过的阀。本发明通过清洗槽上侧设置槽盖，所述槽盖上均匀分布若干个可调节喷淋角度的喷嘴，喷射的清洗液可从多个不同方向清洗晶圆，可覆盖晶圆不同方位和角度。本发明提供的清洗槽的清洗能力更强，清洗面更为宽泛，还可降低清洗时间增加产出。
用于清洗半导体

[发明专利]一种化学机械研磨装置及其化学机械研磨方法-CN201610107813.X在审
发明人：严钧华;朱也方;丁弋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：一种化学机械研磨装置，包括：转盘，所述转盘上设置抛光垫，且仅在所述抛光垫之外边缘处设置研磨沟槽；研磨头，与所述抛光垫呈面向设置，并用于固定待研磨之晶圆；研磨液供应管，用于输送研磨液。本发明化学机械研磨装置通过仅在所述抛光垫之外边缘处设置研磨沟槽，不仅可单独对待研磨之晶圆的外边缘进行化学机械研磨，提高产品良率，而且结构简单、使用方便，未增加任何生产成本，值得推广应用。
一种化学机械研磨装置及其方法

[发明专利]防刮伤化学机械研磨装置及其化学机械研磨方法-CN201610107799.3在审
发明人：严钧华;朱也方;王从刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： B24B37/27 文献下载
摘要：一种防刮伤化学机械研磨装置，包括：晶圆载入装置，用以将晶圆载入；晶圆承载器，吸附晶圆，并通过转轴将晶圆从载入位依次转移至第一研磨平台、第二研磨平台和后处理平台；研磨液供应管，向第一研磨平台、第二研磨平台和后处理平台输送研磨液；移动轨道，分别设置在载入位、第一研磨平台、第二研磨平台以及后处理平台外围；去离子水管路，设置在移动轨道内，并在出水端设置喷头。本发明使得在研磨工艺过程中，喷头持续对研磨台罩和晶圆承载器喷洒去离子水，不仅进行有效的清洗和保湿，而且避免飞溅的研磨液结晶，减少因结晶小颗粒物导致刮伤造成废片的可能，提高了产品良率。
防刮伤化学机械研磨装置及其方法

[发明专利]研磨头膜片的缺陷检测方法-CN201410428713.8在审
发明人：丁弋;朱也方 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B24B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种研磨头膜片的缺陷检测方法，通过将研磨头浸入水中并通入正压气体来判断膜片是否漏气，以确定膜片是否有缺陷，从而对膜片质量进行实时监控，保证了膜片的工艺中质量提高了了研磨工艺的稳定性，防止晶圆报废。
研磨膜片缺陷检测方法

[发明专利]化学机械研磨之研磨液供给装置-CN201410422520.1在审
发明人：丁弋;朱也方 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：一种化学机械研磨之研磨液供给装置，包括：研磨液供给手臂，活动设置在研磨机台上，并在所述研磨液供给手臂之一侧间隔设置独立的研磨液供给管路；承载轴，固定设置在所述研磨液供给手臂之内侧；研磨液供给组件，滑动设置在所述承载轴上，并用于提供研磨液，且选择性的通过所述研磨液供给管路施加在研磨垫上。本发明化学机械研磨之研磨液供给装置通过在所述研磨机台设置内置马达，控制所述研磨液供给手臂沿着研磨垫所在的平面转动，并在所述研磨液供给手臂之一侧间隔设置独立的研磨液供给管路，以通过所述控制单元使得所述研磨液供给组件与所述研磨液供给管路进行选择性的连通，调节所述研磨液之供给，提高晶圆整体的均匀性。
化学机械研磨供给装置

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